掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiO_x:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光。当材料中氧硅含量比约为1和1.76时，分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光。从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系，表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程。提出氢化非晶氧化硅薄膜中发生铒离子来自于富氧区，并对实验现象进行了解释。氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱。从15到250K,光致发光强度减弱约1/2。 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiO_x:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光。当材料中氧硅含量比约为1和1.76时，分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光。从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系，表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程。提出氢化非晶氧化硅薄膜中发生铒离子来自于富氧区，并对实验现象进行了解释。氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱。从15到250K,光致发光强度减弱约1/2。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5176.pdf: 337817 bytes, checksum: 9edd49388ddff4e7e9b948b33111f106 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院上海技术物理所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
梁建军;王永谦;陈维德;王占国;常勇.掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究,物理学报,2000,49(7):1386 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
