用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度
| Data(s) |
2003
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| Resumo |
针对半导体发光二极管（LED）出光效率低下的问题，提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想，采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明，这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。 针对半导体发光二极管（LED）出光效率低下的问题，提出了一个LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想，采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结明表明，这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4871.pdf: 188929 bytes, checksum: f5265f673cd7cb2f6f072ddd38aedf95 (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金（6989626 ，6 77 22，6 276 34）,集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目 北京大学物理学院;中国科学院半导体所 国家自然科学基金（6989626 ，6 77 22，6 276 34）,集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
隋文辉;章蓓;王大军;栾峰;徐万径;马晓宇.用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度,北京大学学报. 自然科学版,2003,39(3):331-335 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
