Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2)

Hydrogenated amorphous SiOx films are fabricated via plasma enhanced chemical vapor deposition technique. After erbium implantation and rapid thermal annealing, photoluminescence (PL) are measured at 77 K and room temperature (RT), respectively. We observed the strong PL at 1.54 mu m at RT. The 1.54 mu m PL intensity changes with the variation of concentration of oxygen. The most intense PL at 77 K in a-SiOx:H (Er) corresponds to O/Si = 1.0 and at RT to O/Si = 1.76. Based on our results, we propose that Er ions contributed to PL come from O-rich region in the film. Er ions in Si-rich region have no relation with FL. Temperature dependence of the intensity of the 1.54 mu m line of the Er3+ transition displays a very weak temperature quenching in Er-doped hydrogenated amorphous Si. The PL intensity at 250 K is a little more one half of that at 15 K.

掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiO_x:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光。当材料中氧硅含量比约为1和1.76时，分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光。从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系，表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程。提出氢化非晶氧化硅薄膜中发生铒离子来自于富氧区，并对实验现象进行了解释。氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱。从15到250K,光致发光强度减弱约1/2。

MSM光探测器的直流特性

在稳态条件下金属-半导体-金属(MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解。在这种条件下，器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解。该文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程，并将这一结果应用于具体的InGaAs MSM光探测器的直流等效电路模型上，取得了很好的效果。

非局部理论新框架和基于新框架的塑性应变梯度理论

<正>纳米材料和器件的蓬勃发展,微机电系统和微电子元件微型化趋势,先进材料微结构设计以及精细薄膜涂层,促使材料科学家和力学家关注微米尺度和纳米尺度范围内材料的力学行为。大量实验表明,当非均匀塑性变形的特征长度在微米量级时,金属材料材料呈现很强的尺度效应。典型的实验包括:细铜丝扭转;纯镍薄膜弯曲;不同金属材料的微纳米压痕;炭化硅粒子增强的铝-镁基

可用于核物理监控系统的microC/OS-Ⅱ片上系统的研究

论述了一种基于FPGA和实时操作系统microC/OS-Ⅱ、适用于核物理数据检测和实验控制的片上可编程系统SOPC(System On a Programmable Chip)的设计,并在altera-stratix-Ⅱ2S60f1020c3芯片内获得实现。该片上可编程系统的硬件处理器和实时操作系统都可根据需求裁剪、重配置。

甘肃当归新品系DGA2000-02的选育研究

当归新品系DGA2000-02是采用重离子束55MeV/u40Ar+15离子辐照甘肃当归90-01干种子,按新品种选育程序多年选育而成的。2005—2007年,在定西市岷县、渭源县、漳县、陇西县等地当归品系区域试验中,甘肃当归DGA2000-02平均产鲜当归10621.5kg/hm2,较对照品种(甘肃当归90-01)平均增产鲜当归1386.0kg/hm2,增产率15.0%。生育期790d,茎秆深紫色,根系黄白色。测定结果:总灰分4.2%,酸不溶性灰分0.4%,分别优于对照品种16%和33.3%;浸出物61.4%,较规定指标提高4.4%;阿魏酸0.148%,较规定指标提高2.96倍。质量显著优于对照品种和2005年版《中国药典》规定指标。适宜在海拔2000—2600m、年降水量500—600mm的二阴及高寒阴湿生态区栽培。