~(40)Ar~(10+)激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2+)离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。

Ar~+和He~+离子与C_(60)碰撞后富勒希离子的激发机制

C60 在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关。核阻止主要出现在低能重离子与C60 的碰撞中 ;而高能轻离子作用下 ,电子阻止迅速增强 ,成为主要的激发方式。本文中直接观察到由弹性碰撞引起的C+ 峰 ,及其丰度依赖于入射离子的质量。同时我们还发现电子阻止随入射离子能量 (7～ 2 0keV)增大相应增加 ,这与绝热量子分子动力学计算的结果一致。

高电荷态离子Ar~(17+)与Mo表面作用过程中的X射线发射

观测了低速 (小于Bohr速度 )高电荷Ar17+离子与金属Mo表面相互作用的X射线发射 ,以及ArKα ,KβX射线强度随入射离子动能的变化 .

~(40)Ar~(q+)离子入射金属表面形成的靶原子的特征光谱线

用动能一定而电荷态不同的 40Arq+(6≤q≤14)离子和动能不同的40Ar6+离子分别轰击金属Al, Ti, Ni,Ta和Au表面, 以及分别用动能相同(150 keV)的129Xe6+, 129Xe10+和129Xe15+轰击Ta表面, 靶原子受激辐射发出的200~1000 nm波段的特征光谱线的实验结果. 结果表明, 合适的弹靶组合(40Ar12+轰击Al, 129Xe6+轰击Ta表面)可使靶原子受激辐射的特征光谱的强度显著增强, 而靶原子受激辐射的强度与入射离子的动能没有强的关联.

低能Ar~(9+)离子与Na原子碰撞反应中的多电子转移过程

利用近代物理研究所新建的原子物理实验平台,采用位置灵敏探测和散射离子 反冲离子飞行时间符合技术,研究了180keV的Ar9+离子与Na原子碰撞中的多电子转移过程,对实验结果做了分析和简单的讨论,并同修正后的分子库仑过垒模型结果进行了比较。

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中态布居核温度的同位旋效应

用 13单元望远镜探测器阵列测量了 30MeV u40 Ar +112 ,12 4Sn反应中小角关联粒子 ,由两体符合事件提取了α α关联函数 .用三体弹道理论模型MENEKA计算本底关联函数 ,用Monte Carlo方法计算探测效率函数 ,在扣除本底产额并考虑探测效率的修正后 ,对不同同位旋反应系统 40 Ar +112 Sn和 40 Ar+12 4Sn提取的相对态布居核温度分别是 4 .18±0 .2 50 .2 1MeV和 4 .10±0 .2 20 .2 0 MeV ;考察态布居核温度和粒子能量的关系时 ,观察到两个系统的发射温度均随着粒子能量的增加而降低 ,缺中子系统40 Ar +112 Sn中由低能时的 5 .13±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.87±0 .3 70 .2 9MeV ,丰中子系统 40 Ar +12 4Sn中由低能时的 5 .39±0 .3 00 .2 6MeV降低到高能时的 3.32±0 .2 80 .2 3 MeV .用激发热核衰变过程的同位旋选择性对这种同位旋相关性进行了解释

高电荷态Ar~(q+)与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Arq + +Ne(q =8,9,11,12 )碰撞体系中多电子转移过程 ,得到了多组实验测量电荷交换截面数据 ,讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系 ,并且将实验结果与Arq + +Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上 ,对实验现象做了合理的解释

~(40)Ar~(10+)轰击Al和Si固体表面形成的200～1000nm光谱

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到Al和p型Si表面所产生的Al,Si,Ar原子的200～1000nm特征光谱的实验测量结果。结果表明,低速高电荷态离子与团体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线,而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争,使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度。

35MeV/u~(36)Ar+~(124)Sn反应中类弹产物的同位素分布特性

测量了 35MeV u36Ar +12 4 Sn反应中 5 .3°处类弹产物的同位素分布 ,观察到随着出射动能的增加 ,产物的平均中质比逐渐减小而接近弹核的平均中质比 .同位旋相关的量子分子动力学计算表明 ,随着反应时间的增加 ,类弹产物的平均出射动能逐渐减小而平均N Z值则逐渐增大 .另外 ,碰撞参数也影响类弹产物的同位素组成 :随着碰撞参数的减小 ,类弹产物的平均N Z值减小 .

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中复合核的激发能与温度

利用大面积位置灵敏气体探测器对 35MeV u4 0Ar +197Au反应中形成的裂片进行了符合测量 ,由此得到了裂变复合核的速度分布 .在大质量转移假设下扣除前平衡发射粒子的影响 ,得到复合核的激发能 .另外利用望远镜探测器对反应中出射的轻带电粒子也进行了符合测量 ,并由后角α ,p ,d ,t的能谱提取了复合核的温度 .温度与激发能的关系没有表现出理论预言的相变特征 .

55MeV/u~(40)Ar~(17+)离子在生物等效材料中产生的核碎片

利用HIRFL(兰州重离子研究装置 )产生的 5 5MeV/u的4 0 Ar17+ 离子束 ,在辐照生物学实验终端 ,测量了其经过 1.5mm厚有机玻璃后三个不同角度的碎片分布情况。探索了应用由CsI(Tl) +快塑料闪烁探测器组成的Phoswich探测器研究重离子在生物材料中产生的核碎片角分布测量的可行性 ,结果表明这种实验方法是可行的 ,实验结果令人鼓舞。本工作为进一步的实验积累了可靠的经验。

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了 3 0MeV u40 Ar+ 1 1 2 ,1 2 4 Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系 .对于两个反应体系 ,均观察到3He 4He和6Li 7Li的产额比随角度的增加而增加 ,6He 4He和8Li 7Li随角度的增加而减小 .统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果 .各种单同位素产额比与靶核的N Z比有关 ,表现出同位旋效应 ,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性

高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P型 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 ,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中热核的碎裂密度

许多提取核反应过程中熵产生的方法只适用于高能核反应过程 ,而约化d的产额方法可以用于较低能量的重离子核反应中 .对于 3 5MeV/u40 Ar+ 197Au的核反应过程 ,利用这种方法所得的熵和约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .对于后角热核发射体系 ,实验提取的核温度为 ( 4.7± 1 .2 )MeV ,熵为S/A =2 .5± 0 .5,根据实验提取的熵和核温度可以确定其碎裂密度小于 0 .1 ρ0

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应后角能谱温度的同位旋效应

在 30MeV/u4 0 Ar +112 ,12 4 Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量 .在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3 He,α和6He能谱 ,发现3 He的能谱斜率温度在12 4 Sn系统中高于112 Sn系统 ,而6He的温度在112 Sn系统中更高 ,α粒子在两个系统中没有明显差别 .用热核粒子蒸发过程衰变道的选择性对这种同位旋相关性进行了解释 .GEMINI的计算不能重现实验结果