Low-temperature (10 K) infrared measurement of interstitial oxygen in heavily antimony-doped silicon via wafer thinning

A new technique is reported for the rapid determination of interstitial oxygen in heavily Sb-doped silicon. This technique includes wafer thinning and low-temperature 10 K infrared measurement on highly thinned wafers. The fine structure of the interstitial oxygen absorption band around 1136 cm(-1) is obtained. Our results show that this method efficiently reduces free-carrier absorption interference, allowing a high reliability of measurement, and can be used at resistivities down to 1 x 10(-2) Omega cm for heavily Sb-doped silicon.

CO_2-N_2-H_2O激光体系的振动弛豫过程速率数据

对于迄今关于CO_2-N_2-H_2O激光体系的振动弛豫过程的研究进行了综合评述,其中1968年以前的部分,以Taylor和Bitterman的评述为基础.将各过程的弛豫速率,用加权的最小二乘法整理成log_(10)K=A+BX+CX~2+DX~3形式的最佳拟合式,并给出了相应的系数值.用这些数据和基于本文结果而提出的三振型四(振动)温度弛豫模型,对气动激光器的小信号增益进行的数值计算,与实验吻合得很好,消除了由弛豫数据和驰豫模型的不准确带来的误差.

水稻小G蛋白Arf GTPase激活蛋白OsAGAP功能研究

　　锌指蛋白在植物生长发育中具有重要功能，它们可以识别并结合特定的DNA序列进行转录调控，还能够参与蛋白之间相互作用的调节。我们根据锌指蛋白等转录因子特征结构域的序列特点，从来自10 K水稻芯片的EST数据库中筛选出编码58个EST序列。通过对器官表达特异性的比较分析，从中选出七个只在单一器官表达的基因，并对这七个基因的功能进行研究。对其转基因水稻的表型分析发现，C1基因调节水稻的株高和穗的发育;LIM 家族的F9影响小花的形态，主要体现在雌蕊与雄蕊的发育;锌指蛋白S34调控叶倾角的变化;F14基因编码一个核定位的TFIIIA类锌指蛋白，具体功能尚不清楚;锌指蛋白F35转基因水稻主根缩短，侧根数目显著减少。它编码一个推测的ArfGAP (Arf GTPase activating protein)，据此我们将其命名为OsAGAP，并对其进行深入研究。 　　OsAGAP的cDNA全长为1328bp，编码的蛋白由320个氨基酸组成，含有两个保守结构域：锌指结构域和C2 结构域。其中锌指结构域属于CX2CX16CX2C类，即ArfGAP domain的特征结构。GTP酶活性测定试验表明，OsAGAP蛋白能够激活水稻Arf的GTP酶活性，另外，OsAGAP还能够恢复酵母ArfGAP缺失突变体的表型。说明OsAGAP编码的蛋白是水稻中的一个ArfGAP。 　　OsAGAP在水稻各器官中均有表达，但强弱有所不同。RNA原位杂交结果显示，它在茎尖分生组织与侧生原基及侧根部位表达强烈;它在根尖主要分布于中央维管组织、分生区、皮层细胞，最有趣的是恰好与生长素在根尖极性运输路径相吻合。在亚细胞水平，OsAGAP广泛分布于细胞膜、细胞质、细胞核。 　　OsAGAP超表达水稻主根、不定根长度缩短，侧根数目显著减少表现出类似于生长素极性运输突变体的表型。其主根伸长对TIBA的抑制作用不敏感，这暗示OsAGAP超表达水稻的生长素极性运输被破坏;另外，其对各种生长素的作用敏感性也发生变化，对IAA、2,4-D的不敏感，而对NAA的反应与野生型一致，根据各类生长素进出细胞机制不同，可以推测超表达水稻的输入能力存在缺陷。极性运输实验结果表明，超表达水稻极性运输能力被破坏;对生长素输入能力的测定进一步表明，超表达水稻根载体的介导的生长素输入能力显著下降。另外，NAA处理能够恢复超表达水稻中侧根发育受抑的表型缺陷。由此可见，OsAGAP在水稻中超表达破坏了生长素极性运输的输入能力。 　　FM1-43是一类特异标记囊泡运输的荧光染料。经其染色标记后，OsAGAP超表达水稻细胞内囊泡成片聚集，形成“BFA区间”，表现出囊泡运输被破坏的典型特征。透射电镜观察发现，超表达水稻细胞内有大量的小液泡，其中积累了电子密度很高的颗粒物质。由此推测，可能由于细胞的囊泡运输被破坏，导致胞内的代谢物质不能被正常运送或分泌，而在液泡中暂时贮存以维持细胞环境的稳定。 　　在酵母和动物细胞中的研究表明， ArfGAP是调控囊泡运输的一个重要因子，然而目前还没有关于ArfGAP在植物细胞中生理作用的报道。我们的结果说明，OsAGAP作为的一个ArfGAP，它通过调控水稻中的囊泡运输，而影响了生长素的极性运输，具体表现在对生长素输入能力的调控。由此，我们推测ArfGAP可能在生长素的极性运输中也起着重要的调控作用。 　　但OsAGAP在拟南芥中却通过调控植株生长素的水平，而影响了转基因拟南芥根的发育。每种生物都有多个ArfGAP，它们之间的分工存在联系，但各不相同。OsAGAP是拟南芥的外源基因，它在拟南芥中可能以不同于水稻的机制起作用。

北京山区荆条灌丛生态系统研究--群落学，生物量，元素循环及稳定性特征

本文对北京怀柔汤河口、北京云蒙山、西山以及河北省石家庄地区元氏县的荆条灌丛的群落学特征及其生物量进行了较为详细的研究，并着重研究了汤河口、云蒙山、西山三个亲地的荆条群落的地球化学特征和元素循环特征，对西山的荆条群落中荆条叶片枯落物的分解过程进行了详细的比较研究，最后，对汤河口和西山的两个荆条灌丛的相对稳定性进行了探讨，并和昭田真的演替度进行了比较，期望对荆条灌丛的现况有个较全面和深入的了解，为合理的改造利用广阔的华北落叶灌丛提供理论依据。 本研究设置了四个样地。样地1在北京市怀柔县汤河口乡，样地2在汤河口以南40公里的云蒙山林场，下设两个小样地2a和2b，分别经过8年和3年的封山保护。样地3在北京海淀区的西山上，样地4位于河北省元氏县。四个样地的地理位置，地形、立地条件及所受的人为干扰的程度各不相同。DCA分析对样地的排序图中从左到右样地的顺序为样地2b，2a，样地3，样地1，样地4。 6个样地的荆条滋丛中计有高等植物49种，分属24科47属。其中样地1 8科14种,样地2a 15科24种，样地2b 13科18种，样地3 9科14种，样地4a 11科18种，样地4b 7科11种。以禾本科植物最多（8种），菊科植物6种次之，蔷薇科植物4种，居第三。6个样地中常见植物种（存在度60%以上）有11个，较1965年调查时的常见种数（16种）显著减少。 生活型谱分析表明样地1和2a的生活型谱介于热带和温带类型之间。样地2b的生活型谱是较典型的温带类型，样地3则较偏向荒漠类型;样地4a和4b的生活型谱则较偏向热带和荒漠的类型。 植物区系分析表明，样地2b带有最明显的中生性，而样地4a因含有最多的热带和亚热带分布种而最为干燥。样地依干燥度增加的顺序为2b，2a3，1，4b，4a。这个顺序恰好和DCA对样地的排序结果完全吻合，同时，它还是温度升高的梯度。 荆条灌丛中荆条地上部生物量，以样地2a和2b为最高，分别为3571,9和3285.8公斤／公顷，其次为样地3，达2445.7公斤／公顷，余下的顺序为样地1，样地4a和4b。这个顺序和DCA与样地的排序结果一致，即荆条地上部生物量随着样地干燥程度的增加和温度的增加而减少。相关分析表明，热量（年日照时数）是控制荆条生长的最主要因素，且荆条的生长受土壤中砾石的很大的制约。 荆条灌丛中荆条之外的其它植物种类，作为一个组分，其地上部生物量除样地1外，和荆条地上部生物量的大小顺序一致，这些植物地上部生物量随人为干扰程度的增强而极显著的减少，且随海拔高度的增加而极显著的增加，说明这些植物较适于生长在海拔较高的地区，且它们随人为干扰的能力很弱。 荆条灌丛群落地上部总生物量，作为上述两个组分的综合，较多的受灌丛中其它植物地上部生物量的影响，而且与海拔高度呈现显著的相关性。群落地上部总生物量与年蒸发量、无霜期、人为干扰程度均表现极显著的负相关，与≥10'C的年积温也显著的负相关。这些特点，都表明荆条灌丛一个总趋势，即较低的温低更适合该群落的生长。 荆条地下部生物量在样地l达9641.8公斤，公顷顾(1986) 和l0996.6公斤／公顷(1987)，其中各有51.1%和28.90%是根球的生物量，在样地3则1988年为2306.1公斤/公顷，l989年增至5442.2公斤/公顷，两个样地中，地下部生物量为枝条生物量的6.29和5.44倍（样地1）,以及2．10和1.23倍《样地3），根枝比的分析表明样地1年龄大于样地3，且样地1比样地3．干燥，荆条的根枝比大于其它灌术种类的根枝比，这是荆条对砍伐的适应．就象灌丛栎(根枝比6.23)对火灾的适应一样。 样地1荆条灌丛的总生物量，1986年为13.44吨／公顷，87年为l6.4吨／公顷，增加了22.2%，群落年净第一性生产量为3.96吨／公顷•年。在群落总生物量中，荆条的生物量占绝大部分，分别达90.4%和86.3%，而在群落年净第一性生产量中，荆条的贡献达3.00吨／公顷•年，占75.8%。 样地3的总生物量88年为9.90砘／公顷．89年猛增至21.17砘／公顷，增加了113.9%，群落年净第一性生产量为12.62砘／公顷•年，是样地1的3.19倍。群落总生物量中，荆条所占的比例在1988年为48.0%，89年增大为58.5%，和样地1的变化趋势相反，表明两个样地的荆条灌丛处于不同的发育阶段。在群落的年净第一性生产量中，荆条的贡献和样地1相似，达71.1%。 和不同类型的灌丛地上部生物量比较的结果表明荆条灌丛小于同地区的落叶灌丛(绒毛绣线菊、荆条、蚂蚱腿子灌丛)，更小于同地区的乔木树种的萌生灌丛如辽东栎萌生丛．以及其他地区的矮针叶树栎灌丛，群落总生物量的比较结果也表明荆条灌丛的生物量还有很大的发展潜力。 荆条灌丛地上部生产量已经超过一些成熟乔木种类的林地的生产量，且荆条灌丛中生长最快的群落（样地3）的地上部生产量已接近一些乔木种类的幼龄林地的生产量说明荆条灌丛有较高的生长速度。 生物量累积比作为植物或群落衰老程度的指标，说明荆条灌丛较之其它原生灌丛还是较”年轻”的，样地1的生物量累积比较大，是该群落遭受频繁砍伐的反映。 由荆条灌丛立地的潜在生产量的分析可知样地1的荆条灌丛离其”成熟类型”的生产量还差距很大，而样地3的生产量正接近其”成熟类型”。结合前面的分析，可以推测在人类活动频繁和强度的干扰下，样地l的荆条灌丛没有继续向其成熟类型发育，而在中途衰退了。 西山荆条灌丛中，在代谢活动较旺盛的部位，N和K的含量较高，Hg，P和Zn也表现相似的倾向，A1和Fe则表现了相反的趋势，即代谢活动较强的部位，含量较低。Mn，Ca和Ha则是介于中问的一种类型。比较各组分中元素的含量值，Mg是较均匀的类型，其余元素在不同组分间含量的差异都较悬殊。西山荆条灌丛中，Mn,Mn, Mg，Ca，AI五个元素都以土壤中的含量为最高，N的含量则以上壤为最低，而植物组分中 K的含量一直保持较高的水平。 多数元素在荆条根球中的含量最低，包括Fe，Hn，Zn，（Ca，P和AI。随着年龄的增大，各组分中K的含量有增加的趋势（其增加量大于其它元素的增加量），在西山荆条灌从中，植物组分以及及土壤里各元素除p外，其含量均与两个以上元素的含量呈显著相关性（图11）．而P的含量只与N的含量具极显著相关性，，在植物组分中，灰分含量与Fe，Mn，Ca，P，AI的含量均具极显著的相关性。荆条内部各组分的元寨岔登之间全部晕缀显著相关，而绝大部分植物组分中元素含量与土壤中相应元素的含量值无相关性。 植物组分中，其它植物地上部，其它植物地下部和羽叶是元素积累量最大的三个组分。荆枝中的Ca和Ha，荆根球和荆根中的Zn和Mg以及荆根中的Al，它们的含量与其积累量之间具有较明显的补偿现象，即它们的积累量并不随生物量的增减而发生显著的变化。 西山荆条灌丛中荆条和其它植物对10种元素的吸收总量基本相等。在荆条的总吸收量中，K，N，Ca的吸收量占88.5％，其余7种元素的吸收量只占11.5%。在其它植物中，则以Ca，N和Al的吸收量占多数，达73.9%。在荆条和其它植物中，K和Al的吸收可能存在着拮抗关系。 西山荆条灌丛中荆条对K的吸收量最大，但对Mn的利用系数最大。10种元素中最大和最小吸收量之间在荆条中相差339倍（K和Zn之间），但荆条对各元素的利用系数却相差不多，平均为0.775±0.09。其它植物对10种元素的利用系数较荆条稍高，平均为0.826±0.07，整个西山荆条灌丛群落对元素的利用系数以Mn为最高，Na为最低。 若以土壤中元素的垒量的贮量计算，荆条对N的吸收系数最大，Al最小。若以土壤中元素的有效含量（可溶性或可代换性量）汁，则荆条的吸收系数以Al最大，Ca最小 （表21）。土壤元素（全量）的周转时间，Al最长，达2603.2年，多数元素在450-600年 之间，只有N，P，K三个元素的周转时间最短，分别只有35.4，151.9，和109.l年。 西山荆条灌丛中荆条以凋落物形式归还土壤的元素量在其吸收量中所占的比例（归 还率），Zn (26.5%)，Mg (36.1％)，Ca (36.1%)，P(21.3%)和N(25.0％)属较高的类型， Al (13.5%)，Na（14.6％）和K（13.1％）居中，Mn (8.5%)和Fe(8.0%)最低。灌丛群落中 元素的归还率除Mn最小（12.1％）外，其余在21.3%-37.9％之间。 西山荆条灌丛中，荆条和其它植物所吸收的元素量在群落总吸收量中所占的比例， 各元素之间显著不同，均匀的类型有N，Zn，Mg和Na，即荆条和其它植物的吸收量相当。 K是唯一以荆条的吸收量占优势的元素，荆条吸收的K占群落总吸收量的80.7%。其余 元素，Mn，P，Al，Fe和Ca均是其它植物的吸收量显著大于荆条的吸收量（表22，图45）。 荆条所吸收的无素量，在其内部各组分中的分配（存留）格局，普遍规律是将绝大 部分用于其叶片的生长（或存留于叶片）中．Mn是唯一例外的元素，荆条将其吸收量的 最大部分存留于其枝条中。其余9个元素．荆条对其叶片存留后剩下的那部分元素量的 分配方式可以区分出三种类型：将剩余部分中的多数存留于其枝条的元素有AI，Fe，Zn， Mg;将剩余部分中的多数存留于其地下部的元素有P,Na， 和Ca;而K和N则属于中间 的类型，即用于叶片后的剩余的K和N在荆枝和荆条地下部（根球和艉）中较均匀的分配 （表22，图46）． 西山荆条灌丛中元素循环的强度和速度都显著大于汤河口荆条灌丛，两个样地的元 素循环特征的最显著差异是汤河口荆条灌丛中荆条将其吸收的元素量中的最大部分存留 于其地下部，和西山样地完全相反，这可能是两个样地荆条灌丛元素循环特征的最本质 的区别。其原因，可能是汤河口样地中荆条对其地上部遭受频繁砍伐的一种适应方式， 也可能是汤河口荆条滋丛衰老的反映。 西山灌丛中荆条落叶分解过程中其失重率曲线呈双S形，其失重率最大增长速度出现在第166-299天之间。经过539天的分解作用，荆条枯落叶损失了其于重的53.3%，其中分解期（千重损失50％所用时间）为514.1天。 与干重失重率相对应，荆条枯落叶的平均腐解率的最高值出现在299和364天，而区 间腐解率的最大值则出现在第66—227天和第227 - 299天之间，比平均腐解率的最高值 出现的早，这与其总失重率曲线是非常吻合的，因为第166 - 227天及第227 - 299天之间 的高腐解率导致了其后高失重率的出现。 平均腐解率与平均气温之间具显著相关性(P<0.0S)，而与平均降水量只在90%置信区间内有相关性，区间腐解率也只在90%置信区内与平均气温有相关性。 以平均腐解率计算，荆条枯落叶干重的95%被分解所需的时间为6.37年，比同一地区的侧柏、元宝槭、黄栌、山杏、刺槐，油讼和栓皮栎短，说明荆条叶片枯落物的分解速率是较快的。 荆条枯落叶分解过程中的失重主要由于有机物被分解引起的，且有机C，可溶性糖 和粗纤维的分解决定了失重率变化的总趋势。 各有机物含量程分解过程中的变化各不相同。就浓度而言，以可溶性糖的浓度降低 速度最快，丹宁的浓度也显著的下降，粗脂肪和有机C浓度属于平缓下降的类型，而木 质素和粗纤维属另一极端的类型，其浓度持续升高。各有机物在枯落叶中的总量以不同 的速率减少。经过539天的分解作用，各有机物的损失率大小的顺序为可溶性糖(97.90%）>丹宁(95. 92%）>粗脂肪(70.83%)>有机C(61.59%)>粗纤维(37.36%)>木质素( 31,97%)。此外，不同的有机物的含量以不同的规律变化，其中可溶性糖和木质素在第105天内即被大量的分解而损失（分别损失63.66%和19.67%）。丹宁和有机C的损失率的变化是较际准的S形曲线，粗纤维的损失率变化曲线为右抛物线的上半部，而粗脂肪类似S形曲线，但最不规则． 荆条枯落叶分解过程中矿质元素浓度和含董的变化很不规则。灰分含量作为大部分矿质元素含量的总和，其浓度在分解过程中稳定升高，而其总量则持续下降，所研究的10种矿质元素的浓度和总量的变化很不一致，在浓度变化方面，K是星下降趋势的唯一元素，其余元素（包括N，Ca，Na，Mg，P，Fe，Zn，Mn和Al）的浓度均随分解过程呈升高的趋势。从元素的总量方面可以区别出两种类型：即N，Ca，Na，K，P5个元素属于减少的类型，而Fe，Mn，Zn，Mg和Al的总量则有所增加。 西山和汤河口两个样地的荆条灌丛都是渐近稳定的，且离其稳定态尚有一定距离,相对稳定性指数没有显示两个样地的稳定性具有显著的差异。 西山荆条灌丛的演替度大于汤河口灌丛，这和它们所受的人为干扰的强度的差异有紧密联系。

Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation

The structural and magnetic properties of Cu+ ions-implanted GaN films have been reported. Eighty kilo-electron-volt Cu+ ions were implanted into n-type GaN film at room temperature with fluences ranging from 1 x 10(16) to 8 x 10(16) cm(-2) and subsequently annealed at 800 degrees C for 1 h in N-2 ambient. PIXE was employed to determine the Cu-implanted content. The magnetic property was measured by the Quantum Design MPMS SQUID magnetometer. No secondary phases or clusters were detected within the sensitivity of XRD. Raman spectrum measurement showed that the Cu ions incorporated into the crystal lattice positions of GaN through substitution of Ga atoms. Apparent ferromagnetic hysteresis loops measured at 10 K were presented. The experimental result showed that the ferromagnetic signal strongly increased with Cu-implanted fluence from 1 x 10(16) to 8 x 10(16) cm(-2).

Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well

We have investigated the exciton spin relaxation in a GaInNAs/GaAs quantum well. The recombination from free and localized excitons is resolved on the basis of an analysis of the photoluminescence characteristics. The free exciton spin relaxation time is measured to be 192 ps at 10 K, while the localized exciton spin relaxation time is one order of magnitude longer than that of the free exciton. The dependence of the free exciton spin relaxation time on the temperature above 50 K suggests that both the D'yakonov-Perel' and the Elliot-Yafet effects dominate the spin relaxation process. The temperature independence below 50 K is considered to be due to the spin exchange interaction. The ultralong spin relaxation time of the localized excitons is explained to be due to the influence of nonradiative deep centers. (c) 2008 American Institute of Physics.

InAs/GaSb superlattices for photodetection in short wavelength infrared range

The first report of a short wavelength infrared detector based on type II InAs/GaSb superlattices is presented. Very short period superlattices containing InAs (2ML)/GaSb (8ML) superlattices (SLs) were grown by molecular-beam epitaxy on GaSb substrates. The photoluminescence showed a cut-off wavelength at 2.1 mu m at 10 K and 2.6 mu m at 300 K. Room-temperature optical transmittance spectra shows obvious absorption in InAs (2ML)/GaSb (8ML) SL in the range of 450-680 meV, i.e. 1.8-2.7 mu m. The cut-off wavelength moved from 2.3 mu m to 2.6 mu m with temperature rising from 77 K to 300 K in photoresponse spectra. The blackbody response R-v exponentially decreased as a function of 1/T in two temperature sections (130-200 K and 230-300 K). The blackbody detectivity D-bb(center dot) was beyond 1 x 10(8) cmHz(1/2)/W at room temperature. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures

Tunneling magnetoresistance (TMR) in Ga(0.9)2Mn(0.08)As/Al-O/Co40Fe40B20 trilayer hybrid structure as a function of temperature from 10 to 50 K with magnetic field vertical bar H vertical bar <= 2000 Oe has been studied. TMR ratio of 1.6% at low fields at 10 K was achieved with the applied current of 1 mu A. The behavior of junction resistance was well explained by the tunneling resistance across the barrier. Strong bias dependences of magnetoresistance and junction resistance were presented. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI 10.1063/1.3068418]

Room-temperature ferromagnetism and in-plane magnetic anisotropy characteristics of nonpolar GaN:Mn films

Diluted magnetic nonpolar GaN Mn films have been fabricated by implanting Mn ions into nonpolar aplane (1 1 (2) over bar 0) p-type GaN films and a subsequent rapid thermal annealing process. The ferromagnetism properties of the films were studied by means of superconducting quantum interference device (SQUID). Clearly in-plane magnetic anisotropy characteristics of the sample at 10 K were revealed with the direction of the applied magnetic field rotating along the in-plane [0 0 0 1]-axis. Moreover, obvious ferromagnetic properties of the sample up to 350 K were detected by means of the temperature-dependent SQUID. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs

We have fabricated a set of samples of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As clusters embedded in GaAs matrices by annealing (Ga,Mn)As films with different nominal Mn content at 650 degrees C. For the samples with Mn content no more than 4.5%, the Curie temperature reaches nearly 360 K. However, when Mn content is higher than 5.4%, the samples exhibit a spin-glass-like behavior. We suggest that these different magnetic properties are caused by the competing result of dipolar and Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida interaction among clusters. The low-temperature spin dynamic behavior, especially the relaxation effect, shows the extreme creeping effect which is reflected by the time constant tau of similar to 10(11) s at 10 K. We explain this phenomenon by the hierarchical model based on the mean-field approach. We also explain the memory effect by the relationship between the correlation function and the susceptibility.

Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As

We report the influence of growth parameters and post-growth annealing on the structural characterizations and magnetic properties of (Ga, Cr)As films. The crystalline quality and magnetic properties are sensitive to the growth conditions. The single-phase (Ga, Cr)As film with the Curie temperature of 10 K is synthesized at growth temperature T-s = 250 degrees C and with nominal Cr content x = 0.016. However, for the films with x > 0.02, the aggregation of Cr atoms is strongly enhanced as both T. and x increase, which not only brings strong compressive strain in the epilayer, but also roughens the surface. The origin of room-temperature ferromagnetism in (Ga, Cr)As films with nanoclusters is also discussed.

Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer

We report the photoluminescence (PL) and structural properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by In0.2Al0.8As and In0.2Ga0.8As combination strain-reducing layer (SRL). By introducing a thin InAlAs layer, the ground state emission wavelength redshifts, and the energy splitting between the ground and first-excited states increases to 85 meV at 10 K. The energy splitting further increases to 92 meV and the temperature dependence of full width at half maximum (FWHM) changes for QDs with different SRL after the multi-stacking. These results are attributed to the fact that the combination layer has different effects on QDs compared to the InGaAs SRL.

Structural, photoluminescence, and field emission properties of vertically well-aligned ZnO nanorod arrays

The self-assembled growth of vertically well-aligned ZnO nanorod arrays with uniform length and diameter on Si substrate has been demonstrated via thermal evaporation and vapor-phase transport. The structural, photoluminescence (PL), and field emission properties of the as-prepared nanorod arrays were investigated. The PL spectrum at 10 K shows a strong and sharp near-band gap emission (NBE) peak ( full width at half-maximum (FWHM) = 4.7 meV) and a weak neglectable deep-level emission (DL) peak (I-NBE/I-DL= 220), which implies its good crystallinity and high optical quality. The room-temperature NBE peak was deduced to the composition of free exciton and its first-order replicas emissions by temperature-dependent PL spectra. The field emission measurements indicate that, with a vacuum gap of 400 Am, the turn-on field and threshold field is as low as 2.3 and 4.2 V/mu m. The field enhancement factor beta and vacuum gap d follows a universal equation.

A novel implantable multichannel silicon-based microelectrode

Silicon-based microelectrodes have been confirmed to be helpful in neural prostheses. The fabricated 7-channel silicon-based microelectrode was feasible to be implanted into the brain cortex. The manufacturing process by microelectromechanical system (MEMS) technology was detailed with four photolithographic masks. The microscopic photographs and SEM images indicated that the probe shank was 3mm long, 100 mu m wide and 20 mu m thick with the recording sites spaced 120 mu m apart for good signal isolation. To facilitate the insertion and minimize the trauma, the microelectrode is narrowed down gradually near the tip with the tip taper angle of 6 degrees. Curve of the single recording site impedance versus frequency was shown by test in vitro and the impedance declined from 150.5 k Omega to 6.0 k Omega with frequency changing from 10 k to 10MHz.