高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。

纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池

该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).

快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）

利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si_(1-x)Ge/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。但是，在750-850℃范围内，波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢，而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强，这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

非对称耦合双阱P-I-N结构的光伏谱研究

于2010-11-23批量导入

Plastic deformation in Ce-based bulk metallic glasses during depth-sensing indentation

The deformation behavior and the effect of the loading rate on the plastic deformation features in (numbers indicate at.%) Ce60Al15Cu10Ni15, Ce65Al10Cu10Ni10Nb5, Ce68Al10Cu20Nb2, and Ce70Al10Cu20 bulk metallic glasses (BMGs) were investigated through nanoindentation. The load-displacement (P-h) curves of Ce65Al10Cu10Ni10Nb5, Ce68Al10Cu2, and Ce70Al10Cu20 BMGs exhibited a continuous plastic deformation at all studied loading rate. Whereas, the P-h curves of Ce60Al15Cu10Ni15 BMG showed a quite unique feature, i.e. homogeneous plastic deformation at low loading rates, and a distinct serrated flow at high strain rates. Moreover, a creep deformation during the load holding segment was observed for the four Ce-based BMGs at room temperature. The mechanism for the appearance of the "anomalous" plastic deformation behavior in the Ce-based BMGs was discussed. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells

This paper reports the impact of a wide bandgap p-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) on the performances of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based solar cells. The player consists of nanometer-sized Si crystallites and has a wide effective bandgap determined mainly by the quantum size-confinement effect (QSE). By incorporation of this p-layer into the devices we have obtained high performances of a-Si:H top solar cells with V-infinity=1.045 V and FF=70.3 %, and much improved mid and bottom a-SiGe:H cells, deposited on stainless steel (SS) substrate. The effects of the band-edge mismatch at the p/i-interface on the I-V characteristics of the solar cells arc discussed on the bases of the density-functional approach and the AMPS model.

Observation of quantum-confined Stark shifts in SiGe/Si type-I multiple quantum wells

Quantum-confined Stark shifts in SiGe/Si type-I multiple quantum wells are suggested by the bias dependence of the photocurrent spectra of p-i-n photodiodes. Both Stark redshift and blueshift have been observed for the same sample in the different ranges of electric fields applied to the quantum wells. The turnaround point corresponds to a certain electric field (named "critical" field). This phenomenon was generally predicted by Austin in 1985 [Phys. Rev. B 31, 5569 (1985)] and calculated in detail for SiGe quantum structure by Kim recently [Thin Solid Films 321, 215 (1998)]. The critical electric field obtained from the photocurrent spectra is in reasonable agreement with the theoretical prediction. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)03711-7].

Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD

Two series of films has been prepared by using a new regime of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in the region adjacent to the phase transition from amorphous to crystalline state. The photoelectronic properties of the films have been investigated as a function of crystalline fraction. In comparison with typical a-Si:H, these diphasic films with a crystalline fraction less than 0.3 show a similar optical absorption coefficient, higher mobility life-time product ( LT) and higher stability upon light soaking. By using the diphasic nc-Si/a-Si films as the intrinsic layer, a p-i-n junction solar cell has been prepared with an initial efficiency of 9. 10 % and a stabilized efficiency of 8.56 % (AM 1.5, 100 mW/cm(2)).

Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells

This paper reports the impact of a wide bandgap p-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) on the performances of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based solar cells. The player consists of nanometer-sized Si crystallites and has a wide effective bandgap determined mainly by the quantum size-confinement effect (QSE). By incorporation of this p-layer into the devices we have obtained high performances of a-Si:H top solar cells with V-infinity=1.045 V and FF=70.3 %, and much improved mid and bottom a-SiGe:H cells, deposited on stainless steel (SS) substrate. The effects of the band-edge mismatch at the p/i-interface on the I-V characteristics of the solar cells arc discussed on the bases of the density-functional approach and the AMPS model.

青蒿的遗传转化及青蒿素生物合成的调控

利用发根农杆菌(Agrobacterium rhizogenes)1601，1000，1500，15834，A4，均成功地转化了中药青蒿(Artemisia annua L.)并且建立了pRi1601，pRi15834，pRiA4诱导的发根培养。pRi1601，pRi15834的发根诱导率比其它质粒高。太老或太幼的叶片不利子发根的诱导;发根主要从叶脉的伤口处萌发;带顶芽或带侧芽的叶片容易诱导根，但不一定是发根。光照有利于发根的诱导和发根的生长。以每个发根的“绝对生长速率”(Gtowth Ratio，GR)和绝对“侧根”数量(Number of Side Roots，NSR），通过大量的发根系的筛选，建立了8个发根系，1601-L-1, 1601-L-2, 1601-L-3, 1601-L-4, 15834-L-1, 1601-P-I, 16 01-P-2，15834-L-2。Southern分子检测表明，160l-1-1，1801-L-2, 1601-L-3，1601-L-4，1601-P-1，1601-P-2均为转化子。8个建立的发根系之间无论生长或者QHS的合成存在明显的差异。比较光／暗(16/8hrs)，25℃条件下培养的16 01-L-1，1601-L-2，1601-L-3，1601-L-4，1601-P-l，和1601-P-2，其中16 01-L-3的生长最快，160l-L-1的生长最慢;但是，1601-L-1的QHS的含量最高（可达1. 048%），1601-1-3的QHS的含量最低。160Z-L-3，15834 -L-1和2583:1-L-2的生长速率相差不大。用盛有l000mLMS液体培养基的3000mL的锥形瓶扩大培养1601-L -3，15834-L-1和15834-L-2，转速为ll0rlpm，培养过程中发根容易形成发根球（Hairy Root Balis，HRB），HRB的形成严重影响发根的生长和QHs的合成，HpLC分析表明扩大培养发根中QHS的含量比较低。 改变MS基本培养基中的无机离子的浓度，研究不同无机离子对发根生长和QHS的合成的影响。 l、KN03为18.79×10-3M时有利于1601- L-1生长，为14. 84×10-3M时有利于QHS的合成。NH-4N0-3浓度在10.93-12. 49×10—3M范围内有利于1601-L-1生长，在0-20.62×10-3M范围内对QHS的合成影响不大，大于20. 62×lO-3M不利QHS的合成。培养基中NH-4+／N0-3-比值为0. 37-0. 4-0.52:1时有利于发根的生长，比值为0.52 - 0.58:1时有利于QHS的合成。 2、H-2P0-4-浓度为2.498×10-3M时有利于发根的生长在0-2. 498×l0-3M范围内，随着浓度的提高，促进发根的生长。培养基中的H2P4 -的浓度在0-1.249×lO-3M的范围内，随着浓度的提高，促进QHS的合成，为1.249×10-3M时QHS的含量最高。 3、培养基中最适16 01-L-1生长的Ca-2+浓度为0.198- 0.766×10-3M，大于或小于该浓度范围，显著地抑制发根的生长。但是，在0-3.695×10-3M范围内，随着培养基中Ca-2+浓度提高，促进QHS的合成，最适Ca-2+浓度为3.695×l0-3M。 4、培养基中不加Mg-2+时，完全抑制发根生长，在0. 142×10-3M-7.506×l0-3M浓度范围内，对发根生长影响没有明显的差别。但是，HPLC和UV分析发根中QHS含量，培养基中不加Mg-2+时，发根中QHS含量最高。 5、培养基中的Fe-2+浓度在0. 25 -1．0×10-3M范围内，同时有利于16 01- L-1的生长和QHS的形成。 6、培养基中最适合予16 01- L-3生长的KI浓度为2.5ppm，大于或小予该浓度均显著地抑制发根的生长，培养基中加入KI明显地降低发根中的QHS的含量。 7、H2BO3对l601-L-l生长影响不大，HPLC分析QHS的含量，培养基中的H3BO3浓度为100ppm和400ppm，QHS的含量分别为1.69mg/g和1.80mg/g(DW)。 8、Cu-2+对1601-L-3的生长影响显著，最适合1601-L-3生长的Cu-2+浓度为1.00ppm，在0 -1.00ppm的浓度范围内，随着培养基中的Cu+浓度的提高，发根的生物量不断增加。培养基中QHS合成的最适Cu2+浓度为0.05ppm，大于或小于该浓度均显著地抑制发根中QHS的合成。 比较光培养和暗培养对发根生长的影响，结果表明光照明显地促进1601-L-l的生长，暗培养明显不利于发根的生长。最适合于发根生长的温度为25℃，大于35℃显著地抑制发根的生长，影响发根的根尖细胞的正常分裂。 改变培养基中的蔗糖浓度和在发根培养的不同时期给培养基中添加蔗糖，试验结果表明蔗糖作为碳源对1601-L-3和1601-L-1的生长具有显著的影响。 (1)培养基中缺少蔗糖显著地抑制发根的生长。 (2)发根培养的前5天时间内，蔗糖浓度为30- 60glL昀培养基最有利于发根的生长，50glL的培养基中的发根生长最快，培养基中的蔗糖浓度大于60g/L小于30g／L时，发根的生物量增加较少。 (3)发根培养至第15天时，蔗糖浓度为60g/L的培养基最有利予发根的生物量的增加。发根培养至30天时，蔗糖浓度为60-90g/L的培养基，发根的生物量的增加相差不大，但是为蔗糖浓度为30-40g/L的培养基中的发根生物量一倍。 (4)发根培养过程中，分别于第5和15天给蔗糖浓度为30g/L的培养基中添加一次或二次蔗糖，使培养基中的蔗糖终浓度相当于60g/L或90g/L，培养至30天时，添加蔗糖的培养基中的发根的干重生物量相当于不添加蔗糖培养基中的发根生物量一倍，相当于初始蔗糖浓度为60g/L和90g/L培养基中发根的生物量。 (5)随着培养基中蔗糖浓度的提高，发根干重/鲜重比显著增加。培养基中的蔗糖的消耗量与发根生物量的增加呈正相关，蔗糖消耗越多，发根生物量的增加越大。 比较pH值对发根生长和QHS合成的影响表明，灭菌前pH值在5.O-6.5范围内的培养基适合予1601-L-1的生长，小于5.O不利于发根的生长，pH5.8有利于1601-1-1生长和QHS的生物合成。发根收获时培养基中的pH值一般为4.5-5.2. pH7.O抑制发根的生长，pHl0.O对发根具有强烈的致死作用。发根在培养过程中，对培养基中的pH值具有显著的调节作用，发根能在很短的时间内(24- 48hrs)使pl:l值为5.8、6.4、7.0培养基降低到pH4. 5-5.2，pH为5.8的培养基有利于QHS合成。 比较不同基本培养基对发根生长和QHS合成的影响，试验结果表明N6、DCR、Litvay培养基有利于1601-L-1的生长，WS、White、B5培养基不利于发根的生长。DCR培养基中的QHS含量最高。 根据三水平试验选用三水平正交表来安排试验的原则，选用三水平正交表L7(3-)，研究多因子效应对发根生长和QHS合成的影响，试验结果表明，Mg2+，Fe2+，Mn-2+，NH4NO3，KN03 ,KI,Ca-2+为发根生长的主要因子，NH4N03，KNOs，Mg2+，Ca2+，肌醇为QHS合成的主要因子。 通过TLC分析发根中QHS和其它化学成分，同时比较发根和无菌苗及野生植株的化学成分，发根和无菌苗均能合成包括QHS在内的野生青蒿叶片中的大部分非挥发性的化台 物。 研究青蒿植株在发育过程中QHS的含量的变化以及发根、无菌苗和野生青蒿中QHS的合成，HP分析结果表明，l、不同的单株青蒿之间的QHS量相差很大。2、同一植株幼 叶的QHS含量比老叶的QHS含量高。3、不同单株青蒿之间达到最高QHS含量的时间不一样，开花期或开花之前。4、无菌苗（带根）或者不带根丛生芽均能合成QHS，但是带根的无菌蕾的QHS量比丛生芽中的QIS的含量高。5、不同发根农杆菌转化的发根系1601-L-1和15834-L-1都能合成ＱＨＳ。

尖吻蝮蛇蛇毒出血毒素的纯化与部分性质

目的　被尖吻蝮蛇(D ienag k istrod on acu tus) 咬伤会引起严重的出血, 对蛇毒出血毒素的研究有利 于治疗蛇伤出血药物筛选。方法　采用Sephadex G275, DEA E2Sephadex A 250, Sephadex G2200 和两次 PBE 聚焦层析纯化。SDS2PA GE 电泳和等电聚焦电泳测定纯化样品的纯度和等电点。氨基酸组成用自动氨 基酸分析仪测定。以小鼠背部皮下注射部位出血斑的面积来确定最小出血剂量和常规的方法测定酶活性。 结果　从尖吻蝮蛇毒中纯化到一个相对分子量为56 000 的出血毒素(DaHT23) , 经氨基酸组成测定计算, 它由487 个氨基酸残基组成。此成分在SDS2PA GE 上显示出一条均一的蛋白染色带, 其p I 为5150。该出 血成分的最小出血剂量是216Lg, 具有蛋白水解酶活力, 其活力为3168, 但没有精氨酯酶和磷脂酶A 2 活 力。当加入EDTA 螯合剂去除金属离子后, 它们的出血活力和蛋白水解酶活力均丧失。结论　这是从大 陆尖吻蝮蛇毒中获得的一个新的出血金属蛋白酶(DaHT 23)。

阳生和阴生地木耳生理生化特性的比较

以生长于不同光环境下的地木耳为材料,对其Fv/Fm的日变化、光合作用特性、叶绿素和类胡萝卜素的含量进行了研究,以了解其光适应的生理生化基础。同阴生地木耳相比,阳生地木耳的光饱和点、类胡萝卜素含量、类胡萝卜素和叶绿素的比值均比较高,但其P-I曲线光限制部分的斜率、暗呼吸速率、Fv/Fm、叶绿素、MAAs含量和单位面积干重较低。二者最大光合速率和光补偿点无明显差异,二者均无明显的光呼吸。同等条件的光抑制后,阳生地木耳在暗处能更快、更大程度地恢复其Fv/Fm活性。原位研究表明,阴生和阳生地木耳在雨后强光下均有不