109 resultados para 14-144


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研究了 1 5.1 4MeV/u136  Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .

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用同位旋相关的Boltzmann Langevin方程研究了在入射能量为2 8 7MeV/u下 ,不同弹核 14O ,16 O和 18O轰击不同靶核 7Be和 9Be的反应 ,计算了生成碎片的产生截面 ,发现用丰中子 (缺中子 )炮弹或丰中子 (缺中子 )靶进行反应 ,所得到的产物均有丰中子 (缺中子 )的碎片出现 .同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关 ,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数 ,则同位素分布的宽度越大 ,峰位偏离β稳定线值越远 ,其同位旋效应越明显 .

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叙述了用圆柱型流气式组织等效正比计数器测定用K-200kV低能重离子加速器加速的能量为66—119keV的14N+1离子穿过4μm厚的PET(C80H8O4)薄膜后的微剂量谱、径向剂量分布等微剂量学参数。测定了穿过4μm厚的PET(C80H8O4)薄膜后的14N+1离子的单次事件剂量平均比能马Z1D随离子能量和强度的变化曲线。并与用TIRM92Monte Carlo程序计算的14N+1离子在PET材料中的射程一能量曲线进行了比较和讨论。