Tecnología electrónica: materiales y técnicas de fabricación

En esta obra se ofrece al estudiante información de referencia sobre las distintas tecnologías que conforman el amplio área de Ia Electrónica. El objetivo es facilitar al alumno los conocimientos básicos relativos a los distintos dispositivos y componentes de uso másgeneralizado en el entomo industrial y sus aplicaciones, así como de Ia normativa actual relativa a temas de fiabilidad y ensayos aplicable a los mismos En particular, permiten que el alumno adquiera conocimientos acerca de las técnicas de fabricación asociadas a los dispositivos pasivos y activos, módulos multichip, dispositivos optoelectrónicos, placas de circuitos impresos y circuitos de capa gruesa.

Electrònica. 'Electrónica'.

Crédito variable tipificado sobre electrónica para Educación Secundaria Obligatoria. Pretende que el alumnado conozca el funcionamiento de circuitos eléctricos, la elaboración de esquemas y cálculos, la simulación de circuitos con ordenador y el montaje de circuitos experimentales. Se especifican los objetivos, contenidos, orientaciones didácticas y recursos didácticos de cada unidad. Ejemplifica el desarrollo de una unidad didáctica del crédito propuesto.

Relaciones CTS en la educación científica básica : un análisis desde los textos escolares en la enseñanza de la electrónica.

Resumen tomado de la publicación

Seminario provincial de Tecnología Industrial I. Bachillerato Tecnológico curso primero.

Cuaderno de actividades para el alumnado del Bachillerato Tecnológico. Las actividades están englobadas dentro del área de Tecnología Industrial I y en diferentes bloques de contenido (recursos energéticos, materiales, procedimientos de fabricación, elementos de máquinas y sistemas, etc.).

El desarrollo de la electrónica.

Se hace un recorrido por las tres etapas que se distinguen en el desarrollo de la electrónica. Así, el primer periodo comienza con la invención y fabricación industrial del tubo de vacío; el segundo periodo comienza con la invención de un nuevo componente, el transistor, de gran importancia por tratarse de un componente de estado sólido; y la tercera etapa, donde aparece el circuito integrado, debido al desarrollo de la tecnología del componente y del soporte de interconexión.

Diseño de un amplificador de bajo ruido realimentado para la banda de 3-10 GHz en tecnología BICMOS 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido Realimentado para la Banda de 3-10 GHz en Tecnología BICMOS 0.35 μm"

Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm"

Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a"

Diseño de un amplificador distribuido para ultra wide band basado en HBT de la tecnología SIGE 0.35 μm de AMS

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DISTRIBUIDO PARA ULTRA WIDE BAND BASADO EN HBT DE LA TECNOLOGÍA SIGE 0.35 μm DE AMS"

Diseño de un filtro polifásico activo en tecnología SiGe 0.35 μm para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN FILTRO POLIFÁSICO ACTIVO EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35 μm PARA UN RECEPTOR BASADO EN EL ESTÁNDAR IEEE 802.11a"

Diseño de una librería de inductores integrados en tecnología UMC 0.18 μm

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de una librería de inductores integrados en tecnología UMC 0.18 μm"

Diseño de un mezclador en tecnología SiGe 0.35um para un receptor basado en el estándar DVB-H

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Mezclador en Tecnología SiGe 0.35um para un Receptor Basado en el Estándar DVB-H"

Diseño de un oscilador controlado por tensión (VCO) en tecnología SiGe 0.35 µm para el estándar DVB-H

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIÓN (VCO) EN TECNOLOGÍA SiGe 0.35 µm PARA EL ESTÁNDAR DVB-H"

Diseño de un mezclador activo de baja tensión de alimentación en tecnología de 0.35µm para un receptor IEEE 802.11a

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un mezclador activo de baja tensión de alimentación en tecnología de 0.35µm para un receptor IEEE 802.11a"

Estudio y diseño de moduladores y demoduladores integrados para comunicaciones inalámbricas en la tecnología SiGe 0.35um de AMS

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Estudio y Diseño de Moduladores y Demoduladores Integrados para Comunicaciones Inalámbricas en la Tecnología SiGe 0.35um de AMS"