H[DEHP]从不同介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、Yb、Lu)及Fe(III)、Zn(II)的机理

本文分另研究了H[DEHP]从不同酸性介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、yb、Lu)及Fe(III)、Zn(II)的机理及性能。一、H[DEHP]从 H_2SO_4介质中萃取Sc(III)的机理 1. H[DEHP]萃取H_2SO_4及其机理 2. H[DEHP]萃取Sc(III)的机理，用斜率法和饱和法确定了H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4溶液中萃取Sc_2(SO_4)_3的机理及萃合物组成。研究表明，H[DEHP]萃取Sc(III)在高、低两种酸度范围内存在着两种不同的萃取机理。二、H[DEHP]从HCl介质中萃取Ln(III)和Fe(III)的性能及H[DEHP]萃取Ln(III)的机理研究了H[DEHP]的正庚烷溶液从HCl介质中萃取稀土（III）(Sc、Y、Ho、Er、Yb、Lu)和Fe(III)的性能，得出H[DEHP]在相同条件下萃取以上各金属离子的顺序是：Sc(III)>Fe(III)>Lu(III)>Yb(III)>Er(III)>Y(III)>Ho(III), 并计算了各金属离子之间的分离因素（β）。文中还讨论了Sc(III)、Fe(III)、Lu(III)之间的分离以及重稀土离子间的萃取分离，同时与相同实验条件下HEH[EHP]的萃取性能进行了比较，为新的萃取体系提供了一些参数。三、H[DEHP]从不同介质中萃取Fe(III)的机理，研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介质中和H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4介质中萃取Fe(III)的平衡规律；用斜率法、饱和法以及IR和NMR谱等讨论了低酸度下的萃取机理。四、H[DEHP]萃取Zn(II)的机理，研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介中萃取Zn(II)的平衡，利用斜率法、饱和法及SR、NMR谱等讨论了低Hcl浓度下的萃取机理。

具有生物兴趣的金属络合物的制备与结构研究

维生素B_1(V_(B_1))是一种动物体内不可缺少的生物催化剂，它的生物功能只有在某些二价金属离子存在时才能得以发挥。本工作制备了维生素B_1与Mn(II)，Co(II)，Cu(II)，Zn(II)，Cd(II)，Hg(II)等六种过渡金属的络合物，对其进行了元素分析及红外光谱，核磁共振增，紫外一可见光谱，萤光光谱，X-射线晶体结构，热重等性质的测定。研究了上述络合物的结构特性及生成机理。结果表明。V_(B_1)与上述金属离子可以生成三种类型的络合物—离子型、M-N 配位型号以及M-O配位与离子键共存型。其中最后一种类型的V_(B_1)—金属络合物是本工作中新的发现。我们首次制得了属于M-O配位与离子键共存类型的V_(B_1)-Hg络全物并测定了它的晶体结构，首次测定了Zn-V_(B_1)络合物的晶体结构。根据光谱学，波谱学性质推测了其他络合物的化学结构。本工作还制备了维生素P的主要组分芦丁和四氯四碘萤光素二个系列各十三种稀土元素 络合物并对其进行了元素分析及热重，电导，红外光谱、紫外—可见光谱等性质的测定，研究了这些络合物的化学结构及生成机理。

钙钛石型复合氧化物La_xSr_(1-x)M_yM'_(1-y)O_3(M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和催化性能的研究

钙钛石型复合氧化物由于具有许多独特的物理化学性质，如多种类型的磁性和导电性、对多种物理和化学因素的敏感性、高温下的稳定性和结构的明确易调性等长期以来一直受到固体物理、固体化学和催化科技工作者重视，本文第一部分详细总结了文献中有关这类氧化物的结构、电子状态、电磁性质、表面吸附性能、稳定性以及反应机理和催化性能等方面的重要结果。第二部分为催化剂的制备和表征方法。第三部分针对文献中研究较少的B位取代钙钛石型氧化物，系统研究了系列化合物LaM_yM'_(1-y)O_a (M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和对NH3和CO氧化反应的催化性能，讨论了它们之间的关系。1. 催化剂的制备、晶体结构与光谱性质。2. LaM_yM'_(1-y)O_3(M、M' = Mn、Fe、Co)r的氧化还原性质和稳定性。3. 过渡金属离子的状态及其之间的相互作用。4. 催化剂中氧的形态。5. 氨氧化性能与固体物化性质之间的关系。6. 一氧化碳氧化与固体物化性质之间的关系。

四卤合金属酸有机铵功能材料的结构和固－固相变研究

本文基于固态化学原理，采用激光拉曼光谱，付里叶交换红外光谱，热分析和X－射线四圆衍射等现代手段，系统地研究了[n-C_nH_(2n+1)NH_3)]_2MX_4 (M = Cu, Mn, Cd, Zn, Co; X = Cl, Br; n = 7-12,16)体系配合物的结构，热力学性质和固－固相变机理等方面。得到了一些有意义的结果。第一章主要是综述，介绍了该体系配合物的一般结构和在晶体色，热分析以及分子振动光谱研究方面的进展。第二章叙述了实验中所采用的基本方法。第三章是关于配合物的晶体结构，确定了四个典型配合物的晶体结构。首次确定了以Co为中心金属离子的[NH_3-(CH_2)_3-NH_3]CoCl_4双铵类配合物的结构。在第四章热分析研究中，系统探讨了影响配合物热稳定性，固－固相变参数的因素。首先总结了热稳定性随烷烃链长，中心金属离子和卤素配体的变化规律。第五章是红外光谱研究。在广泛的光谱区域研究了特征谱带和结构的关系。第六章着重研究了C_nZn系列配合物的拉曼光谱和相变机理。也得到了C_nCuCl配合物的共振拉曼光谱，并进行了归属。在最后一章，给出了本工作的主要结论和对今后工作的展望。

LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS

We report lithium passivation of the shallow acceptors Zn and Cd in p-type GaAs which we attribute to the formation of neutral Li-Zn and Li-Cd complexes. Similar to hydrogen, another group-I element, lithium strongly reduces the concentration of free holes when introduced into p-type GaAs. The passivation is inferred from an increase of both the hole mobility and the resisitivity throughout the bulk of the sample. It is observed most clearly for Li concentrations comparable to the shallow-acceptor concentration. In addition, compensation of shallow acceptors by randomly distributed donors is present in varying degree in the Li-diffused samples. Unlike hydrogenation of n-type GaAs, Li doping shows no evidence of neutralizing shallow donors in GaAs.

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.

Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions

A GaSb crystal incorporated with Mn has been grown by the Bridgman method on the Polizon facility onboard the FOTON-M3 spacecraft. Structural defects and growth striations have been successfully revealed by the chemical etching method. By calculating various parameters of the convection, the striation patterns can be explained, and the critical value of the Taylor number, which characterizes the convective condition of the rotating magnetic field induced azimuthal flow, was shown. The stresses generated during crystal growth can be reflected by the observations of etch pit distribution and other structural defects. Suggestions for improving the space experiment to improve the quality of the crystal are given.

第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.

Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.

Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn_3As_2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20～120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga_(0.51)In_(0.49)P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。

外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.