Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP
| Contribuinte(s) |
Universitat de Barcelona |
|---|---|
| Resumo |
Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
spa |
| Publicador |
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Direitos |
cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997 info:eu-repo/semantics/openAccess <a href="http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es">http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es</a> |
| Palavras-Chave | #Pous quàntics #Quantum wells |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
