Sistema de teste de transístores bipolares de junção e de efeito de campo

O estudo das curvas características de um transístor permite conhecer um conjunto de parâmetros essenciais à sua utilização tanto no domínio da amplificação de sinais como em circuitos de comutação. Deste estudo é possível obter dados em condições que muitas vezes não constam na documentação fornecida pelos fabricantes. O trabalho que aqui se apresenta consiste no desenvolvimento de um sistema que permite de forma simples, eficiente e económica obter as curvas características de um transístor (bipolar de junção, efeito de campo de junção e efeito de campo de metal-óxido semicondutor), podendo ainda ser utilizado como instrumento pedagógico na introdução ao estudo dos dispositivos semicondutores ou no projecto de amplificadores transistorizados. O sistema é constituído por uma unidade de condicionamento de sinal, uma unidade de processamento de dados (hardware) e por um programa informático que permite o processamento gráfico dos dados obtidos, isto é, traçar as curvas características do transístor. O seu princípio de funcionamento consiste na utilização de um conversor Digital-Analógico (DAC) como fonte de tensão variável, alimentando a base (TBJ) ou a porta (JFET e MOSFET) do dispositivo a testar. Um segundo conversor fornece a variação da tensão VCE ou VDS necessária à obtenção de cada uma das curvas. O controlo do processo é garantido por uma unidade de processamento local, baseada num microcontrolador da família 8051, responsável pela leitura dos valores em corrente e em tensão recorrendo a conversores Analógico-Digital (ADC). Depois de processados, os dados são transmitidos através de uma ligação USB para um computador no qual um programa procede à representação gráfica, das curvas características de saída e à determinação de outros parâmetros característicos do dispositivo semicondutor em teste. A utilização de componentes convencionais e a simplicidade construtiva do projecto tornam este sistema económico, de fácil utilização e flexível, pois permite com pequenas alterações

Características clínicas de las uveítis en pacientes pediátricos en dos centros de referencia oftalmológica en Bogotá

Introducción: La de uveítis pediátrica tiene una prevalencia mundial de aproximadamente 30 casos por 100.000 y constituye la segunda causa de ceguera en niños en Colombia. Sin embargo, no existen estudios que caractericen esta entidad en nuestro medio. Materiales y Métodos: Estudio retrospectivo, observacional, descriptivo, mediante la revisión de historias clínicas de pacientes pediátricos con diagnóstico de uveítis en la Fundación Oftalmológica Nacional y en un centro privado de consulta oftalmológica en Bogotá entre enero de 2000 y julio de 2013. Resultados: Se describe un total de 311 pacientes pediátricos con diagnóstico de uveítis, 51.8% niñas. La edad promedio de presentación fue de 10.1 años. La uveítis posterior fue la más frecuente (57.8%), siendo más común de aparición insidiosa (87.5%) y crónica (78.1%). La etiología más frecuente fue infecciosa (58.2%) causada por toxoplasmosis (76.8%). Se encontró una diferencia estadísticamente significativa entre la agudeza visual de la uveítis anterior (20/67) e intermedia (20/69), en comparación con la uveítis posterior (20/417) y panuveítis (20/209) (p <0,05). Discusión: Los datos de este estudio proporcionan el primer reporte de las características clínicas de la uveítis en pacientes pediátricos en Colombia, donde las uveítis infecciosas son la primera causa de esta entidad. Este estudio mejorará el conocimiento de la uveítis en nuestro medio, así como es un instrumento para el desarrollo de políticas públicas para la población pediátrica colombiana, con el fin de mejorar los resultados del tratamiento de estos pacientes.

Photodetection with gate-controlled lateral BJTs from standard CMOS technology

The silicon-based gate-controlled lateral bipolar junction transistor (BJT) is a controllable four-terminal photodetector with very high responsivity at low-light intensities. It is a hybrid device composed of a MOSFET, a lateral BJT, and a vertical BJT. Using sufficient gate bias to operate the MOS transistor in inversion mode, the photodetector allows for increasing the photocurrent gain by 106 at low light intensities when the base-emitter voltage is smaller than 0.4 V, and BJT is off. Two operation modes, with constant voltage bias between gate and emitter/source terminals and between gate and base/body terminals, allow for tuning the photoresponse from sublinear to slightly above linear, satisfying the application requirements for wide dynamic range, high-contrast, or linear imaging. MOSFETs from a standard 0.18-μm triple-well complementary-metal oxide semiconductor technology with a width to length ratio of 8 μm /2 μm and a total area of ∼ 500μm2 are used. When using this area, the responsivities are 16-20 kA/W. © 2001-2012 IEEE.

The Dependence of Retention Time on Gate Length in UTBOX FBRAM With Different Source/Drain Junction Engineering

The floating-body-RAM sense margin and retention-time dependence on the gate length is investigated in UTBOX devices using BJT programming combined with a positive back bias (so-called V th feedback). It is shown that the sense margin and the retention time can be kept constant versus the gate length by using a positive back bias. Nevertheless, below a critical L, there is no room for optimization, and the memory performances suddenly drop. The mechanism behind this degradation is attributed to GIDL current amplification by the lateral bipolar transistor with a narrow base. The gate length can be further scaled using underlap junctions.

Studio e realizzazione di un "timing circuit" e "output circuit" per pacemaker

Nell'elaborato è stato svolto uno studio su più livelli degli elementi essenziali del pacemaker asincrono secondo la realizzazione circuitale proposta da Wilson Greatbatch nel 1960. Un primo livello ha riguardato l’analisi teorica del circuito. Un secondo livello ha riguardato un’analisi svolta con LTSPICE. Con questo stesso programma, si è analizzato il segnale di temporizzazione e la forma d’onda sul carico al variare del valore di alcuni componenti chiave del circuito. Infine, si è proceduto alla sua realizzazione su breadboard.

Diseño, simulación y medida de un amplificador basado en estructura balanceada en la banda de 2000 MHz

El trabajo consistirá en la fabricación de un amplificador en banda 3G pasando por todos los pasos del proceso, desde el análisis y diseño teórico, la simulación circuital y, por último, la fabricación y caracterización del amplificador. Se ha escogido una estructura balanceada, consistente en dos acopladores 3dB 90º colocados en cascada con dos amplificadores conectados entre las salidas del primero y las entradas del segundo, por la considerable ventaja que supone en términos de linealidad de la ganancia y simplicidad en la adaptación. La primera tarea a desarrollar será definir los valores teóricos a emplear en los componentes de la estructura, esto es, la caracterización de los acopladores 3dB 90º, de los transistores BJT y de las posibles etapas de acoplo necesarias para el correcto funcionamiento del mismo. Se comenzará empleando los modelos ideales de los componentes, realizando una primera simulación en MatLab para obtener los valores de los elementos que serán introducidos en el simulador circuital, en este proyecto ADS. Una vez terminada el diseño teórico ideal se procederá a introducir efectos perturbadores en la simulación circuital que representen más adecuadamente el comportamiento real que se encontrará al fabricar el prototipo. Se diseñará mediante simulación circuital (ADS) el amplificador considerando los parámetros circuitales de los componentes considerados (BJT NPN) procedentes de la hoja de especificaciones del fabricante. Una vez diseñado este, se ajustará el diseño del módulo amplificador teniendo en cuenta el comportamiento de las conexiones en microondas. El efecto de estas conexiones se considerará mediante equivalentes circuitales. Con todo esto se analizará el circuito completo, y con estos elementos introducidos se buscará optimizar el diseño teórico inicial para mantener dichos efectos perturbadores centro de un margen aceptable. Proseguirá el trabajo con la fabricación del prototipo, empleando líneas microstrip para los acopladores, y transistores BJT para los amplificadores. Terminada la fabricación se realizará la última tarea del trabajo, consistente en la medida del prototipo en el laboratorio, donde se observará la respuesta en frecuencia en módulo y fase de la estructura, realizando la caracterización en parámetros S del amplificador. Se analizarán los resultados y se compararán estos con el diseño, en caso de existir diferencias entre ambos se intentará encontrar la justificación

Ultra high-speed transmission using dispersion managed solitons

This thesis presents the results of numerical modelling of ultra high-speed transmission using DM solitons. The theory of propagation in optical fibres is presented with specific reference to optical communication systems. This theory is then expanded to. incorporate dispersion-managed transmission and the dispersion managed soliton. The first part of this work focuses on ultra high-speed dispersion managed soliton propagation in short period dispersion maps. Initially, the cbaracteristics .of dispersion managed soliton propagation in short period dispersion maps are contrasted to those of the more conventional dispersion managed regime. These properties are then utilised to investigate transmission at single channel data rates of 80 Gbit/s, 160 Gbit/s and 320 Gbit/s. For all three data rates, the tolerable limits for transmission over 1000 km, 3000 km and·transoceanic distances are defined. A major limitation of these higher bjt rate systems arises from the problem of noise-induced interactions, which is where the.accumulation of timing jitter causes neighbouring dispersion-managed solitons to interact. In addition, the systems become more sensitive to initial conditions as the data rate increases, .. The second part of the work focuses on contrasting the performance of a range of propagation regimes, from quasi-linear through to soliton-like propagation at 40 Gbit/s for both single channel and WDM dispersion managed transmission. The results indicated that whilst the optimal single channel performance was achieved for soliton-like propagation, the optimal WDM performance was achieved for propagation regime that lay between quasi-linear and soliton-like.