低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究

利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应规律。并通过对实验测得的Ｄ－Ｄ聚变伴随粒子能谱，探索Ｄ－Ｄ聚变反应与靶材料结构的相关性。同时，利用氘团族离子（ｄ３＋）和氘核（ｄ＋）来轰击吸氘固体，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应的特性。实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰（３ＭｅＶ）和氚峰（１ＭｅＶ）之间的一个宽峰。结果分析表明。该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发生的Ｄ－Ｄ聚变反应出射的质子所形成。同时还发现独立氘核产生的这种深部Ｄ－Ｄ核聚变的反应率高于速度相同的氘团簇离子中的氘核的反应率。