Ar~(16+)与Zr作用产生的X射线谱

本工作对超导离子源(SECRAL)上的10~20 kV/q Ar16+和Ar17+入射到金属Zr表面进行实验研究。实验结果表明,高电荷态Ar16+在金属表面存在着多电子激发过程。Ar空心原子的K层发射X射线强度随入射离子的动能减少,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强。Ar17+单离子的K-αX射线产额比Ar16+单离子的K-αX射线产额大5个数量级。

强流高电荷态全永磁ECR离子源LAPECR2的初步调试

研制成功了一台强流高电荷态全永磁ECR(Electron Cyclotron Resonance)离子源LAPECR2(Lanzhou All Permanent Magnet ECR Ion Source No.2)。该离子源在完成磁体装配后已成功在近代物理研究所320 kV高压平台上安装就位,与后束运线完成对接组装。离子源于2005年7月在14.5 GHz实现了第一次成功起弧,并引出较强的混合束流。目前离子源已与后束线以及部分实验终端完成了联调,在实验终端能够获得强流较高电荷态的离子束流。本文将着重论述该全永磁源的结构技术特点和主要参数指标。本文还着重论述了LAPECR2离子源在14.5 GHz微波功率馈入条件下的初步调试结果,在此基础上对束流向实验终端联调的实验结果进行了讨论,着重分析了影响束流引出与传输效率的主要因素。

高性能全永磁ECR离子源LAPECR2的研制

研制了一台体积和重量都较大、设计性能较高的全永磁电子回旋共振(Electron cyclotron resonance, ECR)离子源LAPECR2(Lanzhou all permanent magnetic ECR ion source No．2)。该离子源将用于中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台,为其提供强流高电荷态离子束流。LAPECR2的研制采用全新的全永磁磁体结构设计,通过采用高性能的NdFeB永磁材料、优化的磁结构设计以及精确的计算,实测源体的磁场参数能达到高性能ECR离子源的设计要求。离子源采用较高频率的14．5 GHz微波馈入加热等离子体,波导直接馈入离子源以增强馈入微波的稳定性与效率。此外,还大量采用了一些有利于提高离子源高电荷态离子产额的关键技术,如铝内衬等离子体弧腔、负偏压盘、铝制等离子体电极、三电极引出系统、辅助掺气等。

~(40)Ar~(10+)激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2+)离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。

A 10,000 year record of dune activity；dust storms；and severe drought in the central Great Plains

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Measurement of Be-10 in air filters using BeF- ions from BaBeF4

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Disentangling geomagnetic and precipitation signals in an 80-Kyr Chinese loess record of Be-10

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Pollen record from red clay sequence in the central Loess Plateau between 8.10 and 2.60 Ma

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串联分子泵获得10~(-9)Pa真空的实验研究

介绍了采用两级分子泵串联系统获得 10 - 9Pa真空度的实验研究。实验证明 ,通过串联一台分子泵 ,可以有效地提高系统对氢气的压缩比 ,显著提高系统的极限压强。

~(40)Ar~(10+)轰击Al和Si固体表面形成的200～1000nm光谱

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到Al和p型Si表面所产生的Al,Si,Ar原子的200～1000nm特征光谱的实验测量结果。结果表明,低速高电荷态离子与团体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线,而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争,使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度。

近10年来沙漠-黄土边界带荒漠化土地动态分析――以陕北榆林地区为例

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~(136)Ba的10~+同质异能态

利用 450MeV的82 Se束流轰击139La靶 ,通过核子转移反应产生了136 Ba ,用在束γ谱学方法测量了其激发态的γ衰变 ,观测到了它的 1 0 +态同质异能态并得到该同质异能态的寿命为 94ns.