均匀坡度下考虑三偏差的滴灌系统流量偏差率的计算

为了精确地模拟滴灌系统流量偏差率,使滴灌系统的设计既经济又可靠,该文以考虑地形坡度及水力偏差的流量偏差率的计算方法为基础,根据不利组合原则与概率论知识,深入分析了制造偏差对滴灌系统流量偏差率的影响,并通过进一步水力计算和数学推理,建立了均匀坡度下滴灌系统流量偏差率与制造偏差率、水力偏差率及地形偏差率三者之间的函数关系,推导出考虑三偏差的流量偏差率计算公式。该公式不但可以用来模拟不同保证率下的滴灌系统流量偏差率,而且简便实用,可直接应用于滴灌工程设计中。

南海南部礼乐盆地构造热演化研究

礼乐盆地位于南海海域南部，是一个形成于中新生代的叠合盆地，长期以来缺乏构造热演化方面研究。本文在

蓝紫光InGaN多量子阱激光器

在（0001）蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构．三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良．用该外延片制作了脊形波导GaN激光器，激光器的腔面为GaN的自然解理面，室温，电脉冲注入，激光器可实现激射．阈值电流密度为3．3kA／cm~2，特征温度为145K．

Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum

A kind of novel broad-band superluminescent diodes (SLDs) using graded tensile-strained bulk InGaAs is developed. The graded tensile-strained bulk InGaAs is obtained by changing only group-III trimethyl-gallium source flow during low-pressure metal organic vapor-phase epitaxy. At the injection current of 200 mA, the fabricated SLDs with such structure demonstrate full-width at half-maximum spectral width of 106 nm and the output light power of 13.6 mW, respectively.

纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进

自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后，Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认请了一些重要的科学问题，发展和掌握了许多新的技术，也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在夫论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径，都更加明确、集中，一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展，即局域态nc-Si的发光，基於能带工程的Si基发光，纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究，指出了各自存在的问题，提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合，由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。

nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质

于2010-11-23批量导入

阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

阵列波导光栅复用/解复用器中波导光栅孔径是器件重要的结构参数。波导光栅孔径数值有限，部分光场将因未被耦合进而损失掉。同时引起输出波导接收端焦场变形，增加了器件串扰。该文详细分析和计算了由于波导光栅孔径有限引起的光场损耗和信号串扰，选择适当孔径参数可使其引入的信号损耗和串扰降到足够低，以优化设计器件。

Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究

于2010-11-23批量导入