基于实时数据库的卫星测试平台的设计与实现

卫星测试数据的有效存储与展现对卫星测试有着重要的意义,同时随着卫星技术的发展,一颗卫星的多阶段测试,多颗卫星同时测试是不可避免的。而及时有效的处理测试产生大量的实时数据将是极大的挑战。设计并实现了基于实时数据库的分布式卫星测试平台,可以有效地管理多颗卫星的测试,同时结合ACE框架的通讯结构可以有效的对测试间内外的测试人员提供实时的数据监视与精确的历史查询统计。

复杂地形下岸式波能装置的水动力学计算

本文从线性势流理论出发，用格林函数法对带前港的岸式波能装置(下简称岸式装置)作三维水动力分析，分析时考虑了岸式装置附近的复杂地形的影响。计算结果表明，复杂地形的影响是相当大的，不可忽略。

染料激光器混合染料体系的研究

分子间的能量转移是当今光化学、光生物学和光物理学中的一个重要课题，长期以来一直受到人们的广泛关注。六十年代染料激光器出现以后，人们很快就将这一原理应用研究染料激光器的工作物质。选择适当的混合染料溶液作为染料激光器的工作物质，可以提高某些染料的激光输出能量或扩展激光波长覆盖范围，这已成为分子间能量转移的一个新的应用领域。本文首先阐述分子间能量转移的基本理论并对混合染料体系的选择及其研究进行了文献综述。另外，对研究过程中，他人工作改采用的实验手段也进行了概述，特别对荧光寿命的测量讨论得较为仔细。实验中我们着重研究了R6G/Red B、R6G/NB两个二元体系和C440/C540/Saf.~(-1)、C440/Fl.Na/Saf.~(-1)以及R6G/Red B/Ox725三个三元混合染料体系。实验方法主要通过测量混合染料溶液的荧光光谱、荧光寿命和激光输出性能。激发源波长始终固定在337.1nm。荧光光谱和荧光寿命多是在英国Applied Photophysics公司生产的SP-70型纳秒荧光分光光度计上测量的。这套仪器的设置从激发、探测以至最后的数据处理（微机处理）都达到较高的灵敏度和精确度。更为主要的是采用了时间相关单光子计数技术这一新的测量方法，真有较高的时间分辨本领，为染料分子的短寿命测量提供了重复性极好的可靠数据。并且由于这套仪器的信噪比大，能够测出高浓度溶液情况下的荧光光谱，而一般地荧光光谱仪却很难探测。激光调谐范围的测量是在QJD-9型染料激光器上进行的，光路结构安排合理，各项技术指标都达到了较高水平。激光强度的测量是采用了通用的光路结构测量混合染料溶液的超辐射模式的激光输出。下面是我们的实验结果。1.R6G/Red B、R6G/NB二元混合染料体系。通过测量R6G/Red B混合染料溶液的荧光光谱，了解到给体R6G有较强的能量转移给受体Red B。又通过荧光寿命的测量，表明溶液浓度达到～10~(-3) mol.L~(-1)时，分子间的能量转移主要是共振转移，且符合Stern-Volmer关系。由此我们进行了一定量讨论，计算了不同浓度溶液中给体与受体分子间的平均距离R。激光性能的测量表明这一体系具有较大的激光强度输出，且通过改变给体、受体浓度可扩展调谐范围。对于R6G/NB，我们做了类似的研究。但与R6G/Red B不同的是，R6G/NB始终是双峰。激光性能测量表明此体系可以扩展调谐范围，且可改善NB的激光输出，降低泵浦阈值。2.C440/C540/Saf.-T、C440/Fl.Na/Saf.-T及R6G/Red B/Ox725三元体系。C440/C540/Saf.-T混合染料溶液的荧光光谱研究表明，三种染料分子之间有较强的能量转移发生，且与溶液浓度配比适当时，可以同时获得三个不同波段处的荧光发射，从而可望扩展波长调谐范围。见图1。对于C440/Fl.Na/Saf.-T混合溶液，我们主要是采用光谱手段，对能量转移过程做了研究。结果表明C440/Fl.Na之间以辐射转移为主要机制，Fl.Na/Saf.-T之间在波度稍大时，发生共振转移的可能性较强。另外对能量转移过程进行了一些定量的讨论。计算求得C440/Fl.Na的临距离R_o = 47.5A，小于Fl.Na/Saf.-T的临界距离R_o = 59.0A，因而后者发生共振转移的可能性较大。R6G/Red B/Ox725体系与前两体系相比是向长波长方向扩展了。激光性能的测量表明，此体系可以作为染料激光器的工作物质。实验结果还表明三种染料混合以后的激光性能比Red B/Ox725二组份混合的效果好得多。R6G/Red B/Ox725的超辐射是图2所示。

STUDIES OF THE PROMISING MATERIAL COSI2 ON GAAS SUBSTRATES

The thermal stability of CoSi2 thin films on GaAs substrates has been studied using a variety of techniques. The CoSi2 thin films were formed by depositing Co(500 angstrom) and Si(1800 angstrom) layers on GaAs substrates by electron-beam evaporation followed by annealing processes, where the Si inter-layer was used as a diffusion/reaction barrier at the interface. The resistivity of CoSi2 thin films formed is about 30 muOMEGA cm. The Schottky barrier height of CoSi2/n-GaAs is 0.76 eV and the ideality factor is 1.14 after annealing at 750-degrees-C for 30 min. The CoSi2/GaAs interface is determined to be thermally stable and the thin film morphologically uniform on GaAs after 900-degrees-C/30 s anneal. The CoSi2 thin films fulfill the requirements in GaAs self-aligned gate technology.

Electron diffraction and photoemission studies of clean and water-covered Si(5,5,12) and Si(112) surfaces

The structure of silicon surfaces in the orientation range (113)-(5,5,12)-(337)-(112) has been investigated using high resolution LEED and photoemission both on a spherical and on flat samples. We find that Si(5,5,12) [5.3 degrees from (113) and 0.7 degrees from (937)] is the only stable orientation between (113) and (111) and confirm the result of Baski et al. [Science 269, 1556 (1995)] that it has a 2 x 1 superstructure with a very large unit cell of 7.68 x 53.5 Angstrom(2). Adsorption measurements of water on Si(5,5,12) yield a mobile precursor kinetics with two kinds of regions saturating at 0.25 and 0.15 ML which are related to adsorption on different sites. Using these results, a modified structure model is proposed. Surfaces between (113) and (5,5,12) separate into facets of these two orientations; between (5,5,12) and (112), they separate into (5,5,12) and (111) facets. (337) facets in this range may be considered as defective (5,5,12) facets.

以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜

采用化学气相沉积（CVD）方法在Si（001）衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积（PVD）设备中蒸发，厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射（XRD）研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量，有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶，但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征，金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光（PL）谱研究了ZnO薄膜的光学性质，并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因。

光通信用10Gbit／s Transponder的设计

本文分析了在高速光模块设计中介质损耗和微带结构对信号的影响，并对PCB中信号串扰模型的参数进行了计算．解决了高速光模块设计的一些关键问题，设计出满足MSA的300-pin transponder，并对模块进行了一系列性能和指标测试．测试结果表明，该模块完全满足SDH／SONET（STM-64／OC-192）以及10G Ethemet应用要求．