Phase mismatching analysis of third harmonic generation in BBO crystal

对BBO晶体三次谐波转换过程中相位失配情况进行了研究。当BBO 晶体按Ⅰ类相位匹配(oo→e)进行三次谐波转换时，如果保持基频光正入射，当倍频光从两个相互独立的平面方向(晶体主截面及主截面的垂面)偏离预期方向时，相位失配将出现变化，并且在两个面内的偏离量对转换效率的影响程度不同。我们分别数值模拟了两个方向上的相位失配情况，并给出了谐波转换效率同入射角度偏差的关系。数值模拟结果表明，在主截面内的相位匹配容限角为0.2°，在主截面垂面内的相位匹配容限角为4.5°。同时，开展了实验研究，实验结果与数值模拟结果高度吻合，表明在主截面内的角度偏差对转换效率的影响更大。

Chemical Constituents from the Leaves and Stems of Schisandra lancifolia

A new nortriterpenoid, 20-hydroxymicrandilactone D (1) and a novel lignan glycoside, lancilignanside A (2) were isolated from leaves and stems of Schisandra lancifolia, together with three known nortriterpenoids (3—5) and nine known phenolics (6—14). The structures of new compounds 1 and 2 were determined by detailed analysis of their 1D and 2D NMR spectra, and chemical evidences. In addition, compounds 1—2, 6—7, and 9—11 showed anti-human immunodeficiency virus (HIV)-1 activities with 50% effective concentration (EC50) in the range of 3.0—99.0m g/ml. Compound 12 was not bioactive in this assay with EC50 more than 200m g/ml.

带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究

利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AIN插入层的GaN外延膜，采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS＜0001＞沟道谱可知，该外延膜具有良好的结晶品质，χ_(min)＝2.5％。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量，可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β＝1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(10(1-bar)5)衍射面的θ-2θ扫描，可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02％和0.69％±0.09％。通过对{10(1-bar)0}面内非对称<1(2-bar)13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变e_T在近表面处为0.35％±0.02％。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e~〃＞0)、在垂直方向具有压应力(e~⊥＜0)，印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的，通过对不同深度的四方畸变计算可知，A1N插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比A1N层上面的GaN层弹性应变释放快，说明A1N层的插入缓解了应变释放速度。

低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究

利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应规律。并通过对实验测得的Ｄ－Ｄ聚变伴随粒子能谱，探索Ｄ－Ｄ聚变反应与靶材料结构的相关性。同时，利用氘团族离子（ｄ３＋）和氘核（ｄ＋）来轰击吸氘固体，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应的特性。实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰（３ＭｅＶ）和氚峰（１ＭｅＶ）之间的一个宽峰。结果分析表明。该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发生的Ｄ－Ｄ聚变反应出射的质子所形成。同时还发现独立氘核产生的这种深部Ｄ－Ｄ核聚变的反应率高于速度相同的氘团簇离子中的氘核的反应率。