光子晶体波导定向耦合型1×3光分束器

将五光子晶体单模波导平行、邻近放置构成定向耦合器,依据自映像原理,数值分析了输入光场对称入射时,该系统中光的传播行为.基于此结构,设计了1×3光分束器,其器件长度可短至14.26μm.仅仅通过对称地改变耦合区中两个介质柱的有效折射率,使光场在横向发生重新分布,便可实现输出能量的均分或自由分配.通过非对称地改变耦合区中的一个介质柱,可实现3个输出端的输出能量的自由分配.该光分束器具有微小尺寸和各输出端输出能量的比例可自由调制的特点,在未来集成光回路中具有广泛的应用价值.

Morphology Evolution of (331)A High-Index Surfaces During Atomic Hydrogen Assisted Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Step like morphology of (331)A high-index surfaces during atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy (MBE) growth has been investigated. Atomic Force Microscope (AFM) measurements show that in conventional MBE, the step heights and terrace widths of GaAs layers increase monotonically with increasing substrate temperatures. The terrace widths and step densities increase with increasing the GaAs layer thickness and then saturates. And, in atomic hydrogen assisted MBE, the terrace width reduces and density increases when depositing the same amount of GaAs. It attributes this to the reduced surface migration length of Ga adatoms with atomic hydrogen. Laterally ordered InAs self-aligned nano-wires were grown on GaAs (331)A surfaces and its optical polarization properties were revealed by photoluminescence measurements.

纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池

在较高工作气压(332.5～399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2～5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm~2,25℃).

用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

针对半导体发光二极管（LED）出光效率低下的问题，提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想，采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明，这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。

镜像核~(13)N-~(13)C和~(15)N-~(15)O中的激发态晕或皮(英文)

用非线性相对论平均场对两对镜像核13N 13C和15N 15O进行了研究. 发现无论在基态还是激发态, 用两套参数所得的结合能都跟实验值很接近. 计算结果显示13N的第一激发态 (2s1 /2 )和第三激发态(1d5 /2 )各存在一个非束缚的质子晕, 而13C的第三激发态 (1d5 /2 )存在一个弱束缚的中子皮. 另外研究表明, 在另一对镜像核15N 15O的第二激发态 (2s1 /2 )和第一激发态 (2s1 /2 )分别存在一个中子晕和质子皮.