生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
|---|---|
| Data(s) |
12/08/2010
|
| Resumo |
一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3594.pdf: 355766 bytes, checksum: 4e5532d9e7f9b3654b14662b983a2380 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
占 荣;惠 峰;赵有文 ,生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法,CN200810114794.9 ,2008-06-11 |
| Tipo |
专利 |
