Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition

We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AIN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented.

Micro-Raman study on hydrogenated protocrystalline silicon films

Good quality hydrogenated protocrystalline silicon films were successfully prepared by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with various hydrogen dilution ratios (R = ([H-2]/[SiH4]) from 10 to 100). The photosensitivity of the films is up to 10(6) under the light intensity of 50mW.cm(-2). The microstructure of the films was studied by micro-region Raman scattering spectra at room temperature. The deconvolution of the Raman spectra by Gaussion functions shows that the films deposited under low hydrogen dilution ratios (R < 33) exhibit typical amorphous properties, while the films deposited under high hydrogen dilution ratios (R > 50) possess a diphasic structure, with increasing crystalline volume fraction with R. The size of the crystallites in the diphasic films is about 2.4 mm, which was deduced from the phonon confinement model. The intermediate range order of the silicon film increases with increasing hydrogen dilution ratio.

基于进程行为的异常检测模型

利用系统漏洞实施攻击是目前计算机安全面临的主要威胁.本文提出了一种基于进程行为的异常检测模型.该模型引入了基于向量空间的相似度计算算法和反向进程频率等概念,区分了不同系统调用对定义正常行为的不同作用,提高了正常行为定义的准确性;该模型的检测算法针对入侵造成异常的局部性特点,采用了局部分析算法,降低了误报率.

静电力场下高流速气固两相分离的研究

静电除尘器具有除尘效率高、设备阻力低，耗能少等优点，在工业领域得到广泛应用。但其烟气流速低，投资高、占地大的缺点在一定程度上限制了它的进一步应用。本文分析静电场中颗粒荷电及运动特性，讨论在静电场中高气流流速下的两相分离规律，期望为静电除尘器在降低投资方面的研究探索一些新思路。本文利用气体电离理论，对电晕电离现象进行了分析；利用电子碰撞电离理论，计算了电晕区的大小。通过计算，分析了粉尘在放电场中的荷电特性。对除尘器内的两相流的运动特性进行了数值模拟，分析了静电除尘器中的气流流速分布以及收尘电压、粉尘粒径、荷电场强和气流流速对驱进速度的影响并进行了公式拟合。通过实验，分析了提高烟气流速的情况下，随着荷电电压、除尘电压和收尘长度的改变，截面内粉尘浓度的变化规律。

非线性放大环形镜“8”字腔光纤激光器实验研究

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注入噪声对光纤激光器锁模启动的影响

国家自然科学基金资助课题(60537060)

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH_4)_2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.

非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度，并保持其他的沉积参量不变，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导，样品的光电性能优越，在50 mW·cm~（-2）的白光照射下，光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性，用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明，在我们的样品制备条件下，当H_2和SiH_4的流量比R较小时，样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性；随流量比R的增大，薄膜表现出两相结构，其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多；用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品（R > 50）中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右；样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。

防护林防护成熟与更新

近一个多世纪以来，防护林科学的研究和发展，使全世界很多国家都越来越深刻地认识到防护林在人类的生活中有着与人类怎么样息息相关的重大作用（曹新孙等，1981）。随着对防护林这一特殊人工森林的研究和发展，各种功能的防护林相继分门别类地建立起来；诸如农田防护林，牧场防护林，水土保持林，水源涵养林，家畜防护林和住宅防护林等。其中以农田防护林的研究最为详尽。最早从事防护林研究的要属苏联，自1843年苏联就开始了营造干旱草原防护林（曹新孙等，1981），到1931年已建立起专门的研究机构（王广钦等，1987）中国营建防护林的历史也有一个多世纪，然而在我国正式进行科研还是从50年代开始的。在近几十年里，着重于农防林的效益、结构配置、营造技术，各种效应以及经营管理等研究，并取得了很大的成就。到目前为止，防护林具有相当水平的国家除中国外，还有苏联、美国、丹麦等（曹新孙，1983）。在国外苏联防护林的研究力量比较雄厚，从所查有关防护林的文献看（cab 文库，林业文摘）苏联关于防护林的文献占一半。