带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
Data(s) |
2006
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Resumo |
利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AIN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χ_(min)=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(10(1-bar)5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{10(1-bar)0}面内非对称<1(2-bar)13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变e_T在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e~〃>0)、在垂直方向具有压应力(e~⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,A1N插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比A1N层上面的GaN层弹性应变释放快,说明A1N层的插入缓解了应变释放速度。 利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AIN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χ_(min)=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(10(1-bar)5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{10(1-bar)0}面内非对称<1(2-bar)13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变e_T在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e~〃>0)、在垂直方向具有压应力(e~⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,A1N插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比A1N层上面的GaN层弹性应变释放快,说明A1N层的插入缓解了应变释放速度。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4255.pdf: 280428 bytes, checksum: 24c7c894e22540168850e9f77d3467fa (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金资助项目,中-比双边科技合作资助项目 北京大学物理学院技术物理系;Institut Voor Kern-en Stralingsfysica,Katholieke Universiteit Leuven,B-3001 Leuven;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目,中-比双边科技合作资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
侯利娜;姚淑德;周生强;赵强;王坤;丁志博;王建峰.带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究,原子能科学技术,2006,40(5):614-619 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |