Proyecto para el desarrollo del cultivo de especies marinas en instalaciones en mar abierto

Proyecto para el desarrollo del cultivo de especies marinas en instalaciones en mar abierto en la República del Ecuador

Rincones inéditos de antigua arquitectura española. La plaza de Nava del Rey (Valladolid). El convento de Santo Domingo de Estella (Navarra). El castillo de Alba de Tormes (Salamanca)

Artículo incluido en la recopilación "Sobre monumentos y otros escritos". Paginación original de la revista Arquitectura: 309-314

Bases para la confección del mapa metalogenético de Castilla-La Mancha

Con la presente comunicación, queremos presentar un proyecto de investigación, encaminado a la realización del Mapa Metalogénico de Castilla - La Mancha. En este proyecto van a participar profesores y personal investigador, de las Escuelas Universitarias Politécnicas de Almadén y de Manresa, pertenecientes respectivamente a la Universidad de Castilla- La Mancha, y a la Universidad Politécnica de Catalunya.

Si(100) versus Ge(100): Watching the interface formation for the growth of III-V-based solar cells on abundant substrates

We investigated the atomic surface properties of differently prepared silicon and germanium (100) surfaces during metal-organic vapour phase epitaxy/chemical vapour deposition (MOVPE/MOCVD), in particular the impact of the MOVPE ambient, and applied reflectance anisotropy/difference spectroscopy (RAS/RDS) in our MOVPE reactor to in-situ watch and control the preparation on the atomic length scale for subsequent III-V-nucleation. The technological interest in the predominant opto-electronic properties of III-V-compounds drives the research for their heteroepitaxial integration on more abundant and cheaper standard substrates such as Si(100) or Ge(100). In these cases, a general task must be accomplished successfully, i.e. the growth of polar materials on non-polar substrates and, beyond that, very specific variations such as the individual interface formation and the atomic step structure, have to be controlled. Above all, the method of choice to grow industrial relevant high-performance device structures is MOVPE, not normally compatible with surface and interface sensitive characterization tools, which are commonly based on ultrahigh vacuum (UHV) ambients. A dedicated sample transfer system from MOVPE environment to UHV enabled us to benchmark the optical in-situ spectra with results from various surfaces science instruments without considering disruptive contaminants. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) provided direct observation of different terminations such as arsenic and phosphorous and verified oxide removal under various specific process parameters. Absorption lines in Fourier-transform infrared (FTIR) spectra were used to identify specific stretch modes of coupled hydrides and the polarization dependence of the anti-symmetric stretch modes distinguished different dimer orientations. Scanning tunnelling microscopy (STM) studied the atomic arrangement of dimers and steps and tip-induced H-desorption proved the saturation of dangling bonds after preparati- n. In-situ RAS was employed to display details transiently such as the presence of H on the surface at lower temperatures (T <; 800°C) and the absence of Si-H bonds at elevated annealing temperature and also surface terminations. Ge buffer growth by the use of GeH4 enables the preparation of smooth surfaces and leads to a more pronounced amplitude of the features in the spectra which indicates improvements of the surface quality.

Optimizing Bottom Subcells for III-V-on-Si MultiJunction Solar Cells

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on silicon for photovoltaic applications. Such integration would offer a cost breakthrough for photovoltaic technology, unifying the low cost of silicon and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. In this study, we analyze several factors influencing the performance of the bottom subcell of this dual-junction, namely, 1) the formation of the emitter as a result of the phosphorus diffusion that takes place during the prenucleation temperature ramp and during the growth of the III-V layers; 2) the degradation in surface morphology during diffusion; and 3) the quality needed for the passivation provided by the GaP layer on the emitter.

Integration of III-V materials on Silicon Substrates for Multi-junction Solar Cell Applications

The work presented here aims to reduce the cost of multijunction solar cell technology by developing ways to manufacture them on cheap substrates such as silicon. In particular, our main objective is the growth of III-V semiconductors on silicon substrates for photovoltaic applications. The goal is to create a GaAsP/Si virtual substrates onto which other III-V cells could be integrated with an interesting efficiency potential. This technology involves several challenges due to the difficulty of growing III-V materials on silicon. In this paper, our first work done aimed at developing such structure is presented. It was focused on the development of phosphorus diffusion models on silicon and on the preparation of an optimal silicon surface to grow on it III-V materials.

XPS as Characterization Tool for PV: From the Substrate to Complete III-V Multijunction Solar Cells

This contribution aims to illustrate the potential of the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique as a tool to analyze different parts of a solar cell (surface state, heterointerfaces, profile composition of ohmic contacts, etc). Here, the analysis is specifically applied to III-V multijunction solar cells used in concentrator systems. The information provided from such XPS analysis has helped to understand the physico-chemical nature of these surfaces and interfaces, and thus has guided the technological process in order to improve the solar cell performance.

Diseño e igualación de canal en sistemas multiportadora basados en la DCT-III

Análisis matemático e implementación de la transformada del coseno tipo 3 para transmisión de señales mediante sistemas multiportadora

DCT Type-III for Multicarrier Modulation

In this paper we propose the use of Discrete Cosine Transform Type-III (DCT3) for multicarrier modulation. There are two DCT3 (even and odd) and, for each of them, we derive the expressions for both prefix and suffix to be appended into each data symbol to be transmitted. Moreover, DCT3 are closely related to the corresponding inverse DCT Type-II even and odd. Furthermore, we give explicit expressions for the 1-tap per subcarrier equalizers that must be implemented at the receiver to perform the channel equalization in the frequency-domain. As a result, the proposed DCT3-based multicarrier modulator can be used as an alternative to DFT-based systems to perform Orthogonal Frequency-Division Multiplexing or Discrete Multitone Modulation

Diccionario biográfico de matemáticos

Este Diccionario Biográfico de Matemáticos incluye más de 2040 reseñas de matemáticos, entre las que hay unas 280 de españoles y 36 de mujeres (Agnesi, Blum, Byron, Friedman, Hipatia, Robinson, Scott, etc.), de las que 11 son españolas (Casamayor, Sánchez Naranjo, Sanz-Solé, etc.). Se ha obtenido la mayor parte de las informaciones por medio de los libros recogidos en el apéndice “Bibliografía consultada”; otra parte, de determinadas obras matemáticas de los autores reseñados (estas obras no están incluidas en el citado apéndice, lo están en las correspondientes reseñas de sus autores). Las obras más consultadas han sido las de Boyer, Cajori, Kline, Martinón, Peralta, Rey Pastor y Babini, Wieleitner, las Enciclopedias Espasa, Británica, Larousse, Universalis y Wikipedia. Entre las reseñas incluidas, destacan las siguientes, en orden alfabético: Al-Khuwairizmi, Apolonio, Arquímedes, Jacob y Johann Bernoulli, Brouwer, Cantor, Cauchy, Cayley, Descartes, Diofanto, Euclides, Euler, Fermat, Fourier, Galileo, Gauss, Hilbert, Lagrange, Laplace, Leibniz, Monge, Newton, Pappus, Pascal, Pitágoras, Poincaré, Ptolomeo, Riemann, Weierstrass, etc. Entre los matemáticos españoles destacan las de Echegaray, Etayo, Puig Adam, Rey Pastor, Reyes Prósper, Terradas (de quien Einstein dijo: “Es uno de los seis primeros cerebros mundiales de su tiempo y uno de los pocos que pueden comprender hoy en día la teoría de la relatividad”), Torre Argaiz, Torres Quevedo, los Torroja, Tosca, etc. Se han incluido varias referencias de matemáticos nacidos en la segunda mitad del siglo XX. Entre ellos descuellan nombres como Perelmán o Wiles. Pero para la mayor parte de ellos sería conveniente un mayor distanciamiento en el tiempo para poder dar una opinión más objetiva sobre su obra. Las reseñas no son exhaustivas. Si a algún lector le interesa profundizar en la obra de un determinado matemático, puede utilizar con provecho la bibliografía incluida, o también las obras recogidas en su reseña. En cada reseña se ha seguido la secuencia: nombre, fechas de nacimiento y muerte, profesión, nacionalidad, breve bosquejo de su vida y exposición de su obra. En algunos casos, pocos, no se ha podido encontrar el nombre completo. Cuando sólo existe el año de nacimiento, se indica con la abreviatura “n.”, y si sólo se conoce el año de la muerte, con la abreviatura “m.”. Si las fechas de nacimiento y muerte son sólo aproximadas, se utiliza la abreviatura “h.” –hacia–, abreviatura que también se utiliza cuando sólo se conoce que vivió en una determinada época. Esta utilización es, entonces, similar a la abreviatura clásica “fl.” –floreció–. En algunos casos no se ha podido incluir el lugar de nacimiento del personaje o su nacionalidad. No todos los personajes son matemáticos en sentido estricto, aunque todos ellos han realizado importantes trabajos de índole matemática. Los hay astrónomos como, por ejemplo, Brahe, Copérnico, Laplace; físicos como Dirac, Einstein, Palacios; ingenieros como La Cierva, Shannon, Stoker, Torres Quevedo (muchos matemáticos, considerados primordialmente como tales, se formaron como ingenieros, como Abel Transon, Bombelli, Cauchy, Poincaré); geólogos, cristalógrafos y mineralogistas como Barlow, Buerger, Fedorov; médicos y fisiólogos como Budan, Cardano, Helmholtz, Recorde; naturalistas y biólogos como Bertalanfly, Buffon, Candolle; anatomistas y biomecánicos como Dempster, Seluyanov; economistas como Black, Scholes; estadísticos como Akaike, Fisher; meteorólogos y climatólogos como Budyko, Richardson; filósofos como Platón, Aristóteles, Kant; religiosos y teólogos como Berkeley, Santo Tomás; historiadores como Cajori, Eneström; lingüistas como Chomsky, Grassmann; psicólogos y pedagogos como Brousseau, Fishbeim, Piaget; lógicos como Boole, Robinson; abogados y juristas como Averroes, Fantet, Schweikart; escritores como Aristófanes, Torres de Villarroel, Voltaire; arquitectos como Le Corbusier, Moneo, Utzon; pintores como Durero, Escher, Leonardo da Vinci (pintor, arquitecto, científico, ingeniero, escritor, lingüista, botánico, zoólogo, anatomista, geólogo, músico, escultor, inventor, ¿qué es lo que 6 no fue?); compositores y musicólogos como Gugler, Rameau; políticos como Alfonso X, los Banu Musa, los Médicis; militares y marinos como Alcalá Galiano, Carnot, Ibáñez, Jonquières, Poncelet, Ulloa; autodidactos como Fermat, Simpson; con oficios diversos como Alcega (sastre), Argand (contable), Bosse (grabador), Bürgi (relojero), Dase (calculista), Jamnitzer (orfebre), Richter (instrumentista), etc. También hay personajes de ficción como Sancho Panza (siendo gobernador de la ínsula Barataria, se le planteó a Sancho una paradoja que podría haber sido formulada por Lewis Carroll; para resolverla, Sancho aplicó su sentido de la bondad) y Timeo (Timeo de Locri, interlocutor principal de Platón en el diálogo Timeo). Se ha incluido en un apéndice una extensa “Tabla Cronológica”, donde en columnas contiguas están todos los matemáticos del Diccionario, las principales obras matemáticas (lo que puede representar un esbozo de la historia de la evolución da las matemáticas) y los principales acontecimientos históricos que sirven para situar la época en que aquéllos vivieron y éstas se publicaron. Cada matemático se sitúa en el año de su nacimiento, exacto o aproximado; si no se dispone de este dato, en el año de su muerte, exacto o aproximado; si no se dispone de ninguna de estas fechas, en el año aproximado de su florecimiento. Si sólo se dispone de un periodo de tiempo más o menos concreto, el personaje se clasifica en el año más representativo de dicho periodo: por ejemplo, en el año 250 si se sabe que vivió en el siglo III, o en el año -300 si se sabe que vivió hacia los siglos III y IV a.C. En el apéndice “Algunos de los problemas y conjeturas expuestos en el cuerpo del Diccionario”, se ha resumido la situación actual de algunos de dichos problemas y conjeturas. También se han incluido los problemas que Hilbert planteó en 1900, los expuestos por Smale en 1997, y los llamados “problemas del milenio” (2000). No se estudian con detalle, sólo se indica someramente de qué tratan. Esta segunda edición del Diccionario Biográfico de Matemáticos tiene por objeto su puesta a disposición de la Escuela de Ingenieros de Minas de la Universidad Politécnica de Madrid.

Impact of MOVPE Environment on Silicon Substrates for III-V-on-Si Multijunction Solar Cells

With the final goal of integrating III-V materials to silicon for tandem solar cells, the influence of the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) environment on the minority carrier properties of silicon wafers has been evaluated. These properties will essentially determine the photovoltaic performance of the bottom cell in a III-V-on-Si tandem solar cell device. A comparison of the base minority carrier lifetimes obtained for different thermal processes carried out in a MOVPE reactor on Czochralski silicon wafers has been carried out. The effect of the formation of the emitter by phosphorus diffusion has also been evaluated.

Understanding phosphorus diffusion into silicon in a MOVPE environment for III-V on silicon solar cells

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III?V materials on silicon for photovoltaic applications. When manufacturing a multi-junction solar cell on silicon, one of the first processes to be addressed is the development of the bottom subcell and, in particular, the formation of its emitter. In this study, we analyze, both experimentally and by simulations, the formation of the emitter as a result of phosphorus diffusion that takes place during the first stages of the epitaxial growth of the solar cell. Different conditions for the Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) process have been evaluated to understand the impact of each parameter, namely, temperature, phosphine partial pressure, time exposure and memory effects in the final diffusion profiles obtained. A model based on SSupremIV process simulator has been developed and validated against experimental profiles measured by ECV and SIMS to calculate P diffusion profiles in silicon formed in a MOVPE environment taking in consideration all these factors.

In situ control of Si(100) and Ge(100) surface preparation for the heteroepitaxy of III-V solar cell architectures

Si(100) and Ge(100) substrates essential for subsequent III-V integration were studied in the hydrogen ambient of a metalorganic vapor phase epitaxy reactor. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) enabled us to distinguish characteristic configurations of vicinal Si(100) in situ: covered with oxide, cleaned by thermal removing in H2, and terminated with monohydrides when cooling in H2 ambient. RAS measurements during cooling in H2 ambient after the oxide removal process revealed a transition from the clean to the monohydride terminated Si(100) surface dependent on process temperature. For vicinal Ge(100) we observed a characteristic RA spectrum after annealing and cooling in H2 ambient. According to results from X-ray photo electron spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy the spectrum corresponds to the monohydride terminated Ge(100) surface.

ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells

In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.

Optimization of the silicon subcell for III-V on silicon multijunction solar cells: key differences with conventional silicon technology

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon (Si) bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on Si for photovoltaic (PV) applications. Such integration would offer a cost breakthrough for PV technology, unifying the low cost of Si and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. The optimization of the Si solar cells properties in flat-plate PV technology is well-known; nevertheless, it has been proven that the behavior of Si substrates is different when processed in an MOVPE reactor In this study, we analyze several factors influencing the bottom subcell performance, namely, 1) the emitter formation as a result of phosphorus diffusion; 2) the passivation quality provided by the GaP nucleation layer; and 3) the process impact on the bottom subcell PV properties.