黄土高原长期种植苜蓿对土壤硫、钙、镁的影响

以22年定位试验为基础,研究黄土高原长期种植紫花苜蓿(Medicago sativaL.)情况下土壤硫、钙、镁组分的变化。结果表明:长期施P使苜蓿连作耕层土壤总硫、有效硫、水溶性硫、吸附性硫、HCl可溶性硫、总无机硫和有机硫含量分别增加9.41%、62.41%、47.51%、30.07%、2.25%、5.38%和17.54%;长期施NPM使苜蓿连作耕层土壤总硫、有效硫、水溶性硫、吸附性硫、HCl可溶性硫、总无机硫和有机硫含量分别增加20.89%、98.31%、68.44%、57.34%、8.07%、12.54%和37.69%。长期施P使苜蓿连作耕层土壤全钙、有效钙、水溶态钙、交换态钙和酸溶态钙含量增加分别增加4.64%、4.27%、11.66%、4.05%和8.59%,但残余态钙含量降低2.21%;长期施NPM使苜蓿连作耕层土壤全钙、有效钙、水溶态钙、交换态钙和酸溶态钙含量增加分别增加8.69%、8.30%、51.59%、6.73%和27.77%,但残余态钙含量降低26.23%。长期施NPM使苜蓿连作耕层土壤全镁、有效镁、水溶态镁、交换态镁、酸溶态镁和残余态镁含量分别增加7.38%、61.98%、63.16%...

I：新型稀土永磁材料Nd-Fe-B氧化过程及抗氧化新体系研究II：CuO、Y_2Cu_2O_5、BaCuO_2和RBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁化率及Cu价态研究

本论文由两大部分组成。第一部分是新型稀土永磁材料Nd-Fe-B氧化过程及抗氧化新体系的研究。Nd-Fe-B永磁体是1983年问世的新型稀土永磁材料。和原有的铁氧体及Sm-Co体系相比，具有磁能积高（50MGOe）。价廉源广，制备简单等三大优点；也有居里温度低（310℃），温度系数大（－0.126%/K），易氧化等三大缺点，我们对Nd-Fe-B合金的氧化过程进行研究，发现该材料热稳定性差，容易发生氧化反应，氧化使材料的结构受到破坏，并给材料的磁性造成不可恢复的损失，整个氧化过程是分阶段的。在室温和干燥的空气中材料基本是稳定的。150℃以下材料磁性受到破坏的主要原因是体系中Nd的氧化。230℃以上材料主体成分Fe也开始氧化，温度升高使反应进程大大加快。到800℃左右反应基本结束，最终产物主要为Fe_2O_3, Nd_2O_3·FeNdO_3和NdBO_3。增加体系中B的相对含量和添加某些新的元素均能提高材料的抗氧化能力，新研制的Nd-Fe-B-Si四元体系和原来的Nd-Fe-B体系相比具有下列显著优点：新体系的抗氧化能力大大提高，经过150℃的长期恒温试验，材料的结构，磁性均未受到破坏，某些体系甚至能在更高的温度下使用，另外，新体系的居里温度Tc也大为提高。比原有Nd-Fe-B磁体高40℃左右。因此该体系是一种大有发展前途的新材料。此外，我们用动态热重法研究了Nd-Fe-B合金的氧化动力学过程，但由于我们新合成的体系构相较为复杂，未能达到预期效果。第二部分是CuO，Y_2Cu_2O_5，BaCuO_2和RBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体（R稀土元素）磁化率及铜价态研究，铜的氧化物具有复杂的化学计量关系和磁学性质。在对CuO的磁化率研究中，我们发现在低温区（77K－110K）和一定磁场下，CuO由顺磁突变为抗磁。这种转变与磁场强度有很大关系。这一结果与前人的工作有较大的出入。而与超导体的形为极为相似。所不同的是，转变温度与样品的重量也有关系。实验结果重复。由于铜氧性质在R-Ba-Cu-O超导体中起决定作用，因此有必要对CuO的低温磁性作进一步研究。此外，我们对文献尚未报道的Y_2Cu_2O_5的磁化率在77－300K温度区间进行了测量，发现它是顺磁性物质，室温有效磁矩μ_(eff) = 2.13μB。高于Cu~(2+)的理论有效磁矩（1.73μB）。经过碘量法价态分析，发现Y_2Cu_2O_5中有部分Cu~(3+)，这与磁化率的测定相符合。Tc在90K左右的Y-Ba-Cu-O体系是近期才发现的具有超高温超导材料。该体系有着独特的结构和性质。在对R-Ba-Cu-O及R-Ba-Cu-O-Ag超导体的研究中，我们发现此类超导体属II类超导体，在临界温附近该超导体由顺磁转变为抗磁，此种变化与磁场强度有很大关系，当场强大于一定值后，则观察不到这种转变。在对RBa_2Cu_3O_(7-δ) (R = Y, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm)超导体和具有相同配比但由于合成工艺条件不同而不超导的R'Ba_2Cu_3O_(7-δ) (R' = Y, Sm, Eu, Gd)非超导体的铜价态分析中，我们发现此两类化合物中均含有一定量的Cu~(3+)。且超导体中Cu~(3+)的含量高于非超导体中Cu~(3+)的含量（同样比例）。我们还发现Cu~(3+)对水极为敏感，将RBa_2Cu_3O_(7-δ) (除R = Gd, Dy, Er)超导体在未干燥容器中测出的Cu~(3+)量远远低于干燥容器中所测得的值。我们认为这可能是引起超导体不稳定的重要原因。由于尚缺乏用其它手段检测到超导体中Cu~(3+)存在的例证。故对此问题还有待于今后继续作进一步的研究。

稀土元素的价态及半径对LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构、超导电性及某些性质的影响

本文系统地研究了稀土元素的价态，半径对LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构、超导电性、某些性质的影响，分以下几个方面。1、LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构和某些性质（如氧含量、Cu~(3+)/Cu~(2+)之比值，晶胞参数、正交畸变等）均随三价稀土离子半径呈现规律性的变化。2、研究了YbBa_2Cu_3O_(7-δ)的合成机理，提出了不同于YBa_2Cu_3O_(7-δ)的反应机理；研究了Ln对(YbLn)Ba_2Cu_3O_(7-δ)结构和性质的影响。3、分析了LnBa_2Cu_3O_(7-δ) (Ln = Pr、Y)的XPS图谱，讨论了影响PrBa_2Cu_3O_(7-δ)超导性的原因。4、研究了Ln对(PrLn)Ba_2Cu_3O_(7-δ)的结构及超导电性的影响，讨论了Cu-O链，Cu-O层，Cu~(3+)对超导性的贡献。5、研究了稀土取代Bi（部分）对Bi-Sr-Ca-Cu-O结构及超导性的影响，稀土取代只有低Tc相生成，少量稀土取代Bi可得-80k的超导电性。

EFFECTIVE-MASS THEORY FOR GAAS/GA1-XALXAS QUANTUM WIRES AND CORRUGATED SUPERLATTICES GROWN ON (311)-ORIENTED SUBSTRATES

The electronic structures of GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wires (corrugated superlattices) grown on (311)-oriented substrates are studied in the framework of the effective-mass envelope-function method. The electron and hole subband structure and optical transition matrix elements are calculated. When x=1, the results are compared with experiments, and it is found that the direct transition becomes an indirect transition as the widths of well and barrier become smaller.

Optical characterization of InAs monolayer quantum structures grown on (311)A, (311)B, and (100)GaAs substrates

Low-temperature photoluminescence and excitation spectra from InAs monolayer quantum structures, grown on (311)A, (311)B, and (100) GaAs substrates, are investigated, The structures were grown simultaneously by conventional molecular-beam epitaxy (MBE), The experimental results show that the quality of InAs monolayer on (311)B GaAs substrate is obviously better in crystal quality than those on the two other oriented GaAs substrates. In addition, the transition peaks of the InAs layer grown on (311) GaAs substrates shift to higher energy with respect to that from the InAs layer grown on (100) GaAs substrate.

X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis

ErSi1.7 layers with high crystalline quality (chi(min) of Er is 1.5%) have been formed by 90 keV Er ion implantation to a dose of 1.6X10(17)/cm(2) at 450 degrees C using channeled implantation. The perpendicular and parallel elastic strain e(perpendicular to)=-0.94%+/-0.02% and e(parallel to)=1.24%+/-0.08% of the heteroepitaxial erbium silicide layers have been measured with symmetric and asymmetric x-ray reflections using a double-crystal x-ray diffractometer. The deduced tetragonal distortion e(T(XRD))=e(parallel to)-e(perpendicular to)=2.18%+/-0.10%, which is consistent with the value e(T(RBS))2.14+/-0.17% deduced from the Rutherford backscattering and channeling measurements. The quasipseudomorphic growth of the epilayer and the stiffness along a and c axes of the epilayer deduced from the x-ray diffraction are discussed.

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K.在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW.

GaAs（311）A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

于2010-11-23批量导入

生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

于2010-11-23批量导入

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。