等离子体平板显示（PDP）用荧光粉的合成及其光谱性质

等离子体平板显示（PDP）是目前高清晰度、大屏幕平板显示中的佼佼者，使挂壁彩电成为现实，但其关键部分之一-PDP荧光粉的发展却存在着相当滞后的问题，因此急需开发出性能更好的PDP荧光粉或对现有荧光粉的性能进行改善。改善PDP荧光粉性能的重要手段之一是选择合适的合成路径，因此本文探索了软化学合成方法-水热法在合成 PDP荧光粉合成中的应用，同时也采用高温固相法、共沉淀法对PDP荧光粉进行了合成，通过对比分析探索合成方法对PDP荧光粉光谱性质的影响。分别采用水热法、高温固相法、共沉淀法对掺杂稀土发光离子的稀土正硼酸盐（Y，Gd）BO_3、正磷酸盐（La，Gd）PO4、矾酸盐（Y，Gd）VO4、矾磷酸盐Y（P，V）O_4和硼硅酸盐LoBSIOS进行了合成，并用XRD、IR、SEM、XPS、TG-DTA等手段对其结构进行了表征，对上述PDP荧光粉的真空紫外（VUV）光谱、紫外可见光谱及发射光谱性质进行了研究，得到了一些新的、有意义的结果。（1）首次采用水热法以稀土氧化物、氢氧化物或硝酸盐与硼酸为原料合成了（Y,Gd）BO_3：RE~(3+)（RE＝Eu，Th）系列荧光粉，并对其VUV光谱特性进行了研究。sEM分析发现水热法以氢氧化物、硝酸盐合成的荧光粉粒度在100-200nm之间。XPS揭示不同基质中带结构具有一定的差异。光谱分析发现（Y,Gd）BO_3：RE~(3+)的VUV光谱中110-175nm范围内存在着基质硼酸根（B3场）的吸收带，该吸收带随基质中G矛"浓度的增大而增强并发生了红移，认为红移是由于基质中B-O反键轨道能量的变化引起的。对能量传递过程进行分析认为G矛十起到能量传递中间体的作用，使基质对激活剂的敏化效率随G矛十浓度的增大而提高。（Y,Gd）BO3:RE3＋中基质敏化效率的提高也可能是由于基质敏化带的红移使Gd3十或RE3＋更容易从基质中获得能量。我们认为作为PDP荧光粉Eu3＋或Th3＋在GdB03基质中的发光性能更好。对水热合成的（Y,Gd）BO3：Eu~(3+)荧光粉进行热处理发现，荧光粉的亮度随热处理温度的提高而明显增强，说明一定温度下热处理有利于提高荧光粉的发光性能，这可能是由于热处理后荧光粉的结晶度提高，内部缺陷减少。比较水热法、高温固相法和共沉淀法对荧光粉性质的影响时发现三种方法制备的荧光粉光谱特性基本一致，但高温固相法和共沉淀法制备的荧光粉粒度较大，形貌不规则。（2）采用水热法制备了不同G矛十浓度的PDP荧光粉（L a，Gd）Po4：RE3＋（RE＝Eu，Tb），发现以稀土硝酸盐溶液和伽玩）2HPO4为原料，在pH值为5·240oC下反应3天可以合成出结晶度较高的纯相。从SEM照片中观察到水热法制备的荧光粉为晶化很好的棒状晶体。对水热法制备的LaP04：Eu3+和GdPO4：Eu3+进行热处理后发现热处理后晶体的尺寸变小，但形貌没有发生明显的变化，发光性能效果稍有提高。首次对共沉淀法合成的不同Gd3＋浓度的（La，Gd）PO4：KE3＋（RE=Eu，Tb）荧光粉的VUV光谱进行了分析，并研究了Gd3＋在能量传递过程中的作用，发现随基质中Gd3十浓度的增大，基质对发光离子的敏化效率提高，认为Gd3＋起着能量传递中间体的作用。同时观察到（La，Gd）PO4：Eu3+中电荷迁移带随着Gd3＋浓度的增大而发生红移，这也可能会导致基质对Eu3+敏化效率的提高。首次利于xPs分析了LaPO4和GdP04的价带结构，发现LaP04的价带由O2的2P能级构成，而GdPo4的价带则是由O2-的2p能级和Gd3＋的4f能级共同构成，这种价带结构的差异可能对（La，Gd）PO4：RE3＋在VUV区的吸收产生影响。（3）首次对水热法合成的（Y,Gd）VO4：Eu3+的VUV光谱进行了研究，观察到120-170nm范围内存在着vO43一离子团的弱吸收带，200nm处存在着来自2P（O）→4f（Y）或5d（均跃迁的激发带，20onm以后的激发宽带是由Eu3＋的电荷迁移带与VO43-的吸收带重叠而成的。对不同Gd3＋浓度的（Y，Gd）VO4：E矿"的vLJ'v光谱进行研究发现，在一定G矛＋浓度范围内Gd3＋的加入使基质vo43+对Eu3+的敏化效率提高。对（Y,Gd）VO4：Eu3+中的能量传递过程进行分析认为，（Y,Gd）vo4：Eus＋中可能存在着VO_4~(3-)→Eu~(3+)和VO_4~(3-)（vuv）→Gd~(3+)→VO_4~(3-)（UV）→Eu~(3+)等几种能量传递方式，Gd3＋起着能量传递中间体的作用。（4）首次采用水热法合成了Y（P，v）O4：Eu3"红色荧光粉，发现初始体系pH为12.5、在240℃下反应6天可以得到Y（P，V）o4：Eu3＋纯相。结合XRD和SEM分析发现Y（P，V）O4：Eu3＋荧光粉的粒径随VO3-4浓度的增大而增大，YPO4：Eu3+的粒径为100-150nm，而YVO4：Eu3+的粒径则为400-450nm。对水热法合成的Y（P， V）O4:Eu3+的VUV光谱进行研究发现基质对Eu3+的敏化效率随VO3-4户含量的增多而提高。通过比较发射光谱中~5D_0→~7F_2与~5D_0→~7F_1跃迁的强度发现二者强度之比随VO_4~(3-_浓度的增大而增大，说明荧光粉的色纯度随VO4含量的增多而更好。比较水热法和高温固相法合成的Y（P，V）O4：Eus"的VUV光谱发现水热法制备的荧光粉在真空紫外区的吸收较弱，说明水热法制备的荧光粉虽然粒度较小，形貌规则，但发光性能不如高温固相法制备的Y（P,V）O4：Eu3＋荧光粉。（5）分别采用水热法和高温固相法制备了单掺稀土发光离子的LaBSIOS，并对它们的光谱性质进行了研究。通过比较产物的SEM照片发现水热法可以制备出粒度为2-3μm，形状近似于球形的产物，而高温固相法制备的样品形貌不规则，粒度分布范围广。对水热法制备的LaBSiO_5：Eu~(3+)进行红外光谱分析发现1300-400cm~(-1)范围内为BO_4基团和SiO_4基团的振动峰。首次对高温固相法制备的LaBSiO_5:Re~(3+)（RE=Eu，Sm，Th）的vuv光谱性质进行了分析，认为其VUV光谱中125-200nm范围内存在着BO_4基团的吸收带（125-165nm）和SiO4四面体的吸收带（165-183nm）。比较两种方法制备的荧光粉的光谱性质和亮度发现两种方法制备的荧光粉光谱性质基本一致，而水热法制备的LaBSiO_5：RE~(3+)（RE＝Eu，Sm，Tb）在254nm紫外光激发下亮度相对较低。

有机近红外电致变色器件

光通讯近年来发展迅速，正在从元件向集成发展，迫切需要利于集成的元件。主要的一些光学元件如激光器、放大器等均采用无机材料，连接和集成存在困难。发展易于集成的有机光学元件是目前该领域研发的一个热点。电致变色是一个古老的题目，一般都在可见区，而光通讯波长主要是1300和1550nm，是近红外区。在近红外区的工作刚刚开始，．用于光衰减器的研究已有报道，但还没有达到实际要求，寻找新型的电致变色材料及其适合这些材料的新的器件构型是目前研究的重点。本文研究了三种新的有机近红外电致变色材料及其器件：PEDOT:PSS、Ru星状化合物和酞警噜。本文通过电化学、吸收光谱、X射线衍射、AFM等实验方法和手段表征了样品的本体性质、近红外电致变色，性质和器件性能。结果如下：本论文首先研究了PEDOT:PSS的近红外电致变色性质。实验结果首次表明通过掺杂如Liclo4的电解质可以提高近红外电致变色器件的性能。通过掺杂，褪色时间从30秒缩短到2.8秒，着色时间从9.2秒缩短到2.7秒，变色效率从105cm2／C提高到3llcm2／C。掺杂后薄膜离子导电率提高是器件性能改善的原因。另外还制备了基于不同厚度的PEDOT：PSS薄膜的器件，发现对于一定掺杂浓度有一个最佳的厚度，在这个厚度下器件有较大的调制能力和较小的透过损失。本论文第二部分研究Ru星状化合物。通过对基于Ru星状化合物溶液的动力学的研究，证明了调制能力与溶液浓度和外加电压的关系。之后研究开发了有新构型的近红外电致变色器件，以Ru（II，II）态化合物溶液代替其交联薄膜和电解质层来形成固液型器件，同时改善了氧化钨的制备方法。将器件对1550nm光的调制能力从文献报道的2dB提高到16dB。本论文还首次报道了酞警噜的近红外电致变色性质，发现它既可以作为阳极电致变色材料也可以作为阴极电致变色材料。酞普噜的溶液和薄膜均可用于制备电致变色器件，器件的响应速度分别为23秒和1秒。但因为中性态酞警噜对1300nm和1550nm的光吸收较小，器件的调制能力也较小（-0.3dB）。 论文的最后部分详细阐述了有机光电器件表征系统的搭建及测量方法，包括电调制光的电致变色器件测试系统、光转换为电的有机光电二极管或太阳能电池等光电器件测试系统和电转换为光的有机电致发光二极管的器件测试系统。本论文的结果证明采用新构型可以提高近红外电致变色器件的性能；通过掺杂可以缩短电致变色器件的响应时间和提高其变色效率；同时还首次报道了酞瞥噜的近红外电致变色性质。

中国松鼠科 Sciuridae (Non-flying squirrels) 动物的分类和分布及系统发育研究

松鼠科隶属于哺乳纲、啮齿目，是一类世界广布性动物，全世界共计36 属 234 种。本文通过形态分析及分子生物学方法，研究了我国松鼠科动物的分类及 系统发育关系，内容包括以下两个方面： 一、中国松鼠科动物的分类 本研究查看了中科院昆明动物研究所、中科院动物研究所、云南大学、四川 省林业科学研究院、四川大学、陕西师范大学、陕西动物研究所、西北大学、上 海自然历史博物馆、广东昆虫所馆藏该科各类群标本。同时，结合相关文献，对 各类群的外形特征进行了详细的描述和系统分类整理，我国共计10 属34 种。测 取可量性状数据共计20800 个（完整头骨共计1300 号），而且还运用多变量及单 变量分析方法进行数据分析，对部分类群的种下分类结果进行分析：1.探讨了分 布于中国境内的明纹花鼠（Tamiops mcclellandii）3 亚种的有效性。2.研究了 隐纹花鼠（Tamiops swinhoei）在中国的分化并描记了分布于四川马尔康地区的 隐纹花鼠为一新亚种（Tamiops swinhoei markamensis）。3.描记了分布于云南 省东北部昭通地区的赤腹松鼠为一新亚种：昭通亚种（Callosciurus erythraeus zhaotongensis）。4. 提出了分布于云南省无量山区的泊氏长吻松鼠为一新亚种： 无量山亚种（Dremomys pernyi wuliangshanensis）。 二、中国松鼠科动物的系统发育研究 2004－2005 年相继到滇西北高黎贡山、香格里拉，滇西南临沧地区，滇东 南马关、麻栗坡、富宁，滇东北昭通地区进行标本采集，基本收集到我国南方松 鼠科属、种样品进行分子生物学研究。 1.中国松鼠科动物各属的系统发育关系 在分析线粒体细胞色数b 基因（1040bp）序列的基础上，运用贝叶斯法 （Bayesian phylogenetic reconstruction approaches）、最简约法（Maximum parsimony method）、邻接法（Neighbor Joining method）构建中国松鼠科动物 所有属间系统发育树。结果表明：所分析的10 属分别聚集为3 群，巨松鼠属Ratufa单独成为一群，丽松鼠属Callosciurus、长吻松鼠属Dremomys、花松鼠属 Tamiops 以及线松鼠属Menetes 成为一群，松鼠属Sciurus、岩松鼠属 Sciurotamias、花鼠属Tamias、旱獭属Marmota 以及黄鼠属Spermophilus 成 为一群。在此基础上我们进一步探讨了中国松鼠科动物的分化与环境变化的关 系。 2.长吻松鼠属的系统发育关系 在分析线粒体细胞色数b 基因（378bp）序列的基础上，我们重建了长吻松 鼠属内5 个类群间的系统发育关系，结合对5 类群外部形态特征的详细比较，我 们探讨并论证了红腿长吻松鼠、橙喉长吻松鼠作为种的地位的有效性，同时论证 了该属内泊氏长吻松鼠最早分化，其次为橙腹长吻松鼠，第三是红腿长吻松鼠， 红颊长吻松鼠和橙喉长吻松鼠是最后分化的类群。

聚合物单模光波导的研究

采用一种间接方法，计算出了DCNP／PEK－c主客掺杂聚合物薄膜在1300 nm波长下的折射率；在对其平板光波导研究的基础上，进行了新型单模倒脊型聚合物光波导的设计与制做。结果表明，此此新型光波导具有较好的单模性。

Global stability of Hopfield neural networks

This paper gives a condition for the global stability of a continuous-time hopfield neural network when its activation function maybe not monotonically increasing.

Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure

Microphotoluminescence (mu-PL) investigation has been performed at room temperature on InAs quantum dot (QD) vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure in order to characterize the QD epitaxial structure which was designed for 1.3 mu m wave band emission. Actual and precise QD emission spectra including distinct ground state (GS) and excited state (ES) transition peaks are obtained by an edge-excitation and edge-emission (EEEE) mu-PL configuration. Conventional photoluminescence methods for QD-VCSELs structure analysis are compared and discussed, which indicate the EEEE mu-PL is a useful tool to determine the optical features of the QD active region in an as-grown VCSEL structure. Some experimental results have been compared with simulation results obtained with the aid of the plane-wave admittance method. After adjustment of epitaxial growth according to EEEE mu-PL measurement results, QD-VCSEL structure wafer with QD GS transition wavelength of 1300 nm and lasing wavelength of 1301 nm was obtained.

高浓度有机氰废水的可生化性及调控研究

本文通过广泛查阅国内外有关技术资料，针对高浓度有机氰废水难以生化处理的现实情况，详细分析了难生化处理的成因及存在的问题。在国内外首次全面研究了有机氰废水及主要污染物的生化特性，试验确定了主要污染物对产甲烷菌的50％抑制浓度，开创了主要有机氰废水的后化调控新技术，极大的改善了高浓度有机氰废水的生化特性，为有机氰废水的生化处理创造了有利条件。研究结果表明，丙烯腈生产一段急冷废水、二段急冷废水和腈纶生产工艺废水3种废水为难以生化降解的废水，其BOD_5／COD比值分别为0.15、0.17、0.33，BD％分别为36.3、45.8、53。据此，明确了生化调控的对象。高浓度有机氰废水中，聚合物、CN~-、AN、乙腈、NH_3-N、SO_3~(2-)为影响废水生化处理的主要水质因素，聚合物、CN~-、AN、乙腈的可生化性较差，其BOD_5／COD比值在0.3以下；聚合物、CN~-、AN、乙腈为抑制厌氧生物降解性能的主要有机毒性物质，其50％IC分别为1300、4.5、85、320mg/L, 氧氮、含硫化合物为抑制厌氧生物解的主要无机毒性物质。首次将精馏法用于丙烯腈生产一段急冷废水的可生化性调控，打破了传统的以氧化分解工艺为途径的可生化性调控模式，将制约废水生化性能的主要污染物丙烯腈、乙腈、HCN及聚合物从水中进行了有效分离，实现了有用物质的回收。同时极大的降低了废水中污染物的浓度，COD由调控前的124.6mg/L降到7.9g/L，有效地改善了废水的可生化性能，其BOD_5／COD比值由原来的0.15提高到0.41，BD％由原来的36.3提高到67.5。开发了Ca~(2+)～汽提法对丙烯腈生产二段急冷废水进行可生化性调控，废水中的氨氮及SO_4~(2-)的去除率达到99％以上，其浓度分别由原来的51728、147560 mg/L降为70.3、1100mg/L，氰类化合物亦有96％以上的去除率，从根本上提高了废水的可生化性能，废水的BOD_5／COD由原来的0.17提高到0.32，BD％由原来的45.8提高到70.2。开发了曝气～Ca~(2+)～混凝法对腈纶生产工艺废水进行可生化性调控，降低了对厌氧生化具有抑制作用的毒性物质，SO_3~(2-)由原来的843mg/L降到64mg/L；聚合物由原来的4730mg/L降到1190mg/L。废水的生化性能得到了改善，BOD_5／COD由原来的0.33提高到0.42，BD％由原来的53提高到76.2。提出了高浓度有机氰废水的总体处理方案，该方案具有明显的技术优势，环境效益和经济效益明显。方案分为可生化性调控及生化处理两部分，可生化性调控部分以改善废水的可生化性能为目的，同时实现废弃物的资源化；生化处理部分采用生物脱氮处理工艺，可望达到很好的处理效果。

Effects of forced solution flow on lysozyme crystal growth

In order to study quantitatively the effects of forced solution on crystal growth, we designed a new set of experimental equipment, in particular, a microchannel mixer was used as crystallization container so that the consumption of protein samples was much reduced and thus an exact syringe pump could be used for precise control of the flow rates. Since the mixer’s section was designed to be rectangular, the solution velocity in its center was steady and constant, and thus repeatable experiments were facilitated. Experimental results showed that the effects of forced solution on protein crystal growth were different under different levels of supersaturation, and new results were obtained for cases of high supersaturation. When the supersaturation is σ = 2.3, with increasing flow rates the growth rates of the lysozyme crystal’s (110) face hardly change when the flow rates are lower than 1300 μm/s, and decrease quickly afterwards. When the flow rate reaches 2000 μm/s, the crystal nearly ceases to grow. When the supersaturation is σ = 2.7, with increasing flow rates the (110) face growth rates increase at the beginning then reach the maximum values at 1700 μm/s – 1900 μm/s and decrease afterwards, approaching zero or so when the flow rate reaches 12000 μm/s. The higher the supersaturation, the larger the flow rate at which the crystal ceases to grow. © 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

宏观尺寸弯曲石英管对中低能电子束的导向作用

研究了宏观尺寸的弯曲圆柱形石英管对1100,1300和1500eV3种能量电子束的导向作用,并对实验结果与相同材质和尺寸的直管的情形进行了分析对比。实验中利用一个位置灵敏法拉第筒对从石英管出射的电子束进行探测,获得从管道中出射的电子束流强度在位置灵敏法拉第筒各道上的分布,其结果显示宏观尺寸石英管对电子束存在导向作用。与慢速高电荷态离子和绝缘毛细管相互作用的物理过程类似,这种导向效应是由电荷在管壁内表面自组织充电引起的。实验还发现,入射电子束流的强度越强,其导向作用越明显,这与微观尺寸毛细管对慢速高电荷态离子的导向作用不同。石英管导向能力与管的尺寸、形状及材料之间的关系还有待进一步的系统研究。

激光对uv-B辐射大青叶和板蓝根品质的影响

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Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation

Single crystal sapphire (Al2O3) samples implanted with 110 keV He and irradiated at 320 K by Pb-208(27), ions with energy of 1.1 MeV/u to the fluences ranging from 1 X 10(12) to 5 X 10(14) ion/cm(2) and subsequently annealed at 600, 900 and 1100 K. The obtained PL spectra showed that emission peaks centred at 375, 390, 413, and 450 nm appeared in irradiated samples. The peak of 390 ran became very intense after 600 K annealing. The peak of 390 nm weakened and 510 nm peak started to build up at 900 K annealing, the peak of 390 nm vanished and 510 nm peak increased with the annealing temperature rising to 1100 K. Infrared spectra showed a broadening of the absorption band between 460 cm(-1), and 510 cm(-1) indicating strongly damaged regions being formed in the Al2O3 samples and position shift of the absorption band at 1000-1300 cm(-1) towards higher wavenumber after Pb irradiation.