Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)

Self-assembled InAs quantum wires (QWRs) embedded in In0.52Al0.48As, In0.53Ga0.47As, and (In0.52Al0.48As)(n)/(In0.53Ga0.47As)(m)-short-period-lattice matrices on InP(001) were fabricated with molecular beam epitaxy (MBE). These QWR lines are along [110], x 4 direction in the 2 x 4 reconstructed (001) surface as revealed with reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Alignment of quantum wires in different layers in the InAs/spacer multilayer structures depends on the composition of spacer layers. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions

We report experiments on high de current stressing in commercial III-V nitride based heterojunction light-emitting diodes. Stressing currents ranging from 100 mA to 200 mA were used. Degradations in the device properties were investigated through detailed studies of the current-voltage (I-V) characteristics, electroluminescence, deep-level transient Fourier spectroscopy and flicker noise. Our experimental data demonstrated significant distortions in the I-V characteristics subsequent to electrical stressing. The room temperature electro-luminescence of the devices exhibited a 25% decrement in the peak emission intensity. Concentration of the deep-levels was examined by deep-level transient Fourier spectroscopy, which indicated an increase in the density of deep-traps from 2.7 x 10(13) cm(-3) to 4.2 x 10(13) cm(-3) at E-1 = E-C - 1.1 eV. The result is consistent with our study of 1/f noise, which exhibited up to three orders of magnitude increase in the voltage noise power spectra. These traps are typically located at energy levels beyond the range that can be characterized by conventional techniques including DLTS. The two experiments, therefore, provide a more complete picture of trap generation due to high dc current stressing.

Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe

A low-temperature Si0.8Ge0.2 (LT-Si0.8Ge0.2) interlayer was grown at 500 degrees C to improve the relaxed Si0.8Ge0.2 surface and reduce the dislocation density in it, which was confirmed by the change of reflective high-energy electron diffraction (RHEED) pattern from spotty to streaky and etch pits counts. For the same extent of strain; the threading dislocation density was reduced from 8 x 10(7) cm(-2) in the latter to 2 x 10(6) cm(-2) in the former. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6

SiC was grown on Si (100) substrates oriented and off-oriented by 2-5 degrees towards [011] with simultaneous supply of C2H4 and S2H6 at 1050 degrees C. SiC formed during removal of oxide could be removed at 1150 degrees C. Twinned growth occurred on both oriented and off-oriented substrates during carbonization, but fewer twins formed on the off-oriented substrate than that on the oriented substrate. In SiC growth process, twinned growth continued on the off-oriented substrate whereas twinned growth stopped and single crystal SiC with double-domain (2 x 1) superstructure formed on the oriented substrate. SiC single crystal could grow on a carbonized twinned buffer layer. Obvious SiC LO and TO phonon modes were observed with Raman spectroscopy in the epilayer grown on the oriented substrate. The surface of the epilayer grown on the oriented substrate was smooth, while there was a high density of islands on the epilayer grown on the off-oriented substrate. The film grown on the oriented substrate is superior than that grown on the off-oriented substrate. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures

A systematic study of electron cyclotron resonance (CR) in two sets of GaAs/Al0.3Ga0.7As modulation-doped quantum-well samples (well widths between 12 and 24 nm) has been carried out in magnetic fields up to 30 T. Polaron CR is the dominant transition in the region of GaAs optical phonons for the set of lightly doped samples, and the results are in good agreement with calculations that include the interaction with interface optical phonons. The results from the heavily doped set are markedly different. At low magnetic fields (below the GaAs reststrahlen region), all three samples exhibit almost identical CR which shows little effect of the polaron interaction due to screening and Pauli-principle effects. Above the GaAs LO-phonon region (B > similar to 23 T), the three samples behave very differently. For the most lightly doped sample (3 x 10(11) cm(-2)) only one transition minimum is observed, which can be explained as screened polaron CR. A sample of intermediate density (6 x 10(11) cm(-2)) shows two lines above 23 T; the higher frequency branch is indistinguishable from the positions of the single line of the low density sample. For the most heavily, doped sample (1.2 x 10(12) cm(-2)) there is no evidence of high frequency resonance, and the strong, single line observed is indistinguishable from the lower branch observed from sample with intermediate doping density. We suggest that the low frequency branch in our experiment is a magnetoplasmon resonance red-shifted by disorder, and the upper branch is single-particle-like screened polaron CR. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

半导体的检测与分析

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

A 10-bit 2GHz current-steering CMOS D/A converter

This paper presents a 2GS/s 10-bit CMOS digital-to-analog converter (DAC). This DAC consists of a unit current-cell matrix for 6MSBs and another unit current-cell matrix for 4LSBs, trading off between the precision and size of the chip. The Current Mode Logic (CML) is used to ensure high speed, and a double Centro-symmetric current matrix is designed by the Q(2) random walk strategy in order to ensure the linearity of the DAC. The DAC occupies 2.2 x 2.2 mm2 of die area, and consumes 790mw at a single 3.3V power supply.

Influence of A-type Zeolite on Methane Hydrate Formation

The porous medium has an important effect on hydrate formation. In this paper, the formation process and the gas storage capacity of the methane hydrate were investigated with A-type zeolite and Sodium Dodecyl Sulfate (SDS) existing in the system. The results show that A-type zeolite can influence methane hydrate formation. At the temperature of 273.5 K and pressure of 8.3 MPa, the distilled water with A-type zeolite can form methane hydrate with gaseous methane in 12 hours. The formation process of the system with A-type zeolite was quite steady and the amount of A-type zeolite can influence the gas storage capacity significantly. The adding of A-type zeolite with 0.067 g.(g water)(-1) into 2 x 10(-3) g.g(-1) SDS-water solution can increase the gas storage capacity, and the maximum increase rate was 31%. Simultaneously the promotion effect on hydrate formation of 3A-type zeolite is much more obvious than that of 5A-type zeolite when the water adding amounts are 0.033 g.g(-1) and 0.067 g.g(-1) at the experimental conditions.

Polarization holographic high-density optical data storage in bacteriorhodopsin film

Optical films containing the genetic variant bacteriorhodopsin BR-D96N were experimentally studied in view of their properties as media for holographic storage. Different polarization recording schemes were tested and compared. The influence of the polarization states of the recording and readout waves on the retrieved diffractive image's intensity and its signal-to-noise ratio were analyzed. The experimental results showed that, compared with the other tested polarization relations during holographic recording, the discrimination between the polarization states of diffracted and scattered light is optimized with orthogonal circular polarization of the recording beams, and thus a high signal-to-noise ratio and a high diffraction efficiency are obtained. Using a He-Ne laser (633 nm, 3 mW) for recording and readout, a spatial light modulator as a data input element, and a 2D-CCD sensor for data capture in a Fourier-transform holographic setup, a storage density of 2 x 10(8) bits/cm(2) was obtained on a 60 x 42 mu m(2) area in the BR-D96N film. The readout of encoded binary data was possible with a zero-error rate at the tested storage density. (c) 2005 Optical Society of America.

贵金属（Au, Ag, Pt, Pd）纳米材料的可控合成及性能研究

功能化的贵金属纳米材料的设计和可控制备在材料科学研究领域引起了人们广泛的关注。贵金属纳米材料的光学、电学、磁学和催化等物理和化学性质不但与其大小有关，而且还与其形貌息息相关。因此寻求简单而有效的低温溶液合成途径以实现对贵金属纳米材料的尺寸和形貌控制尤为重要。本论文的主要研究内容可以归纳如下： (1)在水溶液中利用种子生长方法分别制备了核壳Au-Pd/Pt三金属复合纳米粒子和三层的核壳AuAg复合纳米粒子。这些纳米粒子的尺寸和组成可以通过改变金种子的加入量来加以调控。 (2)通过种子生长和取代沉积相结合的方法制备了具有金核铂/银双金属壳的铃铛状纳米粒子。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线光电子能谱对所得纳米粒子的尺寸、结构和组成进行了表征。 (3)以二肽甘氨酰甘氨酸作为模板合成了具有[111]取向的单晶银纳米片。通过改变实验条件探讨了片状银纳米结构的形成机理。片状银纳米结构的产率可达到80%，反应物之间的摩尔比对产物的尺寸和形貌有至关重要的作用。 (4)将K3[Fe(CN)6]和Na2S2O3的混合溶液进行水热处理，得到了具有立方体形貌的FeIIIFeIII(CN)6（柏林绿）微晶。实验结果显示K3[Fe(CN)6]和Na2S2O3的摩尔比及其浓度对所得产物的尺寸、形貌和组成有决定性的作用。 (5)在室温下通过混合3, 3', 5, 5'-四甲基联苯胺和氯铂酸，成功合成了有机-无机杂化的纳米纤维。纳米纤维的尺寸和形状可以通过改变反应物的比和浓度加以控制。基于不同的实验结果，提出了纳米纤维的可能形成机理。

有序纳米薄膜的组装及其结构研究

纳米材料具有一系列新异的物理、化学特性，但是纳米粒子只有组装特定的结构才能制成器件应用于实际。本论文的目标就是制备多种具有特定结构的周期性有序的纳米薄膜，探索化学方法制备各种有机－无机、无机－无机超晶格结构的途径。首次通过布儒斯特角显微镜，观察到了 SnO_2、Fe_2O_3 及 TiO_2 等无机氧化物纳米溶胶在其与空气的界面上能自发成膜的现象，并进一步对 SnO_2 纳米溶胶界面所形成的界面膜进行了详细研究，发现在空气与 SnO_2 纳米溶胶界面形成稳定的界面膜约需 8 h，膜厚约为 20 nm，垂直方式转移的膜质量比较好，膜的组成为非化学计量比的 SnO_(2-x)，其中存在着大量的氧空位。虽然随着在空气中放置时间的增长，发现转移出来的膜不很稳定，膜中粒子有长大的倾向，但是薄膜始终处于纳米量级，而且这种方法操作简单、适于规模化生产，因此仍不失为一种制备无机氧化物纳米薄膜的方法。为了达到使纳米粒子稳定和有序化的双重目的，制备了花生酸掺杂的 DBS 包裹的 SnO_2 纳米有机溶胶，并采用 LB 技术对其进行了组装。发现花生酸掺杂的 SnO_2 纳米粒具有很好的成膜性，崩溃压可达 60 mN/m，可以成功地往固体基片上转移上百层，转移比均在 0.8-1.0 之间。转移膜的红外光谱、紫外光谱及 X 光电子能谱的研究表明，转移多层膜的组成为 SnO_2 和花生酸，包裹 SnO_2 纳米粒子的 DBS 为花生酸所代替而溶于亚相水中。转移膜非常均匀，由 100 nm 左右的畴构成，畴由更小的粒子组成。偏振红外光谱和小角 X 射线衍射的研究表明花生酸在膜中是取向排列的，碳链与其法线约成 10.2°夹角，SnO_2 纳米粒子和花生酸形成了交替重复的周期性结构，其周期间距为 7.48 nm。采用同样方法，还成功地组装了 TiO_2 纳米粒子和花生酸交替重复的周期性有序结构。进一步对花生酸掺杂的 TiO_2 纳米粒子和 SnO_2 纳米粒子进行了交替组装，发现交替膜是由 SnO_2、TiO_2 和花生酸组成的，花生酸在膜中取向排列，其碳链与法线的夹角为 36°，SnO_2 纳米粒子、TiO_2 纳米粒子和花生酸形成了一种有机物质和两种无机纳米粒子交替重复的 SnO_2－花生酸－TiO_2－花生酸的周期性有序结构，其周期间距为 6.46 nm。得到了几种准一维的有机－无机超晶格结构并找到了制备它们的化学方法。对所得的 SnO_2－花生酸和 SnO_2－花生酸－TiO_2－花生酸的周期性有序结构直接进行了热处理，并对组合体的变化进行了研究。发现热处理后，膜中的有机成分完全分解，前者的周期性结构遭到彻底破坏，但是却得到了沿 (101)晶面取向的 SnO_2 薄膜；后者的周期性结构经过一系列的变化，却依然保持，形成了 SnO_2 纳米粒子和 TiO_2 纳米粒子交替重复的周期性有序结构。开辟了一条采用化学方法制备准一维的无机－无机超晶格材料的途径。成膜物质在亚相表面形成稳定的单层膜的条件和单层膜向固体基片的转移条件是制备高质量 LB 膜的关键，重点对花生酸在 YCl_3 稀溶液表面的成膜行为进行了研究，发现亚相的 pH 值和溶剂的挥发时间对单分子膜的形成都具有很大影响，所形成的单分子膜在该亚相表面是不可逆的。进一步研究了单层膜的转移条件，并选定最佳条件将单分子膜转移到固体基片上，对膜的组成、形貌等进行了多种表征测试。发现我们得到了是结构非常好的含有三个链的花生酸钇 M(AA)_3 的 Y－型的周期性结构，碳链在膜中与基底法线的夹角为 28.5°，而不是有的文献认为的羟基化的花生酸钇 M(AA)_2OH LB 膜。

杂多化合物的氧化还原性质、自组装和应用

1．利用电化学和现场紫外-可见-近红外光谱电化学的方法，系统研究了一系列过渡金属取代杂多化合物ZnW_(11)M(M = Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn)的电化学行为。所有的这些化合物都在相近的电位处表现出四对连续的基于W中心的氧化还原反应。研究表明，ZnW_(11)M中基于W中心的氧化还原反应可能反映了它那个未知的缺位阴离子ZnW_(11)的氧化还原反应。此外，电活性过渡会属取代杂多化合物ZnW_(11)M(M = Cu，Fe，Mn)还表现了过渡金属M的氧化还原反应。例如：ZnW_(11)Cu~(11)表现出Cu的沉积和溶出，ZnW_(11)Fe~(III)在正电位处有一特殊的源于Fe的氧化还原反应，ZnW_(11)Mn则发生一个氧化反应和两个还原反应。根据实验结果我们提出了一些基本的反应机理。选取HNO_2为底物考察了这一系列过渡金属取代杂多化合物的电催化性能。通过比较电催化还原电流的大小，我们可以定性地排出这一系列过渡金属取代杂多化合物对HNO_2还原反应的电催化性能的顺序（由高到低）：ZnW_(11)Cu > ZnW_(11)Co > ZnW_(11)Cr和ZnW_(11)Fe > ZnW_(11)Zn、ZnW_(11)Mn和ZnW_(11)Ni。这一系列过渡金属取代杂多化合物的电催化性能的差别，可能主要是来自于它们分子结构中所取代的过渡金属元素的影响。实验证明ZnW_(11)M对HNO_2还原反应的电催化过程中产生NO气体。2．采用末端带有电荷的烷基硫醇首先自组装在金电极表面形成前体膜，在此前体膜上成功地沉积出杂多阴离子和一种阳离子聚合物的多层膜。利用多种技术对这种多层膜进行了表征，包括紫外可见光谱法、X射线光电子能谱法、反射-吸收红外光谱法、电化学石英晶体微天平法等。而且我们把这种修饰方法推广应用于不同结构类型、不同组成的杂多阴离子和同多阴离子中去，制备了它们的多层膜。利用原位EQCM技术研究了杂多酸分子的吸附动力学行为及电化学反应过程中的离子传输特性。实验结果表明，在修饰膜的电化学反应过程中，HSO_4~-离子的迁移在膜的电荷补偿中是必不可少的。修正并发展了依据原位EQCM技术考察迁移物种特性的方法，并基于此详细分析了HPA分子在各种修饰条件下电化学反应中正常及反常的频率响应及离子迁移行为。3．首次开发出来一种新颖的多层膜成膜方法-电化学生长法，并应用于制备含杂多化合物的多层膜中。通过多种技术表征，证明了电化学生长法比文献中通用的浸泡法更优越，可以在含有支持电解质的溶液里成膜而没有其它离子竞争吸附的缺点，制备出的自组装多层膜生长更均匀、超薄且功能良好。电化学生长法可望在制备其它种类的多层膜中会有广泛的应用。同时，我们也比较了这两种多层膜对于底物BrO_3~-和HNO_2还原反应的电催化作用。特别地，我们详细考察了多层膜厚度和最外层种类对电催化反应的影响。我们发现电催化性能随着多层膜层数（厚度）的增加而增长，这意味着我们可以通过调节多层膜的层数来达到最有效的催化性能，这一点是多层膜修饰电极优越于其它类型修饰电极最突出的优点之一。此外，我们还发现QPVP-Os最外层对催化反应有着一定的阻碍作用。这些影响作用可以从多层膜中电催化剂沉积量的多少和QPVP-Os最外层的屏蔽作用得以解释。4．尽管SiW_(l2)O_(40)~(4-)不能直接吸附在裸金电极的表面形成单层膜，我们成功地在预先自组装有半胱氨的金电极上制备出来了SiW_(12)O_(40)~(4-)单层膜。但是，这种SiW_(12)O_(40)~(4-)单层膜化学修饰电极的稳定性较差。基于同阳离子聚合物QPVP-Os的静电相互作用，我们成功地制备了均匀的SiW_(l2)O_(40)~(4-)多层膜。SiW_(l2)O_(40)~(4-)多层膜CMEs对BrO_3~-，H_2O_2和HNO_2的还原表现出显著的催化效应。对HNO，还原的催化效应随着层数由l到3的增加而增强，而这种催化效应的增强却随着层数由3到7而趋于平缓。由于多层膜结构是建立在同QPVP-Os的强烈的静电作用上的，因此SiW_(12)O_(40)~(4-)多层膜CMEs比单层膜CMEs有更好的稳定性。我们主要利用电化学方法（循环伏安法，CV）、紫外可见光谱法(UV-vis)、X-射线光电子能谱法(XPS)、X-射线反射法(XR)和电化学交流阻抗法(EIS)，对这种杂多阴离子自组装多层膜的成膜过程、多层膜结构和组成进行了进一步地表征。5．通过氨阳离子自由基修饰方法，把4-氨基苯甲酸修饰到玻碳电极表面。研究了该单层膜对多种电活性分子的影响，膜的阻滞行为主要是由于静电相互作用所导致的。利用循环伏安和电化学交流阻抗法考察了4-氨基苯甲酸修饰电极对不同酸度条件下铁氰化钾的电子传递情况，并测得了它的表面pKa值大约为3.1。以修饰在玻碳电极表面的4-氨基苯甲酸单层膜为前体膜，成功地静电沉积了阳离 子聚合物QPVP-Os和多种杂多化合物组成的多层膜。采用循环伏安法详细研究了这种杂多化合物单层膜和多层膜的电化学行为，并且考察了这种复合膜对三种底物BrO_3~-,HNO_2及H_2O_2的还原反应的电催化性能。6．类似地，在4-氨基苯甲酸修饰的玻碳电极表面上，我们也成功地制备了SiW_(12)的多层膜。循环伏安、X-射线光电子能谱和X-射线反射的实验结果证明多层膜的生长非常均匀而且稳定。X-射线反射实验测定了多层膜中每个SiW_(12)/QPVP-Os双层的平均厚度为30.3A。这种复合膜对Br0_3~-，HNO_2和H_2O_2还原有明显的催化活性，并且在较大的浓度范围内催化电流与浓度具有良好的线性关系。更有意义的是，随着SiW_(12)多层膜层数的增加（固定在多层膜中催化剂量的增加），多层膜的催化能力具较大程度地提高。因此，我们可以通过合理地控制多层膜的厚度来改善其催化活性及分析测定的灵敏度，从而达到最佳的催化效能和优化出最适宜的实验条件。由于电极的稳定性较好，期望可以实际用于Br0_3~-，HNO_2和H_20_2的检测。7．采用电化学生长方法在4-氨基硫酚自组装膜修饰的金电极上，制备了包含杂多阴离子（SiMo_(11)VO_(40)~(5-)和Pr(SiMo_7W_4)O_(40)~(5-)）和阳离子聚合物PDDA的多层膜修饰电极。用循环伏安法研究了多层膜修饰电极的电化学行为。在多层膜生长过程中，我们发现Mo的第三个氧化还原峰随多层膜层数的增加显著增长，而前两个氧化还原峰增长缓慢甚至不增长，这可能是由于PDDA对Mo的前两个还原峰有一定的阻碍作用所导致的。多层膜修饰电极的峰电位随pH的增加而线性负移，表明有氢离子参与到杂多阴离子的氧化还原反应中。多层膜修饰电极对BrO_3~-和HNO_2的还原反应有良好的电催化作用，Mo的第三个还原峰峰电流与BrO_3~-的浓度都有良好的线性关系，并且催化电流随着多层膜层数的增加而增长。8．我们考察了首先通过静电沉积技术（离子键组装）成膜，然后经过后续光化学反应来制备一类含聚苯胺的基于共价键结合的多层膜。通过紫外光的辐照，膜的交联结构可由离子键型转变为共价键型。溶剂刻蚀的结果表明此种共价键合多层膜有更好的稳定性。电化学实验表明，以此种方式组装在多层膜中的聚苯胺仍保留了其电化学性质。

氟化物晶体中铕（II）及其共掺体系的光谱化学

利用坩埚下降法生长了KMgF_3:Eu~(2+)和KMgF_3:Eu~(2+)-X(X=Gd~(3+)、Ce~(3+)、Cr~(3+)、Cu~(+))等12种单晶体。测试了所有单晶体的UV-Vis吸收光谱、近红外吸收光谱、低分辨荧光光谱以及在300 K和77 K的高分辨发射光谱。测试了所有晶体研成粉末后的漫反射光谱。光谱研究表明，晶体中含有氧中心和色心，发现了氧中心和色心与掺杂离子之间的能量传递。不同掺杂离子之间的光谱相互影响，并存在能量传递现象。首次研究了Eu~(2+)振动光谱与其它掺杂离子格位取代的关系，发现从振动光谱的研究可以获得许多有用的信息。利用时间分辨技术测量了4种晶体中Eu~(2+) ~6P_(7/2)激发态的四能级衰减模型和双指数拟合方程，并从光谱上证实了该模型的正确性。对双指数拟合方程中每一项参数的物理意义给出了明确的解释。根据这些拟合常数，建立了一种研究能量传递现象和机理的新方法。首次发现了Eu~(2+)和Ce~(3+)通过d-d相互作用发生的能量传递现象。根据我们建立的模型和可获得的文献数据，从理论和实验上证明了KMgF_3:Eu~(2+)晶体存在净光学增益。

Ni-MH电池稀土AB_2型贮氢合金负极材料的研究

本文主要对稀土AB_2型贮氢合金用于Ni-MH电池负极材料的电化学性能进行了研究。结果表明，（一）通过优化合金组分，发现多相结构的 LaNi_(2-x)Al_x合金(0.15 ≤ x ≤ 0.25)显示突出的放电性能和长的循环寿命；（二）非化学计量比贮氢合金呈现更高的放电容量和满意的活化性能；（三）原材料的纯度对合金的电极性能影响甚微；（四）退火使合金的结构重整，但对合金电极的电化学性能不利；（五）长时间球磨可以促进活化，但导致电化学容量迅速衰减；短时间球磨大大增加放电容量和提高倍率放电性能；（六）合金电极高能辐照可以激活合金电极的表面活性，促进活化，有效的控制自放电；（七）随着在热碱液中浸泡时间的增加，合金电极的充放电性能得到明显的改善；（八）以镍粉为导电剂的合金电极比以铜粉为导电剂的合金电极有较好的综合电化学性能；（九）温度对合金的电极性能有很大影响。在30 ℃和40 ℃ 测试温度下所得的放电容量几乎相同，但在60 ℃和70 ℃放电容量开始减少。随着温度增加，电极的活化过程加速，高倍率放电能力略有所增加。合金电极呈现不理想的低温放电性能；（十）循环后合金电极的 XPS、XRD、ICP、SEM的图谱分析表明，LaNi_2基合金的腐蚀是造成容量衰减的主要原因，合金的本征衰退也可能是造成容量衰减的原因之一。

茚基含氮、氧侧链分子内配位稀土有机化合的合成和性质

稀土有机碳σ-键配合物和氢化物不仅可以催化许多有机反应,而且还可以催化极性单体与非极性单体的聚合.作为稀土有机碳σ-键配合物与氢化物的前体,双配稀土氯化物(C<,9>H<,7>)<,2>LnCl一直是稀土有机化学中研究的热点.1.合成了一系列双配(四氢糠基茚基)稀土氯化物(C<,4>H<,7>OCH<,2>C<,9>H<,6>)<,2>LnCl(Ln=La,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Y,Ho,Er,Yb,Lu).除了Pr以外,所有化合物的晶体结构都被X-射线衍射表征.2.合成并用X-衍射表征了3-(2-吡啶甲基)茚基锂(C<,5>H<,4>NCH<,2>C<,9>H<,6>)Li(THF)<,2>的晶体结构.3.合成了双配[3-(2-吡啶甲基)茚基]稀土氯化物(C<,5>H<,4>NCH<,2>C<,9>H<,6>)<,2>LnCl(Ln=Sm,Nd),并得到了配合物Nd的晶体结构.4.用二碘化钐(镱)与3-(2-吡啶甲基)茚基锂反应合成了二价双配[3-(2-吡啶甲基)茚基]稀土配合物(C<,5>H<,4>NCH<,2>C<,9>H<,6>)<,2>Ln(Ⅱ)(THF)(Ln=Sm,Yb).5.在用无水氯化稀土YbCl<,3>与3-(2-吡啶甲基)茚基锂反应合成双配[3-(2-吡啶甲基)茚基]稀土氯化物时,由于发生了还原反应,得到了二价双配[3-(2-吡啶甲基)茚基]镱化物(C<,5>H<,4>NCH<,2>C<,9>H<,6>)<,2>Yb(Ⅱ)(THF).6.二价双配[3-(2-吡啶甲基)茚基]稀土配合物(C<,5>H<,4>NCH<,2>C<,9>H<,6>)<,2>Ln(Ⅱ)(THF)(Ln=Sm,Yb)对已内酯具有很好的催化聚合活性.聚合反应可控,并具有活性聚合的特征.