Etograma e orçamento temporal de um grupo de machos não pareados de Phyllostomus hastatus (Pallas 1767) (Phyllostomidae: Phyllostominae)

Embora exista uma enorme variação de histórias de vida e ecologia, a maioria das espécies de morcegos mostra-se, em algum nível, social. Os aspectos de ecologia comportamental de quirópteros tem sido estudados, embora a maior parte refira-se a colônias de maternidades em regiões de clima temperado. Repertórios comportamentais completos e orçamentos temporais são raros, especialmente para a região Neotropical. Para compreender melhor a sociabilidade neste grupo, mostra-se importante focar também em grupos neutros com relação a fatores associados à atividade reprodutiva. Neste sentido, o estudo de grupos de machos neotropicais pode apresentar respostas importantes. O comportamento de um grupo machos não pareados de Phyllostomus hastatus foi estudado dentro do seu abrigo por aproximadamente 100 horas entre os meses de janeiro e agosto de 2012. O grupo estava abrigado no forro de um telhado de uma casa em desuso da Vila Dois Rios, na Ilha Grande. Os comportamentos foram registrados com uma câmera sensível a infra-infravermelho Sony DCR-HC28 em modo night-vision. Quando necessário, utilizei uma luz de auxílio infravermelha. A partir dos vídeos eu elaborei primeiramente um etograma. Os comportamentos classificados como estados foram usados para fazer um orçamento temporal, usando metodologia de amostragem por varredura e amostragem instantânea. Adicionalmente, fiz algumas observações a respeito de horário de entrada e saída dos morcegos e do tamanho do grupo. Organizei os comportamentos em seis categorias, com um total de 24 comportamentos distintos. Os comportamentos descritos são consistentes com os publicados em outros etogramas de morcegos, inclusive de alguns megaquirópteros. Um comportamento mais notável foi ventilando, que parece raro entre os microquirópteros, mas provavelmente importante na termorregulação. Nos meses analisados os morcegos alocaram aproximadamente 50% do tempo ao estado dormindo; 14,6% ao estado parado; 15,3% ao estado ativo; 0,9% ao estado andando; 0,1% ao estado voando; 14,1% ao estado higiene; e 3,5% ao estado ventilando. O orçamento temporal foi semelhante aos descritos para outros microquirópteros no interior de abrigos, com uma maior prevalência do estado dormindo, e com picos de atividade (principalmente do estado higiene) antes e depois das saídas noturnas. A higiene parece ter um papel importante no controle de ectoparasitas, e talvez algum papel social, mas como a higiene de outros indivíduos só foi observada uma única vez, não pude concluir nada a respeito. O presente trabalho é o primeiro etograma para Phyllostomus hastatus e o primeiro etograma e orçamento temporal para um grupo de machos em Chiroptera. Observei algumas diferenças importantes do grupo estudado com trabalhos já publicados sobre essa espécie, e sugiro que essas diferenças sejam estudadas mais a fundo. Apesar desta dissertação trazer contribuições importantes, fica claro que ainda falta muito a ser examinado nesse campo.

Caracterização e modificação de heteroestruturas de nitretos do grupo III

Os nitretos binários semicondutores do grupo III, e respetivos compostos, são vastamente estudados devido à sua possível aplicabilidade em dispositivos optoeletrónicos, tais como díodos emissores de luz (LEDs) e LASERs, assim como dispositivos para a eletrónica de elevadas temperatura, potência e frequência. Enquanto se concretizou a comercialização na última década de LEDs e LASERs recorrendo ao ternário In1-yGayN, estudos das propriedades fundamentais estruturais e óticas, assim como de técnicas de processamento no desenvolvimento de novas aplicações de outros ternários do grupo III-N encontram-se na sua fase inicial. Esta tese apresenta a investigação experimental de filmes finos epitaxiais de Al1-xInxN crescidos sobre camadas tampão de GaN e de Al1-yGayN e o estudo do recozimento e implantação de super-redes (SL) compostas por pontos quânticos de GaN (QD) envolvidos por camadas de AlN. Apesar do hiato energético do Al1-xInxN poder variar entre os 0,7 eV e os 6,2 eV e, por isso, numa gama, consideravelmente superior à dos ternários Al1-yGayN e InyGa1-yN, o primeiro é o menos estudado devido a dificuldades no crescimento de filmes com elevada qualidade cristalina. É efetuada, nesta tese, uma caracterização estrutural e composicional de filmes finos de Al1-xInxN crescidos sobre camadas tampão de GaN e de Al1-yGayN usando técnicas de raios-X, feixe de iões e de microscopia. Mostra-se que o Al1-xInxN pode ser crescido com elevada qualidade cristalina quando a epitaxia do crescimento se aproxima da condição de rede combinada do Al1-xInxN e da camada tampão (GaN ou Al1-yGayN), isto é, com conteúdo de InN de ~18%, quando crescido sobre uma camada de GaN. Quando o conteúdo de InN é inferior/superior à condição de rede combinada, fenómenos de relaxação de tensão e deterioração do cristal tais como o aumento da rugosidade de superfície prejudicam a qualidade cristalina do filme de Al1-xInxN. Observou-se que a qualidade dos filmes de Al1-xInxN depende fortemente da qualidade cristalina da camada tampão e, em particular, da sua morfologia e densidade de deslocações. Verificou-se que, dentro da exatidão experimental, os parâmetros de rede do ternário seguem a lei empírica de Vegard, ou seja, variam linearmente com o conteúdo de InN. Contudo, em algumas amostras, a composição determinada via espetrometria de retrodispersão de Rutherford e difração e raios-X mostra valores discrepantes. Esta discrepância pode ser atribuída a defeitos ou impurezas capazes de alterar os parâmetros de rede do ternário. No que diz respeito às SL dos QD e camadas de AlN, estudos de recozimento mostraram elevada estabilidade térmica dos QD de GaN quando estes se encontram inseridos numa matriz de AlN. Por implantação iónica, incorporou-se európio nestas estruturas e, promoveu-se a ativação ótica dos iões de Eu3+ através de tratamentos térmicos. Foram investigados os efeitos da intermistura e da relaxação da tensão ocorridos durante o recozimento e implantação nas propriedades estruturais e óticas. Verificou-se que para fluências elevadas os defeitos gerados por implantação são de difícil remoção. Contudo, a implantação com baixa fluência de Eu, seguida de tratamento térmico, promove uma elevada eficiência e estabilidade térmica da emissão vermelha do ião lantanídeo incorporado nos QD de GaN. Estes resultados são, particularmente relevantes, pois, na região espetral indicada, a eficiência quântica dos LEDs convencionais de InGaN é baixa.

Anxiogenic-like effects of gamma-hydroxybutyric acid (GHB) in mice. 'Efectos ansiog??nicos del ??cido gamma-hidroxibut??rico (GBH) en ratones evaluados en el test del 'light-dark'

Resumen tomado de la publicaci??n

Trajetos cênicos do grupo parafolclórico da UFRN:que dança é essa?

This paper aims at studying UFRN Parafolclórico Group, whose aesthetic formation is subjected to our analysis, specially at its two last performances, that is, Flor do Lírio (Lily Flower), 2004, and Debaixo do Barro do Chão (Under the Mud of the Ground), 2008. Three targets are envisaged here: to analyze the aesthetic ideas backing Parafolclórico Group exhibitions; to evaluate how their many folk elements interact with different artist languages in order to compose a certain choreography; and finally, to identify the aesthetic conformation placed behind the two different choreographs of the last performances, their trends and innermost features that differentiate them. In accordance with the Analysis of Contents (BARDIN, 2006), interviews have been made with the choreographers and the staff of the spectacles, resulting in elucidating answers to the understanding of their thematic axis. On the first chapter we called attention to motivating subjects as recollection, personal experiences, bibliography research, research in loco regarded as propelling forces of the creative works. Herein, folk culture is depicted as a dynamic process opening a frank dialogue with contemporary events and reinforcing their continuity. On the second chapter, we approached the aesthetic conformation and the scenic elements (costumes, light, scenario, make-up), integrating the studied spectacles and disseminating folk songs in various ways. As what concerns the subjects discourse, we have obtained support in authors like Robatto (1994); Lobo; Navas (2008); Burke (1989); Canclini (2006); Dufrenne (2005); Medeiros (2005); Pavis (2005); Silva (2005), among others. Those authors have provided us with an indispensable theoretic support which, added to the interviews, convinced us that the Parafolclórico Group s aesthetic conception tends to identify itself with the artist languages and other techniques of that Group. It also made sure that the Group s course aims at an aesthetic conception which is not limited to popular culture manifestations, like dance, but admits to play with other media in order to communicate its art. In view of this situation, we arrived to two conclusions: first: the group s interchanges emphasize the dynamic character of popular culture which, by establishing contacts with different realities, receives influences capable of extending its own continuity; second: the contemporary state of arts also improves multiple interchanges opening way, so, for many accomplishments in their field. Therefore, UFRN Parafolclórico Group inserts itself in the contemporary scenery by performing new evaluations of the popular dances as long as it puts them in contact with different technical, aesthetic, artist and culture combinations

Reprodutibilidade de um teste microbiológico para estreptococos do grupo mutans

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Sincretismo em movimento: um estudo dos adeptos do Santo Daime do grupo CEFLURIS na Vila Céu do Mapiá

Pós-graduação em Ciências Sociais - FFC

Efeito dos oxi-ânions do grupo VIB sobre a corrosão aquosa das ligas Al(2024) e Al(7050) utilizadas na indústria aeronaútica

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

O trabalho voluntário desenvolvido no grupo de apoio a pacientes oncológicos de Passos e região: uma análise sobre a qualificação desta ação

Pós-graduação em Serviço Social - FCHS

Investigação sobre um grupo de pesquisa como espaço de formação inicial de professores e pesquisadores de Biologia

Pós-graduação em Educação para a Ciência - FC

In vitro analysis of shear bond strength and adhesive remnant index comparing light curing and self-curing composites

OBJETIVO: Avaliar in vitro a resistência ao cisalhamento de compósitos autopolimerizáveis (Concise e Alpha Plast) e fotopolimerizáveis (Transbond XT e Natural Ortho) utilizados na colagem de braquetes metálicos da marca Morelli, analisando o índice de adesivo remanescente (ARI) e da integridade da superfície do esmalte por meio de microscopia eletrônica de varredura (MEV). MÉTODOS: foram utilizados 40 pré-molares humanos extraídos. As raízes dos dentes foram incluídas em gesso-pedra especial, no interior de tubos de PVC usados para a confecção dos corpos de prova. Esses corpos de prova foram divididos em quatro grupos: grupo G1, braquetes associados ao compósito Concise; grupo G2, braquetes associados ao compósito Alpha Plast; grupo G3, braquetes associados ao compósito Transbond XT; e grupo G4, braquetes associados ao compósito Natural Ortho. Os grupos foram submetidos ao teste de cisalhamento em máquina universal de ensaios, a uma velocidade de 0,5mm por minuto. RESULTADOS: houve diferença estatística entre os grupos G3 e G4, sendo os valores de G4 superiores; no entanto, não foram encontradas diferenças estatisticamente significativas entre os grupos G1, G2 e G3 e G1, G2 e G4. Na análise do ARI não foram encontradas diferenças estatísticas entre os grupos, predominando escores baixos. De acordo com a análise da MEV, constatou-se o rompimento dos compósitos e a integridade do esmalte entre os grupos. CONCLUSÃO: a resistência ao cisalhamento foi satisfatória e semelhante entre os compósitos utilizados, sendo que a resina Natural Ortho apresentou-se superior à Transbond XT.

Influence of light intensity and curing cycle on microleakage of Class V composite resin restorations

O objetivo deste estudo foi determinar o efeito da polimerização gradual, mediante a utilização de aparelhos de Quartzo-Tungustênio-Halógena (QTH) e Arco de Plasma de Xenônio (PAC), no selamento marginal de restaurações classe V em resina composta com margens localizadas em dentina. Setenta e cinco incisivos bovinos receberam preparos de cavidades classe V, na raiz, com o intuito de situar as margens cavitárias em dentina. Os dentes foram divididos em cinco grupos de acordo com o método de fotoativação. As cavidades, depois de condicionadas, foram tratadas com o sistema adesivo Single Bond (3M Dental) e restauradas com a resina composta Z100 (3M Dental) pela técnica incremental. A fotoativação foi realizada para cada grupo como descrito a seguir: Grupo I: PAC pelo método de fotoativação constante: 1600mW/cm² – 3s; Grupo II: PAC pelo método de fotoativação por passos (800mW/cm² – 2s, subindo automaticamente para 1600mW/cm² – 4s); Grupo III: QTH pelo método de fotoativação constante: 400 mW/cm² – 40s; Grupo IV: QTH pelo método de fotoativação em rampa: 100 a 600 mW/cm² – 15s, permanecendo a 600mW/cm² por mais 25s; Grupo V: QTH pelo método de fotoativação por pulso: 200 mW/cm² – 3s, tempo de espera de 3min.e a seguir 600mW/cm² – 30s. Os dentes foram armazenados em água destilada a 37ºC por 30 dias e então submetidos à ciclagem térmica, por 500 ciclos à 5 ºC e 55 ºC. Os ápices dos dentes foram selados com resina composta e os dentes foram cobertos com duas camadas de esmalte para unha, antes da sua imersão em fucsina básica a 0,5%. Os dentes foram seccionados e os cortes foram escaneados para avaliação da área infiltrada por corante por um programa de computador (Image Tools). Os cortes foram também visualizados com lupa para a determinação do grau de penetração do corante na interface dente-restauração por escores. Diferenças estatisticamente significantes foram observadas entre os grupos quanto ao grau e à área de penetração de corante (p < 0,05). Os grupos I e II apresentaram valores significantemente mais altos de infiltração e penetração do corante que os grupos III, IV e V. Em conclusão, o uso da fonte de PAC, no modo constante e por passos, resultou em valores significantemente maiores de infiltração marginal quando comparados com a intensidade de luz média emitida pelos aparelhos de QTH. Os métodos de fotoativação por pulso, rampa e continuo com a fonte de QTH resultaram num grau similar de microinfiltração.

Ortognaisses peraluminosos associados ao Grupo Araxá na região de Mairipotaba-Prof. Jamil Safady, Goiás

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Mediación y trabajo social de grupo : articulaciones y paralelismos

El trabajo plantea, teniendo como eje central de su desarrollo la Mediación, explorarlas relaciones posibles entre los procesos de Mediación y Trabajo Social de Grupo. Con esta exploración se intenta pensar y construir un campo de encuentro e interjuego entre ambos términos. Trabajo Social de Grupo y Mediación. A lo largo del texto se irá desarrollando esta idea de articulación e interacción entre ambos procesos. Así, y tomando la palabra de autores idóneos de cada área, se irán develando objetivos, características, fundamentos, dinámicas, etc. En la comparación, a su vez, surgirán coincidencias, semejanzas, paralelismos y complementaciones posibles. La intención, en esta primera aproximación, es abrir una instancia de encuentro entre disciplinas, así como brindar un aporte para un enriquecimiento mutuo.

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.