MSM光探测器的直流特性
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
在稳态条件下金属-半导体-金属(MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解。在这种条件下，器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解。该文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程，并将这一结果应用于具体的InGaAs MSM光探测器的直流等效电路模型上，取得了很好的效果。 在稳态条件下金属-半导体-金属(MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解。在这种条件下，器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法求解。该文从电流连续方程和传输方程出发详细推导了这一过程，并将这一结果应用于具体的InGaAs MSM光探测器的直流等效电路模型上，取得了很好的效果。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5355.pdf: 235123 bytes, checksum: 810f6b182debe1aa5d526ac347d9334d (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
武术;林世鸣;刘文楷.MSM光探测器的直流特性,半导体学报,2001,22(11):1462 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
