长江流域的鱼类资源及其保护对策

长江水系的鱼类约有300种,其中鲤科鱼类占半数以上,主要的经济鱼类多数属于鲤科。对不同江段的鱼类资源作了简介,并提出了相应的保护措施。上游江段以维护生物多样性,保护特有种为主,需要建立鱼类自然保护区;中游应保证主要经济鱼类的自然繁殖条件,加强珍稀鱼类的人工繁殖放流工作,同时对湖泊幼鱼资源进行保护;下游应注意保持江水质量,严格遵守工业废水排放标准;河口江段应规定幼鲟保护期,建议每年6月15日至7月31日停止一切损害幼鲟资源的渔捞作业。

保安湖浮游物和颗粒有机碎屑现存量及季节变动与渔业生产

1987年3月至1988年3月对保安湖所属大湖和桥墩湖浮游物和颗粒有机碎屑现存量作了测定。浮游物平均干重、无灰干重和颗粒有机碎屑量大湖分别为337.6、127.7和96.9t;桥墩湖分别为100.5、50.3和40.2t。浮游物和颗粒有机碎屑现存量具有明显的季节变动。黄丝草、聚草和苦草的碎屑分解对浮游物的形成起着重要的作用。用浮游物碳量估算鲢鳙鱼产潜力大湖为12.3kg/亩;桥墩湖为11kg/亩。

鄂西地区裸藻的新种类

<正> 本文报道的是1981年5—6月在鄂西地区(包括五峰、宜都、宜昌、当阳、兴山及神农架林区)采集到的裸藻门植物5个新种,7个新变种和3个新变型。1.阿洛格裸藻头状变种(新变型) (图1:a—e)Euglena allorgii var.capitata shi, var. nov.

寄生于蚊类的罗索线虫属一新种:武昌罗索线虫

本文记述了采于武汉市武昌区寄生于三带喙库蚊孑孓的罗索线虫一新种,命名为武昌罗索线虫(Romanomermis wuchangensis sp.nov.)其鉴别特征是:体细长;角皮较厚;6个头乳突在同一平面上排列为一圈;食道极细长而多折曲,其末端终止于接近尾端处。阴道呈梨形而阴道管明显弯曲。体长与交合刺长度的比率为35.7。已发现的自然宿主为三带喙库蚊、致乏库蚊等6种库蚊。

图们江污染对鱼类毒性影响的研究

为评价水污染对鱼类毒性影响和制订图们江渔业水质标准,于1977年8—11月和1979年6—7月在室内进行废水对鱼类急性和亚急性毒性试验,在野外进行鱼类胚胎和幼鱼的现场监测。同时,对鱼类区系分布、渔业资源和鱼体残毒分别作了调查和测定。 结果表明:上游铁矿废水破坏鱼类产卵场,减少鱼类食料生物种群;中游纸浆废水影响鱼类存活和回游;下游化工废水使鱼有异味,影响食用。 纸浆废水是主要污染源之一,对马苏大麻哈幼鱼96hr半致死浓度为5.6—11%。亚急性毒性以血液指标最为敏感,阈反应值为0.32%。引起鱼回避反应和对

一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法

本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法

一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

1.6-1.7 mu m highly strained InGaAs/InGaAsP distributed feedback lasers was grown and fabricated by low pressure mentalorganic chemical vapor deposition. High quality highly strained InGaAs/InP materials were obtained by using strain buffer layer. Four pairs of highly strained quantum wells were used in the devices and carrier blocking layer was used to improve the temperature characteristics of the devices. The uncoated 1.66 mu m and 1.74 mu m lasers with ridge wave guide 3 mu m wide have low threshold current (< 15mA) and high output power (> 14mW at 100mA). In the temperature range from 10 degrees C to 40 degrees C, the characteristic temperature T-0 of the 1.74 mu m laser is 57K, which is comparable to that of the 1.55 mu m-wavelength InGaAsP/InP-DFB laser.

Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature

Quantum cascade (QC) lasers based on strain-compensated InxGa(1-x)As/InyAl(1-y)As grown on InP substrate using molecular beam epitaxy is reported. The epitaxial quality is demonstrated by the abundant narrow satellite peaks of double-crystal X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy of the QC laser wafer. Laser action in quasi-continuous wave operation is achieved at lambda approximate to 3.6-3.7 mum at room temperature (34 degreesC) for 20 mum x 1.6 mm devices, with peak output powers of similar to 10.6mW and threshold current density of 2.7kA/cm(2) at this temperature. (C) 2000 Published by Elsevier Science B.V.

The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition

Cubic GaN(c-GaN) films are grown on GaAs(001) substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Two GaN samples were grown with different buffer layer, the deposition time of each was 1 and 3 min, respectively. 4-circle X-ray double crystal diffraction (XRDCD) was used to study the secondary crystallographic phases presented in the c-GaN films. The phase composition of the epilayers was determined by X-ray reciprocal space mapping. The intensities of the c-GaN(002) and h-GaN(10 (1) over bar 1) planes detected in the mapping were investigated by omega scans. The content of the hexagonal phase inclusions in the c-GaN films was calculated to about 1.6 and 7.9%, respectively. The thicker buffer layer is not preferable for growing high quality pure c-GaN films. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers

Self-organized InGaAs/GaAs quantum dots (QDs) stacked multilayers have been prepared by solid source molecular beam epitaxy. Cross-sectional transmission electron microscopy shows that the InGaAs QDs are nearly perfectly vertically aligned in the growth direction [100]. The filtering effect on the QDs distribution is found to be the dominant mechanism leading to vertical alignment and a highly uniform size distribution. Moreover, we observe a distinct infrared absorption from the sample in the range of 8.6-10.7 mu m. This indicates the potential of QDs multilayer structure for use as infrared photodetector.

半导体光电子技术

本书是“高新技术科普丛书”之一。作为信息领域的核心技术，半导体光电子技术在光通信、光盘存储、光纤传感、激光加工以及医疗、军事等方面有着重要的应用，它的发展将直接影响世界经济的进展和人类生活水平的提高。全书共11章，第1章介绍半导体光电子技术的由来和发展趋势；第2、3章重点介绍半导体光电子材料和器件工作原理；第4章到第9章介绍半导体激光器、探测器、光波导器件、光电子集成的结构和特性以及外延生长、微细加工等制造技术，同时介绍了CCD、太阳能电池等器件；最后两章介绍半导体光电子技术的应用。

半导体辐射探测器

本书全面讲解了半导体辐射探测器的工作原理、器件结构、信号读出电子学、器件稳定性用辐射加固等内容。全书共分12章，内容包括：半导体物理、基本半导体结构、能量及辐射水平测量的探测器、位置及能量测量的探测器、探测器及其电子电路的集成、带有本征放大的探测器、探测器工艺、器件稳定性及加固、器件模拟等。 本书适合于半导体器件专业的科技人员及应用半导体辐射探测器的工程技术人员阅读，也可供相应专业的大学生及研究生作为教学参考书。

纳米半导体技术

本书介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位的同时，主要介绍了纳米半导体材料制备的方法和共性关键技术，几种常用的纳米半导体材料的评价技术和应变自组装半导体量子点(线)的尺寸、密度分布、形貌、组分及结构特性的实验研究，纳米半导体材料的电子结构、光学和电学性质，基于子带跃迁的量子级联激光器的工作原理、特性和它的发展现状及其应用前景分析，最后重点介绍了纳米半导体器件及应用。本书适合于从事或对纳米半导体科学技术有兴趣的科研工作者、教师、研究生、本科生和工程技术人员阅读，有些章节可作为科普读物。

中国材料工程大典—信息功能材料工程

本书是《中国材料工程大典》中的卷目之一。 信息功能材料是信息科学技术和信息产业发展的基础和先导。21世纪将是以信息产业为核心的知识经济时代，对信息技术和信息资源的竞争将更加激烈。我国电子信息行业2004年完成产品销售收入达26500亿元，多年来已居外贸出口首位，并继续以高出工业发展速度10％的速度发展，已成为世界信息产业大国。加快由信息产业大国向信息产业强国迈进的步伐，是我们广大从事信息技术，特别是信息功能材料工作者义不容辞的责任。希望《中国材料工程大典》中《信息功能材料工程》卷的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。 《信息功能材料工程》分上、中、下卷，共设20篇，约600万字。它涉及到信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，是目前我国该领域比较完整的专业工具书。参加这部书编写的有中科院、高校和部分企业的专家教授近200名。参加编写的主要单位有中科院半导体研究所、中科院物理研究所、中科院微电子研究所、中科院上海精密光学机械研究所、中科院上海红外技术物理研究所、中科院长春应用化学研究所、中科院合肥固体物理所、南京大学、清华大学、西安理工大学、北京有色金属研究总院、武汉邮电科学研究院等。历时近3年完稿。由王占国、陈立泉、屠海令任主编并统稿。 本卷各篇不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、最新进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、先进性和权威性。本书适合于从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用，也可供有关师生参考。