第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象. 国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邢海英;范广涵;章勇;赵德刚.第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN,物理学报,2009,58(1):450-458 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
