439 resultados para Capas
Resumo:
Mestrado em Ciências da comunicação Vertente em Estudo dos Media e do Jornalismo
Resumo:
Las capas de acoplamiento son un elemento clave en los dispositivos BAW CRF. El factor de acoplamiento K de estas capas permite el diseño de una determinada respuesta. Debido al limitado número de materiales con las que implementarlas, las soluciones que utilizan capas de λ/4 ofrecen un rango discreto de K. Por otra parte, el reflector de Bragg es un mecanismo de aislamiento mecánico entre el sustrato y la estructura BAW que está formado por capas alternas de alta y baja impedancia acústica de λ/4. El problema que presenta es la reducción del factor de calidad asociado a las pérdidas producida por las ondas shear. Este proyecto presenta un método para la obtención de un rango continuo de factores de acoplamiento y estudia la mejora del factor de calidad de las estructuras BAW con reflector de Bragg partiendo de dos materiales con alta y baja impedancia acústica.
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El proyecto se desarrolla en el marco de un convenio de colaboración entre la Universitat Autònoma de Barcelona y la empresa UNIT4 en las oficinas de UNIT4 Ibérica en Barberà del Vallès. El proyecto tiene por finalidad crear un control que permita la edición de imágenes mediante capas y anotaciones, que se añadirá al software de gestión empresarial que comercializa UNIT4. Este control está desarrollado en la plataforma Java.
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O presente texto possui como objetivo maior analisar as representações elaboradas sobre a África e os africanos em doze capas da Revista Visão, publicadas entre 1993-2006. Defendemos a perspectiva de que as ideias de África veiculadas por este integrante do mass media português contemporâneo refletem e projetam as representações recorrentes sobre a temática nos cenários mentais de grande parte de sua população, ao mesmo tempo em que, influenciam a elaboração deste imaginário coletivo, revelando um importante mecanismo de invenção da memória coletiva sobre determinado assunto.
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En este trabajo se presenta un estudio detallado de los procesos implicados en la sulfurización de capas metálicas de Cu-In para la fabricación de células solares de CuInS2. Con este objeto, se ha desarrollado un experimento de sulfurización parcial de las capas, que han sido sometidas posteriormente a un tratamiento de selenización. El estudio de estas estructuras mediante Espectroscopía Raman y Espectroscopía de Electrones Auger (AES) ha permitido conocer algunos de los detalles de la reacción química, en concreto la identificación del frente de crecimiento de la reacción de sulfurización. Paralelamente, se ha desarrollado un sistema experimental que ha hecho posible investigar in-situ la reacción de sulfurización por Espectroscopía Raman, lo cual ha permitido un seguimiento preciso de la evolución estructural del material durante el proceso. Los resultados experimentales demuestran que la reacción de sulfurización se inicia en la superficie de la capa, dando lugar a la formación de CuInS2, coexistiendo dos estructuras cristalinas polimórficas (calcopirita y orden catiónico CuAu). Posteriormente la reacción química continúa asistida por la difusión de los metales hacia la superficie, que reaccionan con la atmósfera de azufre, de forma simultánea se produce una transformación de la fase CuAu del compuesto en la estructura calcopirita.
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Se da cuenta de nuevos hallazgos del Bulimus gerundensis, Vidal, en la región de Utiel, estudiandose su situación estratigráfica, su relación con el Microcodium y su posible utilización paleogeográfica.
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En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si.
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Se ha n realizado implantaciones de silicio y de carbono + silicio en matrices aislantes de SÍO2 térmico, las cuales, después de un recocido a alta temperatura precipitan en forma de nanocristales de tamaños comprendidos entre 30 y 60 Á. Estas estructuras presentan una intensa fotoluminiscencia en el rojo profundo (1.4-1.6 eV) y el verde (2.0-2.2 eV). La energía e intensidad de las bandas depende fuertemente de la temperatura y duración del recocido. Diferentes comportamientos se han encontrado para las bandas roja y verde, incluyendo la cinética de desexcitación y el origen estructural. Los experimentos de absorción infrarroja, Raman y microscopía electrónica demuestran que los nanocristales son los responsables de la banda roja mientras que agregados amorfos de carbono son los responsables de la verde.
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Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.
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Tesis (Doctor en Ingeniería de Materiales) UANL, 1995.
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Tesis (Doctor en Ciencias) UANL, 2014.
Diseño de celdas solares en película delgada usando CulnS? CulnSe? y AgInS? como capas absorbedoras.
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Tesis (Doctorado en Ciencias con orientación en Química de los Materiales) UANL, 2014.
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Resumen de la publicaci??n
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Este trabalho analisa a intertextualidade nas capas da Turma da Mônica Jovem, a partir dos estudos peircianos da semiótica, focados principalmente na semiologia dos signos visuais que compõem as capas da publicação, de forma a contextualizar tanto a intertextualidade quanto a originalidade nas capas da obra em relação ao estilo adotado para a composição artística, baseada na produção de histórias em quadrinhos japonesas, os mangás. Através da análise, o uso de Turma da Mônica Jovem se justifica por ser uma obra inteiramente nacional, cujas influências visuais são esteticamente orientais, adicionando novos detalhes ao estilo característico de cada personagem e tema abordados, através de sua concepção, além dos motivos que levam ao uso desse dialogismo, formando a cultura do produto através de sua rede de intertextualidade para com as demais mídias.