Computer in Unterricht und Ausbildung. Neue Anforderungen an Lehrer, Ausbilder und Trainer?

Die Nützlichkeit des Einsatzes von Computern in Schule und Ausbildung ist schon seit einigen Jahren unbestritten. Uneinigkeit herrscht gegenwärtig allerdings darüber, welche Aufgaben von Computern eigenständig wahrgenommen werden können. Bewertet man die Übernahme von Lehrfunktionen durch computerbasierte Lehrsysteme, müssen häufig Mängel festgestellt werden. Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, ausgehend von aktuellen Praxisrealisierungen computerbasierter Lehrsysteme unterschiedliche Klassen von zentralen Lehrkompetenzen (Schülermodellierung, Fachwissen und instruktionale Aktivitäten im engeren Sinne) zu bestimmen. Innerhalb jeder Klasse werden globale Leistungen der Lehrsysteme und notwendige, in komplementärer Relation stehende Tätigkeiten menschlicher Tutoren bestimmt. Das dabei entstandene Klassifikationsschema erlaubt sowohl die Einordnung typischer Lehrsysteme als auch die Feststellung von spezifischen Kompetenzen, die in der Lehrer- bzw. Trainerausbildung zukünftig vermehrt berücksichtigt werden sollten. (DIPF/Orig.)

Elektronische Registrierung von Untersuchungsdaten auf See

Die elektronische Erfassung von auf See gewonnenen Daten direkt bei der Entstehung ist eine wesentliche Voraussetzung zur rationellen Nutzung elektronischer Datenverarbeitungssysteme. Die Online-Erfassung erspart nicht nur den späteren zeitaufwand bei der Übertragung der Daten von handschriftlichen Strichlisten in den Rechner, sondern schließt gleichzeitig dabei u.U. entstehende Fehler aus. Darüberhinaus ermöglicht die direkte Eingabe von gewonnenen Daten eine schnelle vorläufige Sichtung von Ergebnissen und erlaubt dadurch die Anpassung von Untersuchungsprogrammen an die an Ort und Stelle erzielten Resultate.

Elektronische Signaturen mit der Bankkarte?

Am 11.1.2005 trat das Erste Gesetz zur Änderung des Signaturgesetzes (1. SigÄndG) in Kraft. Es ermöglicht vor allem den Vertrieb von Signaturkarten im Fernabsatz. Damit soll Kreditinstituten erleichtert werden, Signaturverfahren mit ihren Bankkarten zu verbinden. Der Beitrag beschreibt die Bedeutung der neuen Regelungen für qualifizierte Signaturverfahren (I.), das Gesetzgebungsverfahren (II.), die wesentlichen Neuregelungen (III.) sowie die Folgen für Regelungen, die auf das Signaturgesetz Bezug nehmen (IV.). Ein kurzer Ausblick beschließt den Beitrag (V.).

Modernisierung des Datenschutzrechts für eine Welt allgegenwärtiger Datenverarbeitung

Allgegenwärtige Datenverarbeitung wird die Verwirklichungsbedingungen für das Grundrecht auf informationelle Selbstbestimmung so verändern, dass dessen Schutzprogramm, wie es im geltenden Datenschutzrecht umgesetzt ist, nicht mehr greifen wird. Daher ist es dringend notwendig, dieses Schutzprogramm so fortzuentwickeln, dass es den neuen Risiken gerecht wird. Dies darf jedoch nicht isoliert in eigenen gesetzlichen Vorschriften erfolgen, sondern muss sich einbetten in eine systematische Modernisierung des gesamten Datenschutzrechts. Der Beitrag benennt diese Aufgabe (I.), stellt die neuen Herausforderungen dar (II.) und zeigt, wie eine adäquate Fortentwicklung des Datenschutzrechts möglich wäre (III.).

Die JobCard - "Killer-Applikation" für die elektronische Signatur?

Bundesregierung und IT-Wirtschaft setzen zurzeit große Hoffnungen in die sogenannte Job-Card. Da dieses System bei jedem Antragsteller in der gesetzlichen Arbeitslosenversicherung in Deutschland den Besitz einer sicheren Signaturerstellungseinheit nebst Zertifikat voraussetzt, könnte mit seiner Hilfe der Verbreitung von Signaturverfahren ein entscheidender Schub verschafft werden. Neben den zu lösenden technischen und organisatorischen Problemen ergeben sich jedoch auch eine Reihe von rechtlichen Fragestellungen insbesondere aus dem Signatur- und Datenschutzrecht. Aus diesen lassen sich Gestaltungsanforderungen für die rechtliche Grundlage der JobCard und ihre praktische Umsetzung ableiten.

Qualifizierte elektronische Signatur mit Einschränkungen für das Besteuerungsverfahren

Um die ausschließlich elektronische Übermittlung von Steuererklärungen und sonstiger für das automatisierte Besteuerungsverfahren erforderlicher Daten zu ermöglichen, enthalten die durch das 3. Verwaltungsverfahrensänderungsgesetz (VwVfÄG) vom 21.8.2002 geänderte Abgabenordnung (AO) und die Steuerdaten-Übermittlungsverordnung (StDÜV) vom 28.1.2003 entsprechende Regelungen. Um die Integrität und Authentizität elektronischer Erklärungen sicher zu stellen, sehen beide Regelungen vor, dass diese elektronisch signiert werden müssen. Allerdings fordern sie hierfür keine qualifizierte elektronische Signatur nach dem Signaturgesetz (SigG), sondern schaffen eine neue Signaturstufe eigens für Besteuerungsverfahren, für die viele Anforderungen des SigG nicht gelten sollen. Der Beitrag erläutert, welche Ausnahmen für die "qualifizierte elektronische Signatur mit Einschränkungen" ermöglicht wurden und bewertet diese Regelungen aus dem Blickwinkel des Signaturrechts.

Der „elektronische Personalausweis“ in Deutschland: Gesetzgebungsverfahren, Einflussfaktoren und Pfade

Zum 1. November 2010 wird in Deutschland der neue Personalausweis starten, der gegenüber dem bisherigen Dokument drei neue Funktionen enthält: Die Speicherung biometrischer Daten, die optionale Signaturfunktion und den elektronischen Identitätsnachweis, also eine technische Funktion zur elektronischen Authentisierung. Die Rechtsgrundlagen wurden mit der Verabschiedung des neuen Gesetzes über Personalausweise und den elektronischen Identitätsnachweis sowie zur Änderung weiterer Vorschriften am 18. Dezember 2008 im Bundestag gelegt. Wie bei anderen Gesetzgebungsverfahren sind diesem formalen Verfahren wissenschaftliche und politische, in diesem Fall auch technische, Diskussionen vorangegangen, die darüber hinaus während des Gesetzgebungsverfahrens fortgesetzt wurden. Die Studie beschreibt in einem ersten Schritt die Eckdaten und wesentlichen Inhalte der Diskussion und des Gesetzgebungsverfahrens. Im Anschluss erfolgt eine Darlegung einzelner Einflussfaktoren und „Pfade“ der rechtlichen, technischen und politischen Entwicklung, die Einfluss auf bestimmte Innovationsentscheidungen hatten. Daran schließt sich eine Betrachtung der einzelnen Akteure an, bevor der Gesamtprozess bewertet wird.

Re-Entrance-Phasenbildung und elektronische Eigenschaften epitaxialer Schichten des Kondo-Halbmetalls CeSb

Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes an eine Feldeffektanordung kann die Anzahl der freien Ladungstraeger im Kanalmaterial direkt moduliert und der Einfluá auf die Transporteigenschaften und den damit zusammenhaengenden typischen Energieskalen untersucht werden. Mit der Konzeption und dem Aufbau einer Praeparationsapparatur, sowie der Etablierung eines Praeparationsprozesses zur Herstellung duenner epitaktischer Schichten des Kondo-Halbmetalls CeSb sollte im Rahmen dieser Arbeit der Grundstein fuer die Realisierung einer dazu notwendigen Feldeffektanordnung gelegt werden. Mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie konnten sowohl (100)- als auch (111)-orientierte phasenreine CeSb-Schichten hergestellt werden. In Abhaengigkeit der Sb-Verdampfertemperatur wurden fuer das Schichtwachstum auf Saphir (1120) zwei voneinander getrennte Bereiche der Phasenbildung gefunden, in denen jeweils die (111)- respektive die (100)-Wachstumsrichtung dominiert. Das beobachtete Re-Entrance-Verhalten beruht auf dem Einfluss der Sb-Tiegeltemperatur auf Verdampfungsrate und Strahlzusammensetzung. Durch die Verwendung von Saphir (0001)-Substraten konnte das Wachstum (111)-orientierter Schichten massgeblich verbessert werden. Die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften mittels Magnetotransportmessungen ergab eine weitreichende šbereinstimmung mit den bekannten Einkristallergebnissen. In Uebereinstimmung mit den Ergebnissen der an der ETH Zuerich durchgefuehrten MOKE-Untersuchungen laesst sich aus den Hallmessungen auf eine Reduktion der freien Ladungstraeger in den duennen Schichten schliessen.

Synthese und Charakterisierung von Modellen für Photoschalter und elektronische Ventile

Gegenstand der vorliegenden Arbeit war die Synthese von organischen Photoschalter-Modellen auf der Basis von mesoionischen Pyrimidinium-olaten und Bis(thienylperfluorocyclopentenen), sowie die Darstellung substituierter Biphenyl-Biradikale als Modelle für Ventil-Systeme im Sinne eines neuen Schalter-Ventil-Konzeptes.Aufbauend auf meiner Arbeit über mesoionische Pyrimidinium-olate wurde ein henkelverbrücktes Ansa-Mesoion mit einem 16-gliedrigen Makrocyclus, sowie drei mehrcyclische mesoionische Systeme synthetisiert und auf ihr Schaltverhalten hin untersucht. Das Ansa-Mesoion stellt ein erstes einfaches Modell für Schalter-Ventil-Konjugate dar. Zur Darstellung der photochromen Bis(thienylethene) wurden die aus der Literatur bekannten Syntheserouten nach Irie als auch nach Feringa auf neue Strukturen angewandt und die Schalteigenschaften der Bis(thienylethene) optisch nachgewiesen. Die Anordnung der reaktiven Endgruppen in den synthetisierten Verbindungen schafft ideale Voraussetzungen für eine große konformelle Änderung, welche im Schalter-Ventil-Konjugat erwünscht ist. Durch vielfaches Durchlaufen des Schaltprozesses (> 100 Cyclen) konnte die hohe Reversibilität des Schaltvorganges belegt werden.Als Ventilmodelle wurden mit stabilen Nitroxidradikalen substituierte Biphenyle verwendet, deren primärer konformativer Freiheitsgrad durch die Drehung um die Phenyl-Phenyl-Einfachbindung gegeben ist. Experimentelle ESR-Daten und deren Vergleich mit Spektrensimulationen bestätigten die Abhängigkeit der Austauschwechselwirkung J zwischen den Radikalen vom Biphenyldiederwinkel.

Rastertunnelmikroskopie kombiniert mit optischen Methoden und ihre Anwendung für opto-elektronische Experimente an nanoskopischen Strukturen

Die vorliegende Arbeit untersucht mittels lichtunterstützter Tunnelmikroskopie (STM) den Elektronentransport in farbstoffbedeckten, nanoporösen TiO2-Schichten, die in photoelektrochemischen Solarzellen eingesetzt werden. Transportrelevante Eigenschaften wie die elektronische Zustandsdichte sowie lichtinduzierte Vorgänge wie der Aufbau einer lichtinduzierten Oberflächenladung und lokale Photoströme werden ortsaufgelöst gemessen. Für einen möglichen Einsatz in lichtunterstützter Tunnelmikroskopie werden desweiteren Gold-Nanopartikel auf einer Amino-Hexanthiol-Monolage auf Coulomb-Blockaden untersucht. Den zweite Schwerpunkt stellen methodische Arbeiten zur Messung optischer Nahfelder in STM-Experimenten dar. Erstens sollen die Vorteile von Apertur- und aperturloser optischer Rasternahfeld-Mikroskopie mit komplett metallisierten Faserspitzen verbunden werden, die durch die Faser beleuchtet werden. Es gelingt nicht, theoretisch vorhergesagte hohe optische Auflösungen zu bestätigen. Zweitens werden transparente Spitzen aus Sb-dotiertem Zinnoxid erfolgreich als Tunnelspitzen getestet. Die Spitzen ermöglichen STM-Elektrolumineszenz-Experimente zur Charakterisierung optischer Nahfelder, ohne diese durch eine metallische Spitze zu beeinträchtigen. In einer STM-Studie wird das Selbstorganisations-Verhalten von Oktanthiol und Oktandithiol auf Au(111) aus Ethanol untersucht. Bei geringer relativer Konzentration der Dithiole (1:2000), bildet sich eine Phase liegender Dithiole, deren Ordnung durch die Präsenz der Oktanthiole katalysiert wird. Schließlich wird ein als 'dynamische Tunnelmikroskopie' bezeichneter Modus für die Tunnelmikroskopie in elektrisch leitfähiger Umgebung erfolgreich getestet, der zur Unterdrückung des elektrochemischen Leckstromanteils die Ableitung des Stroms nach dem Abstand als STM-Abstandssignal verwendet.

Präparation, Charakterisierung und elektronische Eigenschaften von dünnen Schichten des Hochtemperatursupraleiters HgReBa 2 Ca n-1 Cu n O y

Ziel dieser Arbeit war die Pr"{a}paration, Charakterisierung und Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von d"{u}nnen Schichten des Hochtemperatursupraleiters HgReBa$_{2}$Ca$_{n-1}$Cu$_{n}$O$_{y}$, die mittels gepulster Laser-Deposition hergestellt wurden. Die HgRe1212-Filme zeigen in der AC-Suszeptibilit"{a}t einen scharfen "{U}bergang in die supraleitende Phase bei 124 K mit einer "{U}bergangsbreite von 2 K. Die resistiven "{U}berg"{a}nge der Proben wurden mit zunehmender St"{a}rke des externen Magnetfeldes breiter. Aus der Steigung der Arrheniusplots konnte die Aktivierungsenergie f"{u}r verschiedene Feldst"{a}rken bestimmt werden. Weiterhin wurde die Winkelabh"{a}ngigkeit des Depinning-Feldes $B_{dp}(theta)$ der Filme gemessen. Hieraus wurde ein Anisotropiewert von $gamma$ = 7.7 bei 105 K ermittelt. Dies ist relevant, um den f"{u}r Anwendungen wichtigen Bereich im $T$-$B$-$theta$-Phasenraum des Materials absch"{a}tzen zu k"{o}nnen. Die kritische Stromdichte $J_{c}$ der d"{u}nnen Filme aus HgRe-1212 wurde mit Hilfe eines SQUID-Magnetometers gemessen. Die entsprechenden $M$-$H$ Kurven bzw. das magnetische Moment dieser Filme wurde f"{u}r einen weiten Temperatur- und Feldbereich mit einem magnetischen Feld senkrecht zum Film aufgenommen. F"{u}r einen HgRe-1212-Film konnte bei 5 K eine kritische Stromdichte von 1.2 x 10$^{7}$ A/cm$^{2}$ und etwa 2 x 10$^{6}$ A/cm$^{2}$ bei 77 K ermittelt werden. Es wurde die Magnetfeld- und die Temperaturabh"{a}ngigkeit des Hall-Effekts im normalleitenden und im Mischzustand in Magnetfeldern senkrecht zur $ab$-Ebene bis zu 12 T gemessen. Oberhalb der kritischen Temperatur $T_{c}$ steigt der longitudinale spezifische Widerstand $rho_{xx}$ linear mit der Temperatur, w"{a}hrend der spezifische Hall-Widerstand $rho_{yx}$ sich umgekehrt proportional zur Temperatur "{a}ndert. In der N"{a}he von $T_{c}$ und in Feldern kleiner als 3 T wurde eine doppelte Vorzeichen"{a}nderung des spezifischen Hall-Widerstandes beobachtet. Der Hall-Winkel im Normalzustand, cot $theta_{H}= alpha T^{2} + beta$, folgt einer universellen $textit{T }^{2}$-Abh"{a}ngigkeit in allen magnetischen Feldern. In der N"{a}he des Nullwiderstand-Zustandes h"{a}ngt der spezifische Hall-Widerstand $rho_{yx}$ "{u}ber ein Potenzgesetz mit dem longitudinalen Widerstand $rho_{xx}$ zusammen. Das Skalenverhalten zwischen $rho_{yx}$ und $rho_{xx}$ weist eine starke Feld-Abh"{a}ngigkeit auf. Der Skalenexponent $beta$ in der Gleichung $rho_{yx}$ =A $rho_{xx}^{beta}$ steigt von 1.0 bis 1.7, w"{a}hrend das Feld von 1.0 bis 12 T zunimmt.