异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究

利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼.高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c-BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长.

水稻OsGF14-c基因功能的初步分析

GF14是一类在高等植物的基本代谢﹑信号转导﹑抗逆以及转录调节等多种生理生化途径中发挥重要作用的基因。这类基因是14-3-3基因家族的成员，由于启动子结构中具有一个保守的G-Box元件而得名。我们根据该类基因的保守序列合成特异性探针，从水稻中花10号花的cDNA文库中筛选到一个基因，通过全长测序以及同源比较，发现它的核酸序列与NCBI数据库中注册的水稻GF14-c基因有高达99%的同源性，并在其上游启动子区也发现了一个保守的G-Box元件，从而确定该基因是水稻的GF14-c基因，我们把它命名为OsGF14-c。OsGF14-c的cDNA全长1154bp，编码256个氨基酸。序列分析表明该基因与酵母同源基因BMH2有71%的同源性，构建真核表达载体pdYES2，借助LiAC转化法将pdYES2导入BMH2缺陷型酵母菌株GG3000，筛选获得了补偿BMH2功能的重组酵母菌株PYGG。OsGF14-c基因的启动子区域具有一个典型的﹑高等植物特有的顺式作用元件G-Box元件，提示该基因可能与转录因子相互作用，洋葱表皮瞬时表达实验验证了OsGF14-c是核定位的。构建原核表达载体pGF-c2转化大肠杆菌XL1-Blue，筛选获得了表达GF14c-MBP融合蛋白的重组菌株，利用直链淀粉亲和层析纯化了OsGF14c-MBP融合蛋白。为了研究该基因在水稻的生长发育过程中所起的作用，我们以OsGF14-c基因的全长cDNA序列构建反义表达载体载体p35sCAMVF，并分别以OsGF14-c cDNA序列的特异区段以及保守区段构建了RNAi表达载体US和UT。将p35sCAMVF﹑US和UT借助农杆菌介导的转化分别导入水稻愈伤组织,培养成苗并进行遗传学分析。我们的工作对今后深入研究OsGF14-c基因的功能奠定了一定的基础。

High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001)

Highly uniform InAs quantum wires (QWRs) have been obtained on the In0.5Al0.5As buffer layer grown on the InP substrate 8 degrees off (001) towards (111) by molecular-beam epitaxy. The quasi-periodic composition modulation was spontaneously formed in the In0.5Al0.5As buffer layer on this misoriented InP (001). The width and period of the In-rich bands are about 10 and 40 nm, respectively. The periodic In-rich bands play a major role in the sequent InAs QWRs growth and the InAs QWRs are well positioned atop In-rich bands. The photoluminescence (PL) measurements showed a significant reduction in full width at half maximum and enhanced PL efficiency for InAs QWRs on misoriented InP(001) as compared to that on normal InP(001). (c) 2006 American Institute of Physics.

神经网络在覆盖件模具表面激光硬化虚拟过程中的应用

基于人工神经网络技术对覆盖件模具表面激光硬化虚拟过程的仿真建模,结合几何因素分析了模型的主要影响参数,对BP网络的结构和训练进行了说明。预测了激光表面硬化的加工效果 (表面硬度、硬化层深、相对耐磨性和表面粗糙度),实现激光加工工艺参数的优化,为实际生产和加工提供了依据。并以C语言为开发语言,利于实现各平台间的集成。

双折射雕塑薄膜的研究进展

倾斜沉积技术制备的雕塑薄膜是一种新型的、具有各向异性结构的薄膜材料。根据基片旋转方式的不同，可得到螺旋状、S形状、C形状、弯曲柱状等不同结构的薄膜，并且出现了晶体中的双折射现象。雕塑薄膜可以实现各向同性薄膜无法实现的光学性质，为光学薄膜的设计与制备开辟了新的途径。本文综述了雕塑薄膜的制备方法，分析了雕塑薄膜的微结构与双折射特性，并阐述了其在光学领域内的应用潜力。

昆明山海棠对中国仓鼠V_(79)细胞二酰基甘油含量的影响

研究以昆明山海棠根部水抽提物(Tripterygium hypoglaucum (Level) Hutch,THH)处理中国仓鼠V_(79)细胞,通过检测V_(79)细胞C-M细胞频率以及二酰基甘油(1,2-diacylgcerol,DAG)的含量测定,分析了THH诱发非整倍体与细胞醇磷酯信号通路的关系。结果指出:THH能在1mg/ml、2mg/ml两个剂量上使V_(79)细胞的DAG含量显著升高(P<0.001),并明显的提高C-M细胞频率(P<0.05),提示肌醇酯信号通路是介导THH诱发非整倍体的途径之一。

Prolonged cardiac xenograft survival in guinea pig-to-rat model by a highly active cobra venom factor

A highly active cobra venom factor (CVF) was isolated from the venom of Naja kaouthia by sequential column chromatography. It displays strong anticomplementary activity, and has 1515 U of anti complementary activity per mg protein. A single dose of 0.1 mg/kg CVF given i.v. to rats completely abrogated complement activity for nearly 5 days. Given 0.02 mg/kg of CVF. the complement activity of rats was reduced by more than 96.5% in 6 It. In guinea pig-to-rat heart transplant model, rats treated with a single dose of 0.05 mg/kg CVF had significantly prolonged xenograft survival (56.12 +/- 6.27 h in CVF-treated rats vs. 0.19 +/- 0.07 h in control rats, P < 0.001). (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.

微囊藻毒素LR对小鼠的急性毒性研究

目的了解微囊藻毒素对小鼠的急性损伤作用。方法以BALB/C小鼠为材料,腹腔注射22μg/kg·b.w.和43μg/kg·b.w.剂量的微囊藻毒素LR,测定脏器系数和一系列生化指标。结果肾脏指数与肝脏指数明显增加,表明两种器官都受到损伤;血清中天冬氨酸转氨和丙氨酸转氨酶活力上升,尿素含量下降预示着肝脏损伤,尿酸含量上升则预示肾脏损伤的发生。结论肾脏也可能是易受微囊藻毒素损伤的器官。

主链热致液晶高分子的高有序液晶性研究

主链热致液晶聚芳醚酮，同时引入含联苯介晶基元和含取代侧基的破坏结晶基元，具有丰富的液晶相结构，是目前发现的少数几种具有高有序液晶性的聚合物之一。本论文利用热分析（DSC）、红外光谱（FTIR）、广角X－射线衍射（WAXD）、偏光显微镜（PLM）、电子显微镜（TEM）、电子衍射（ED）和原子力显微镜（AFM）等实验手段对主链热致液晶聚芳醚酮进行了结构和形态表征，研究了高有序液晶性及其在相变中作用。这不但对全面了解和认识液晶高分子的复杂相变过程有重要理论意义，同时对改善这类材料的性能和拓宽其应用范围有重要的实际意义。首先确定了主链热致液晶聚芳醚酮的高有序液晶相。DSC结果指出该共聚物呈现两个热力学一级相转变，即结晶相向液晶相和液晶相向各向同性相的转变。WAXD结果表明，该共聚物在液晶相温区形成高有序近晶结晶相结构，即同时呈现高有序液晶相和结晶的衍射特征，由低角度衍射峰确定液晶相具有多个亚层结构，由高角度衍射峰确定结晶相为正交晶系。通过ED、WAXD方法，确定所得的高有序近晶结晶相为垂直的正交相SC_E相。TEM、PLM观察到的单矢畴结构和镶嵌织构等也证明了高有序液晶相的存在。高有序液晶相的形成和发展过程对其后降温过程中的结晶相变有重要影响。从各向同性溶体慢降温时(≤10 ℃/min)，在液晶温区生成了较完整的高有序液晶相，其后直接转化成稳定的晶型I结构；从各向同性溶体快降温时(≥20 /min)，在液晶温区生成不完整的小尺寸高有序液晶相并成为另一种亚稳晶相（晶型II）的成核剂，而晶型II的生长速率很快，最终导致大量亚稳晶型II的生成。亚稳晶型II在较高温度下热处理可转化为稳定的晶型I。对于常规聚芳醚酮，可通过拉伸诱导和溶剂诱导晶型II的产生，而本文为首次发现液晶聚芳醚酮可通过控制降温速率诱导晶型II的产生。研究了液晶聚芳醚酮的共聚组成和侧基的空间位阻效应对液晶性的影响。当聚合物中侧基摩尔分类小于30％和大于80％时，样品不具有液晶性。仅当共聚物的侧基摩尔分数在30％－80％时，样品呈现液晶性，熔融相转变温度随共聚组成不同基本保持不变，这种变化规律与常规聚芳醚酮无规共聚物的呈“V”字形变化有显著的不同。不同侧基共聚物的液晶稳定性从小到大的次序为氯侧基PAEK<甲氧基 PAEK<叔丁基 PAEK≤苯侧基 PAEK<三氟甲基苯PAEK，说明空间位阻效应比分子极性效应对液晶稳定性的影响大，其符合Flory-Onsager空间位阻效应是决定液晶稳定性因素的观点，而否定了Maier-Sauper分子极性效应是决定液晶稳定性因素的观点。液晶聚芳醚酮具有非常丰富的液晶相态结构，包括低有序液晶相特征的纹影织构、扇形织构、焦锥织构；高有序液晶相特征的镶嵌织构、近晶相球晶织构、单矢畴结构；剪切力场诱导的指纹织构；非剪切作用下结晶诱导的单晶状条带结构；以及薄膜样品从溶体冷却结晶得到的单晶体和从非晶态冷结晶得到的球晶。单矢畴结构是有单一分子取向的有序微区，它是液晶高分子存在高有序液晶相一个有力的证据。研究表明液晶聚芳醚酮的单矢畴结构是由初始的多天畴结构经热处理转化而成的，具有正交晶系和分子链垂取向的特征。指纹织构是在液晶相与各向同性相转变温区受到机械剪切作用时形成的且非连续地分散在镶嵌织构中。研究表明指纹织构为正交晶体结构，整个指纹织构区域的分子链均垂直于膜平面，晶体的a轴和b轴的取向也基本一致。在主链热致液晶高分子中这种剪切诱导的指纹织构还是首次发现并被报道。单晶状条带结构是液晶聚芳醚桐熔体膜在高有序液晶相转化温区等温处理生成的。TEM结果指出条带呈明暗相间的周期性排列，其宽度约20nm；ED结果指出条带区域具有正交晶系的单晶状取向结构；条带的延伸方向为晶体的b轴方向；AFM结果指出条带结构的薄膜表面是凸凹起伏的。通过电子衍射、明场、暗场和样品倾转技术证明，这种结晶诱导的单晶状条带结构的成因来自于分子链的取向不同。条带结构在AFM高度图中的凸起部分（TEM明场像的暗区）分子链垂直于膜平面，而凹下部分（TEM明场像的亮区）分子链向b轴倾斜，最大倾角±20°。需要指出的是文献报道的条带结构，无论是剪切的和非剪切（结晶诱导或固化诱导）的条带结构，其分子链均平行于膜平面，而我们得到的条带结构的分子取向与其有显著的不同。这种单晶状条带结构的生成，除湿度和时间等影响因素外，膜厚度是决定性因素，只有当膜厚略大于分子链长度时，方导致结晶诱导的单昌状条带结构的形成，过剩的自由体积能以这种起伏的条 结构的方式得以释放。该聚合物在生成单晶状条带结构的同时，还形成大量的均相附生结晶形态，绝大多数附生结晶接触面为(100)_Ⅰ/(210)_Ⅱ和(010)_Ⅰ/(210)_Ⅱ，分别对应结晶b轴的夹角为32°和122°。液晶聚芳醚酮薄膜样品，从熔体冷却结晶得到了单晶体，从非晶态冷结晶得到了球晶。平放（flat-on）的单晶有规则的外形，从[001]方向的电子衍射图，可确定单晶区域为正交晶系，分子链（c轴方向）垂直于膜平面。AFM观察指出，单晶体表面平整度达分子水平，并成功地获得了分子晶格分辨像，测得的晶胞参数（a和b）与电子衍射结果基本一致，分子链端位于晶体表面，这意味着该聚合物的分子量分布很均匀。该分子晶格分辨像被《Macromolecular Rapid Communications》选作封面。

有机电磷光器件的研究

自1987年C.W.Tang等人首次报道以Alq_3为发光材料的多层结构有机电致发光器件以来，由于其简单工艺、低成本、主动发光、快速响应以及大面积和柔性可弯曲显示等特点，使其在未来的平板显示领域显示了诱人的应用前景，其研究倍受关注。近些年来，有机发光二极管己经开始商品化。其中，三重态电磷光有机发光材料以其在效率，亮度等方面的优秀性能表现，成为了该领域重要的研究课题。在众多的电磷光材料中，重金属铱的配合物的很多优点引起了广泛的研究。铱配合物电磷光不仅具备了磷光材料理论上可能达到了100％内量子效率的优势，还以其独特的金属一配体电荷跃迁发光性质实现了可见光范围内的全色发光。本论文主要研究了有机电磷光铱配合物的电致发光性能，从不同分子结构铱配合物在不同掺杂浓度下的优化、器件结构设计、母体材料选择以及电磷光发光器件的瞬态特性等方面进行了详细研究，开发出了高效率纯红光有机电磷光发光器件，实现了高效率单层电磷光聚合物发光二极管，用稀土配合物做电磷光掺杂的母体在一定程度上解决了电磷光器件在高电流密度下快速退化问题，对有机电磷光器件的三重态一三重态湮灭和激子衰减动力学过程有了初步认识。（1）研究了几种新型红光铱配合物的电致发光性能：①开发出了以毗嗦为配体的铱配合物，发现其发光光谱（光致和电致）均比哇琳为配体的铱配合物有大幅度的红移，如此制备出了主峰在677nm，色坐标为（0.71，0.28）的深红色有机电磷光器件，器件的外量子效率达到了5.5％以上；②比较了以嗯哇和噬哇为配体的配合物的电致发光性能，发现在结构相近的情况下，电负性越强的原子导致发射光谱蓝移，而在配体上引入高电负性O原子在一定程度上提高了器件的电致发光性能。（2）在高效有机发光器件的制备和结构优化等方面开展的一系列工作得到了如下结论：①不同取代基团配体铱配合物依赖于掺杂浓度，通过优化器件可以获得最好的电致发光性能。②用旋涂方法，通过对电子和空穴注入和传输的调控制备出了高效率单层有机电磷光发光器件，最大发光效率达到了25.2cd／A，由于减少了电子和空穴在磷光分子的直接俘获，避免了空间电荷积累引起的空间电场问题，使器件的电致发光性能得到了显著地提高。③研究了用稀土试络合物作为主体材料，掺杂一种铱配合物的电磷光有机发光二极管的电致发光性能，发现在较高的电流密度下，器件的电致发光效率仍然保持较好的稳定性，有效地降低了三重态一三重态湮灭引起的退化问题。（3）我们用瞬态电致发光方法详细研究了电磷光有机发光器件的三重态一三重态湮灭和激子衰减动力学过程，确定了不同取代基团苯基噬哇铱配合物的三重态激子的寿命τ、三重态一三重态湮灭常数K和饱和电流以及它们与器件电致发光效率的关系，这方面的研究对澄清有机发光器件的工作原理和退化机制，进一步改善器件性能具有重要意义。

掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光

利用背散射／沟道（RBS／C）技术、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS／C结果表明，注入Pr后，在注入层引入了晶格损伤；注入样品经1050℃退火后，部分损伤得到恢复，但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明，注入Pr后，表面凹凸不平，而且在注入区引起了膨胀，膨胀幅度达到23．368nm左右。PL结果表明，在850—1050℃退火，发光强度按e指数增加；当退火温度达到1050℃，发光强度最强，经过数据拟合可得Pr^3＋的热激活能为5．8eV。

GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.