掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
利用背散射／沟道（RBS／C）技术、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS／C结果表明，注入Pr后，在注入层引入了晶格损伤；注入样品经1050℃退火后，部分损伤得到恢复，但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明，注入Pr后，表面凹凸不平，而且在注入区引起了膨胀，膨胀幅度达到23．368nm左右。PL结果表明，在850—1050℃退火，发光强度按e指数增加；当退火温度达到1050℃，发光强度最强，经过数据拟合可得Pr^3＋的热激活能为5．8eV。 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋淑芳;陈维德;张春光;卞留芳;许振嘉.掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光,发光学报,2005,26(4):513-516 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
