InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy

The growth of InAsxSb1-x films on (100) GaSb substrates by liquid-phase epitaxy (LPE) has been investigated and epitaxial InAs0.3Sb0.7 films with InAs0.9Sb0.09 buffer layers have been successfully obtained. The low X-ray rocking curve FHWM values of InAs0.3Sb0.7 layer shows the high quality of crystal-orientation structure. Hall measurements show that the highest electron mobility in the samples obtained is 2.9 x 10(4) cm(2) V-1 s(-1) and the carrier density is 2.78 x 10(16)cm(-3) at room temperature (RT). The In As0.3Sb0.7 films grown on (10 0) GaSb substrates exhibit excellent optical performance with a cut-off wavelength of 12 mu m. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Two-dimensional photonic crystals with a large photonic band gap designed by a rapid genetic algorithm

We used Plane Wave Expansion Method and a Rapid Genetic Algorithm to design two-dimensional photonic crystals with a large absolute band gap. A filling fraction controlling operator and Fourier transform data storage mechanism had been integrated into the genetic operators to get desired photonic crystals effectively and efficiently. Starting from randomly generated photonic crystals, the proposed RGA evolved toward the best objectives and yielded a square lattice photonic crystal with the band gap (defined as the gap to mid-gap ratio) as large as 13.25%. Furthermore, the evolutionary objective was modified and resulted in a satisfactory PC for better application to slab system.

An analysis and simulation about conditioned launch for very short reach (VSR-4)

VSR4 links use graded index multimode fibers (GIMMFs) as the transmission medium with operation wavelength 850nm. For cost reasons, VCSEL has been selected as the optical source to VSR4. The minimum bandwidth specification for 62.5um GIMMF in VSR4 is only 400 MHz(.)km for over-filled-launch (OFL) condition. The distance of 300 meters is limited over transmission rates of 1.25Gbit/s on the basis of this specification. In order to overcome the OFL bandwidth limit by selective excitation of a limited number of modes, conditioned launch technique is investigated. In this paper, based on a comprehensive dispersion theory of GIMMF, a model is built to simulate the transmission of optical signal in GIMMFs and a comparison between OFL and conditioned launch is analyzed. The result can be the guidelines for the best choice of techniques for various LAN and interconnect systems also.

玻璃管附载TiO_2光催化反应器去除饮用水中微量有机物的研究

对光催化氧化降解有机物的机理和玻璃管附载TiO2 光催化反应器的结构作了简介，对光催化反应处理饮用水中微量有机优先污染物的实验过程和测试方法进行了描述。试验结果：水中常见有机优先污染物如三氯甲烷、四氯化碳和三氯乙烯，经1h 的反应处理，去除率均达到95% 以上。该反应器结构简单，运行方便，性能稳定，是一种很有商业开发前途的饮用水深度净化装置。

灌浆期干旱对不同倍性小麦光合和产量的影响

为揭示灌浆期水分亏缺对不同倍性小麦光合特性和产量的影响,选用二倍体野生一粒、栽培一粒小麦,四倍体野生二粒、栽培二粒小麦,六倍体小麦"长武134"和"陕253"等6个小麦品种作为供试材料,通过盆栽控水方式,对不同倍性小麦旗叶净光合速率、瞬时水分利用效率和产量进行了研究。结果表明,在正常供水、轻度干旱和严重干旱3种水分处理下,不同倍性小麦旗叶净光合速率、水分利用效率和产量差异极显著。在灌浆过程中,水分亏缺对不同倍性小麦净光合速率变化趋势的影响不明显。而最大净光合速率和水分利用效率随水分胁迫的加重而减小。六倍体小麦平均最大净光合速率为22.03μmol CO2.m-2.s-1),高于二倍体和四倍体小麦。六倍体小麦平均最大水分利用效率约为7.12μmol CO2/mmol H2O,分别是四倍体和二倍体的1.63倍和2.05倍,并且在灌浆开始时就达到最大。因此,小麦长期进化过程中,六倍体小麦花后较强的光合能力和较高的水分利用效率是提高小麦产量的重要生理基础。

榆神府煤田开采对地下水和植被的影响

在简要说明榆神府矿区生态脆弱性和煤田开发对我国国民经济发展的重要性基础上,概述了矿区生态环境的现状、地下水的基本特征、采煤对地下水和植被的影响、以及矿区地下水与植被的相互关系;说明地下水资源是支撑矿区生态环境可持续发展的重要因子,采煤对地下水的破坏会严重影响矿区植被的恢复与重建;指出了目前矿区地下水与植被互动关系研究的不足,并提出了今后该领域应着重研究的方向.

咪唑衍生物为配体的铜(I)配合物合成及光物理性质

本论文以咪唑衍生物为配体,合成了新型Cu(I)中性配合物和对应的离子型配合物，考察了它们的光物理和电化学性质。具体工作如下： 设计与合成了分别以2-(2'-吡啶基)苯并咪唑(Hpbm)和2-(2'-喹啉基)苯并咪唑(Hqbm)为配体的Cu(I)中性配合物和四氟硼酸根为抗衡离子的离子型配合物。配合物的晶体结构表明中心铜离子均为扭曲的四面体配位构型，中性配合物的咪唑环中的键长趋于平均化。所有配合物在20wt%浓度的PMMA薄膜中的最大发射处于518.5-597.5nm之间，发光效率为0.097-0.249, 磷光寿命为11.7-25.9µs。中性配合物与对应的离子型配合物相比，其紫外可见吸收光谱发生红移，光致发光光谱发生蓝移。 以2, 2'-联苯并咪唑为配体(H2dbm)，设计和合成了双核和单核Cu(I)配合物，其中双核配合物Cu2(dbm)(PPh3)4在二氯甲烷溶液和PMMA (20 wt%)薄膜中均表现为蓝光发射，在20wt%浓度的PMMA薄膜中的最大发射为448.5和475.5nm。单核离子型配合物[Cu(Hdbm)(PPh3)]2[BF4]在20wt%浓度的PMMA薄膜中的最大发射分别为511，发光效率分别为0.150, 磷光寿命分别为12.0。

富钇稀土-铝合金制取的研究Study on Preparation of Yttrium-Rich RE-Al Alloys

我国江西龙南稀土矿是目前世界上储量最大的富钇稀土矿、研制具有多种用途的钇（Y）-铝（Al）或富钇混合稀土（Ymm）-铝中间合金，对于开拓我国龙南稀土矿的应用领域扩大稀土合金出口具有重要意义。基于这一背景并针对目前氟化物体系制取Ymm-Al合金时存在着电解温度高，腐蚀现象严重，电效偏低等缺点，本文系统开展了在氯化物熔盐体系中电解制取Ymm-Al合金的研究工作。本工作由三部分组成：在第一部分工作中，开展了熔盐电解所需要基本原料-无水稀土氯化物制取的工艺研究。利用化学分析和结构分析手段，弄清了干法氯化过程中YmmCl_3水解的机理，提出了减弱水解的措施，即YmmCl_3先在850-900 ℃灼烧1.5 + 0.2hr，脱掉吸附水并将碱式碳酸盐转化为氧化物，增加稀土氧化物的比表面。通过条件试验得到最佳工艺条件为：采用NH_4 Cl:Ymm_2 O_3 = 14:1（摩尔比）的配料比，每次投入氯化装置的原料量为0.26 - 0.36 kg, 在400-450 ℃氯化反应激烈开始后迅速降温至400 ℃以下，待物料粘结现象消失后，再行升温氯化。出料及后期控制温在475 ± 25 ℃。经过3.8 ± 0.2hr氯化，可制得水不溶物小于1%并符合熔盐电解要求的YmmCl_3原料。此新工艺与原有干法工艺相比，流程短，装置简单，不需密闭抽真空，成本低，适于制取任何量的优质熔盐电解所需氯化稀土原料。在第二部分工作中，利用上述YmmCl_3原料，以液态铝为阴极，在氯化物体系中进行熔盐电解，通过试验得出在小型试验规模制取Ymm-Al合金的最隹工艺条件为：电解质组成（重量比）40%YmmCl_3-1%NaF-59%等摩尔的NaCl-KCl；电解温度为790 ± 5 ℃；阴极电流密为0.7 - 0.02A/cm~2；电解电量为333 ± 5库仑/克铝，制得钇铝合金中Ymm含量为10 ± 2%。添加1%的NaF可消除阴极表面生成枝状物，减少合金中夹渣和熔盐中沉渣。在电解工作中，将方差分析应用于试验数据处理，方差分析结果表明，各种试验因素对电效有明显影响，试验数据可靠，试验误差在允许范围以内。在第三部分工作中，利用线性扫描伏安法测定了在最隹电解工艺条件下Y~（3+）和Ymm在液态铝及钼电极上的析出电位。测定结果表明：Y~（3+）和Ymm~（3+）在液态铝阴极上的析出电位比在钼阴极上偏正0.2 ～ 0.8伏，氟离子的加入要比不加氟时析出电位不有同程度的负移，但考虑到氟离了具有消渣作用，加入少量氟比物添加剂对提高电效有利。

一种基于并行覆盖前馈优先神经网络的说话人识别方法

为实现对说话人特征空间多聚类区的有效识别，提出一种基于并行覆盖前馈优先级网络（PCPONN）的说话人识别方法。该方法以LBG算法生成每个说话人特征空间初始的聚类中心，对本类样本按聚类中心分类后，用前馈优先级神经网络（PONN）对每个聚类区进行并行覆盖。相关实验证明，PCPONN符合说话人特征空间点的分布特点，得到更好的稳定性和更高的识别率。