Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells

The influence of dislocations on photoluminescence (PL) of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) is investigated by triple-axis x-ray diffraction (TAXRD), transmission electron microscopy (TEM), and PL spectra. The omega scan of every satellite peak by TAXRD is adopted to evaluate the mean screw and edge dislocation densities in MQWs. The results show that dislocations can lead to a reduction of the PL-integrated intensity of InGaN/GaN MQWs under certain conditions, with edge dislocations playing a decisive role. Additionally, the dislocations can broaden the PL peak, but the effect becomes evident only under the condition when the interface roughness is relatively low. (C) 2005 American Institute of Physics.

Food.

Este título forma parte de la serie Planeta bajo presión, y hace una revisión de la hambruna en África, la obesidad en occidente, los cultivos transgénicos, la agricultura y el comercio justo. Analiza cómo cambiar nuestra dieta afecta nuestra salud, nuestra vida y nuestro planeta. Estudios de casos y estadísticas se combinan para ofrecer una visión general de los problemas que nosotros, como comunidad mundial, nos enfrentamos. Dirigido a lectores de edades a partir de 12 años. Incluye referencias bibliográficas.