El cambio en la designación general de material (DGM) de las AACR a las RDA : Definición de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte

Se aborda el estudio de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte definidos por el código de catalogación Resource Description and Access (RDA) para solucionar los problemas que presentaba la lista de términos utilizadas para registrar la designación general de material (DGM) en las Anglo American Cataloging Rules (AACR). Los términos eran ambiguos combinando aspectos referidos al contenido y clase de material del recurso. Se parte de una exhaustiva revisión bibliográfica y del estudio de los documentos que se generaron en el proceso de elaboración del nuevo código. Se menciona el trabajo conjunto entre el Joint Steering Committee (JSC) y el estándar ONIX para el establecimiento de criterios que permitieron definir estos tres atributos, así como el aporte del modelo FRBR en la definición de los mismos. Se presentan ejemplos de registros bibliográficos donde se utilizan estos tres atributos en formato MARC21, ISBD consolidada a partir de la definición del área 0 y en el esquema de metadatos Dublin Core. Se finaliza destacando la necesidad de continuar con investigaciones que permitan concluir sobre la adecuación de estos tres atributos a las necesidades de los catalogadores, usuarios y a la realidad tecnológica

El cambio en la designación general de material (DGM) de las AACR a las RDA : Definición de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte

Se aborda el estudio de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte definidos por el código de catalogación Resource Description and Access (RDA) para solucionar los problemas que presentaba la lista de términos utilizadas para registrar la designación general de material (DGM) en las Anglo American Cataloging Rules (AACR). Los términos eran ambiguos combinando aspectos referidos al contenido y clase de material del recurso. Se parte de una exhaustiva revisión bibliográfica y del estudio de los documentos que se generaron en el proceso de elaboración del nuevo código. Se menciona el trabajo conjunto entre el Joint Steering Committee (JSC) y el estándar ONIX para el establecimiento de criterios que permitieron definir estos tres atributos, así como el aporte del modelo FRBR en la definición de los mismos. Se presentan ejemplos de registros bibliográficos donde se utilizan estos tres atributos en formato MARC21, ISBD consolidada a partir de la definición del área 0 y en el esquema de metadatos Dublin Core. Se finaliza destacando la necesidad de continuar con investigaciones que permitan concluir sobre la adecuación de estos tres atributos a las necesidades de los catalogadores, usuarios y a la realidad tecnológica

El cambio en la designación general de material (DGM) de las AACR a las RDA : Definición de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte

Se aborda el estudio de los atributos tipo de contenido, tipo de medio y tipo de soporte definidos por el código de catalogación Resource Description and Access (RDA) para solucionar los problemas que presentaba la lista de términos utilizadas para registrar la designación general de material (DGM) en las Anglo American Cataloging Rules (AACR). Los términos eran ambiguos combinando aspectos referidos al contenido y clase de material del recurso. Se parte de una exhaustiva revisión bibliográfica y del estudio de los documentos que se generaron en el proceso de elaboración del nuevo código. Se menciona el trabajo conjunto entre el Joint Steering Committee (JSC) y el estándar ONIX para el establecimiento de criterios que permitieron definir estos tres atributos, así como el aporte del modelo FRBR en la definición de los mismos. Se presentan ejemplos de registros bibliográficos donde se utilizan estos tres atributos en formato MARC21, ISBD consolidada a partir de la definición del área 0 y en el esquema de metadatos Dublin Core. Se finaliza destacando la necesidad de continuar con investigaciones que permitan concluir sobre la adecuación de estos tres atributos a las necesidades de los catalogadores, usuarios y a la realidad tecnológica

Vista general [Material gráfico]

Alcance y contenido: Vista general de la ciudad de Valencia tomada desde un punto situado en la Alameda, con el Puente del Mar en primer plano y la torre del Miguelete al fondo

Vista general [Material gráfico] : Játiva

Diapositiva. Valencia: Biblioteca Valenciana, ca. 1998

Analysis on fluorescence intensity reverse photonic phenomenon between red and green fluorescence of oxyfluoride nanophase vitroceramics

An interesting fluorescence intensity reverse photonic phenomenon between red and green fluorescence is investigated. The dynamic range. of intensity reverse between red and green fluorescence of Er( 0.5) Yb( 3): FOV oxyfluoride nanophase vitroceramics, when excited by 378.5nm and 522.5nm light respectively, is about 4.32 x 10(2). It is calculated that the phonon- assistant energy transfer rate of the electric multi- dipole interaction of {(4)G(11/2)( Er3+) -> F-4(9/2)( Er3+), F-2(7/2)( Yb3+). F-2(5/2)( Yb3+)} energy transfer of Er( 0.5) Yb( 3): FOV is around 1.380 x 10(8) s(-1), which is much larger than the relative multiphonon nonradiative relaxation rates 3.20 x 10(5) s(-1). That energy transfer rate for general material with same rare earth ion's concentration is about 1.194 x 10(5) s(-1). These are the reason to emerge the unusual intensity reverse phenomenon in Er( 0.5) Yb( 3): FOV. (C) 2007 Optical Society of America.

Theory of the electronic and optical properties of dilute bismide alloys

Dilute bismide alloys, containing small fractions of bismuth (Bi), have recently attracted interest due to their potential for applications in a range of semiconductor devices. Experiments have revealed that dilute bismide alloys such as GaBixAs1−x, in which a small fraction x of the atoms in the III-V semiconductor GaAs are replaced by Bi, exhibit a number of unusual and unique properties. For example, the band gap energy (E g) decreases rapidly with increasing Bi composition x, by up to 90 meV per % Bi replacing As in the alloy. This band gap reduction is accompanied by a strong increase in the spin-orbit-splitting energy (ΔSO) with increasing x, and both E g and ΔSO are characterised by strong, composition-dependent bowing. The existence of a ΔSO > E g regime in the GaBixAs1−x alloy has been demonstrated for x ≳10%, a band structure condition which is promising for the development of highly efficient, temperature stable semiconductor lasers that could lead to large energy savings in future optical communication networks. In addition to their potential for specific applications, dilute bismide alloys have also attracted interest from a fundamental perspective due to their unique properties. In this thesis we develop the theory of the electronic and optical properties of dilute bismide alloys. By adopting a multi-scale approach encompassing atomistic calculations of the electronic structure using the semi-empirical tight-binding method, as well as continuum calculations based on the k•p method, we develop a fundamental understanding of this unusual class of semiconductor alloys and identify general material properties which are promising for applications in semiconductor optoelectronic and photovoltaic devices. By performing detailed supercell calculations on both ordered and disordered alloys we explicitly demonstrate that Bi atoms act as isovalent impurities when incorporated in dilute quantities in III-V (In)GaAs(P) materials, strongly perturbing the electronic structure of the valence band. We identify and quantify the causes and consequences of the unusual electronic properties of GaBixAs1−x and related alloys, and our analysis is reinforced throughout by a series of detailed comparisons to the results of experimental measurements. Our k•p models of the band structure of GaBixAs1−x and related alloys, which we derive directly from detailed atomistic calculations, are ideally suited to the study of dilute bismide-based devices. We focus in the latter part of the thesis on calculations of the electronic and optical properties of dilute bismide quantum well lasers. In addition to developing an understanding of the effects of Bi incorporation on the operational characteristics of semiconductor lasers, we also present calculations which have been used explicitly in designing and optimising the first generation of GaBixAs1−x-based devices.

Les tecnologies de la informació i comunicació (TIC) i la formació. 'Las tecnologías de la información y comunicación (TIC) y la formación'.

Resumen tomado de la publicación. Incluye imágenes de capturas de pantalla del ordenador sobre la herramienta Moodle. Se adjuntan actividades de consolidación sobre el curso

Magnetically Biased Graphene Based Switches for Microwave Applications

This paper presents a magnetically biased graphene based switch for CPW resonator applications. Graphene patches are set in the gap between signal and ground lines, thus obtaining the whole structures act as switchable elements. Graphene was modeled as a general material with appropriate surface conductivity. The presented CPW resonator structure acts like a switch in ON state even for magnetic bias field of around 0.5 T. The simulated S parameters of the CPW resonator structure with different magnetic field biasing are presented.

Despertar anestésico con remifentanilo versus sin remifentanilo en los pacientes del Hospital Vicente Corral Moscoso. Cuenca, 2013

OBJETIVO: Comparar el despertar anestésico con remifentanilo y sin remifentanilo en los pacientes sometidos a anestesia general. MATERIAL Y MÉTODOS: Se trata de un estudio clínico aleatorizado simple ciego de 140 pacientes sometidos a anestesia general balanceada. Se dividieron en dos grupos iguales, al grupo A (n=70) se le retiró el remifentanilo 10 minutos antes y el grupo B (n=70) recibió remifentanilo en infusión continua a dosis de 0.05 ug/kg/min hasta la extubación. RESULTADOS: Las variables edad, peso, talla, presión arterial media y frecuencia cardíaca basales entre ambos grupos no tuvieron diferencias estadísticamente significativas, con una p>0.05. En el grupo “A” durante el despertar anestésico, la presión arterial media en la extubación y 5 minutos después fueron mayores con respecto al grupo “B”, con una diferencia estadísticamente significativa (p=0.009 y p=0.01). La náusea fue el efecto adverso que presentó diferencia significativa en el grupo que recibió remifentanilo, con una p=0.023. El grupo que presentó con más frecuencia y más intensidad la tos fue el grupo “A”, con una p=0.047 y p=0.005 respectivamente. En cuanto a la frecuencia cardíaca y al tiempo del despertar no tuvieron diferencia en los grupos. CONCLUSIONES: El grupo que recibió remifentanilo tuvo una menor presión arterial media, frecuencia e intensidad de la tos, que el grupo que no recibió remifentanilo, con igual tiempo en el despertar y escasos efectos adversos