Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大. 国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邢海英;范广涵;赵德刚;何苗;章勇;周天明.Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究,物理学报,2008,57(10):6513-6519 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
