Optical breakdown of 6H SiC induced by wavelength-tunable femtosecond laser pulses

The damage mechanisms and micromachining of 6H SiC are studied by using femtosecond laser pulses at wavelengths between near infrared (NIR) and near ultraviolet (NUV) delivered from an optical parametric amplifier (OPA). Our experimental results indicate that high quality microstructures can be fabricated in SiC crystals. On the basis of the dependence of the ablated area and the laser pulse energy, the threshold fluence of SiC is found to increase with the incident laser wavelength in the visible region, while it remains almost constant for the NIR laser. For the NIR laser pulses, both photoionization and impact ionization play important roles in electronic excitation, while for visible lasers, photoionization plays a more important role.

Formation mechanisms of uniform arrays of periodic nanoparticles and nanoripples on 6H-SiC crystal surface induced by femtosecond laser ablation

Uniform arrays of periodic nanoparticles with 80-nm period are formed on 6H-SiC crystal irradiated by circularly polarized 400-nm femtosecond laser pulses. In order to understand the formation mechanism, the morphology evolvement as a function of laser pulse energy and number is studied. Periodic nanoripples are also formed on the sample surface irradiated by linearly polarized 400-, 510- and 800-nm femtosecond laser pulses. All these results support well the mechanism that second-harmonic generation plays an important role in the formation of periodic nanostructures.

飞秒激光在6H SiC晶体表面制备纳米微结构

激光诱导周期性纳米微结构在多种材料包括电介质、半导体、金属和聚合物中观察到。研究了800 nm和400 nm飞秒激光垂直聚焦于6H SiC晶体表面制备纳米微结构。实验观察到800 nm和400 nm线偏光照射样品表面分别得到周期为150 nm和80 nm的干涉条纹, 800 nm圆偏振激光单独照射样品表面得到粒径约100 nm的纳米颗粒。偏振相互垂直的800 nm和400 nm激光同时照射晶体得到粒径约100 nm的纳米颗粒阵列, 该纳米阵列的方向随400 nm激光强度增加而向400 nm偏振方向偏转。利

单束、多束飞秒激光在CdS,SiC和GaN表面诱导一维和二维纳米周期结构

报道了单光束、双光束和三光束飞秒激光在CdS,GaN,SiC样品上诱导形成周期远小于激光波长的纳米周期结构.研究表明,其形成机制不同于入射光与表面散射光干涉的经典机制,二次谐波的产生可能在其中起着重要作用;双光束激光干涉在SiC晶体表面诱导形成二维微米-纳米复合周期结构,干涉花样决定微米长周期结构,长周期结构的烧蚀斑上形成了短周期的自组织纳米结构.在上述研究基础上,初步探索三光束干涉形成二维、三维微米-纳米复合周期结构.

Análise do nível de aderência do modelo conceitual do sistema de custos às teorias da contabilidade de custo: experiência no governo federal para configuração e implantação do sistema de informações de custos - SIC

Este estudo expõe os objetivos, as diretrizes, o modelo conceitual e o processo desenvolvido para a implantação do Sistema de Informações de Custos do Governo Federal (SIC), descrevendo e explicando o marco conceitual e suas principais características, a abordagem em três dimensões (conceitual, tecnológica e cultural), as razões para os procedimentos adotados na sua construção, trabalhando a correspondência entre os conceitos da contabilidade governamental e da contabilidade de custos. O trabalho teve como proposta identificar e apresentar a configuração do sistema de informações de custos (SIC) a ser adotado pelo Brasil no âmbito da Administração Pública Federal como uma solução conciliatória junto aos atores envolvidos, e analisar e revelar o nível de aderência do SIC às teorias da Contabilidade de Custos, para tal fim foi desenvolvida a pesquisa exploratóriodescritiva, socorrendo-se em pesquisas bibliográfica e documental; na coleta de informações aplicando as técnicas de entrevista e observação direta intensiva; e na análise dos dados levantados, a técnica de análise de conteúdo. A importância do SIC é enfatizada como elemento de mensuração de custos, de melhoria da qualidade do gasto público e de vetor indutor da construção da mentalidade de custos na Administração Pública Federal que, poderá vir a ser o grande salto da administração patrimonial e burocrática para a administração gerencial.

Verificação do desempenho do ensaio de adensamento CRS comparado ao SIC.

A presente dissertação objetiva a verificação do desempenho dos ensaios do tipo CRS, com velocidade controlada, quando comparados aos ensaios de adensamento oedométricos convencionais, SIC. O ensaio SIC é executado em vários estágios de carga, cada qual com vinte e quatro horas de duração e razão unitária entre o incremento de tensão e a tensão anterior, requerendo um prazo total de cerca de 10 dias para sua execução. Já o ensaio de adensamento com velocidade controlada, CRS, tem sua duração bastante reduzida, o que levou diversos pesquisadores da área de Geotecnia a concentrarem esforços no estudo de seu desempenho, visando sua utilização mais ampla. Para este estudo foi adquirido equipamento da empresa Hogentogler Inc., designado por GeoStar. Sua instalação, montagem e calibração foram realizadas no Laboratório de Mecânica dos Solos. Foram executados ensaios em corpos de prova obtidos de amostras de caulim, preparadas em laboratório, e também em amostras de solos originários de dois depósitos de diferentes regiões no Estado do Rio de Janeiro: baixada de Jacarepaguá e Itaboraí. A dissertação procurou detalhar a execução dos ensaios, as dificuldades da interpretação das planilhas originadas pelo sistema de aquisição de dados, acoplado ao equipamento GeoStar, as mudanças efetuadas, as ocorrências não previstas, a análise e interpretação dos resultados e a comparação dos parâmetros obtidos com os ensaios SIC e CRS. Procurou-se estudar o efeito da velocidade de deformação, histórico de tensões, qualidade dos corpos de prova, parâmetros do ensaio, facilidade de execução e desempenho. Verificou-se a simplicidade, rapidez e o desempenho satisfatório do ensaio CRS. Sugere-se estender estudos semelhantes a outros locais e, principalmente, a amostras de qualidade superior, na expectativa de confirmar as conclusões detalhadas nesta pesquisa.

4H-SiC基底Al_2O_3/SiO_2双层减反射膜的设计和制备

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜,通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性。利用编程计算得到Al2O3和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0nm和96.1nm以及参考波长λ=280nm处最小反射率为0.09%。由误差分析可知,实际镀膜时保持双层膜厚度之和与理论值一致有利于降低膜系反射率。实验中应当准确控制SiO2折射率并使Al2O3折射率接近1.715。用电子束蒸发法在4H-SiC基底上淀积Al2O3/SiO2双层膜,厚度分别为42nm和96nm。SEM截面图表明淀积的薄膜和基底间具有较强的附着力。实测反射率极小值为0.33%,对应λ=276nm,与理论结果吻合较好。与传统SiO2单层膜相比,Al2O3/SiO2双层膜具有反射率小,波长选择性好等优点,从而论证了其在4H-SiC基紫外光电器件减反射膜上具有较好的应用前景。

High-performance 4H-SiC based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Al2O3 SiO2 films

4H-silicon carbide (SiC) metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetectors with Al2O3/SiO2 (A/S) films employed as antireflection/passivation layers have been demonstrated. The devices showed a peak responsivity of 0.12 A/W at 290 nm and maximum external quantum efficiency of 50% at 280 nm under 20 V electrical bias, which were much larger than conventional MSM detectors. The redshift of peak responsivity and response restriction effect were found and analyzed. The A/S/4H-SiC MSM photodetectors were also shown to possess outstanding features including high UV to visible rejection ratio, large photocurrent, etc. These results demonstrate A/S/4H-SiC photodetectors as a promising candidate for OEIC applications. (C) 2008 American Institute of Physics.

Al2O3/SiO2 films prepared by electron-beam evaporation as UV antireflection coatings on 4H-SiC

Al2O3/SiO2 films have been deposited as UV antireflection coatings on 4H-SiC by electron-beam evaporation and characterized by reflection spectrum, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The reflectance of the Al2O3/SiO2 films is 0.33% and 10 times lower than that of a thermally grown SiO2 single layer at 276 nm. The films are amorphous in microstructure and characterize good adhesion to 4H-SiC substrate. XPS results indicate an abrupt interface between evaporated SiO2 and 4H-SiC substrate free of Si-suboxides. These results make the possibility for 4H-SiC based high performance UV optoelectronic devices with Al2O3/SiO2 films as antireflection coatings. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Annealing effects on the optical and structural properties of Al2O3/SiO2 films as UV antireflection coatings on 4H-SiC substrates

Al2O3/SiO2 films have been prepared by electron-beam evaporation as ultraviolet (UV) antireflection coatings on 4H-SiC substrates and annealed at different temperatures. The films were characterized by reflection spectra, ellipsometer system, atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD) and Xray photoelectron spectroscopy (XPS), respectively. As the annealing temperature increased, the minimum reflectance of the films moved to the shorter wavelength for the variation of refractive indices and the reduction of film thicknesses. The surface grains appeared to get larger in size and the root mean square (RMS) roughness of the annealed films increased with the annealing temperature but was less than that of the as-deposited. The Al2O3/SiO2 films maintained amorphous in microstructure with the increase of the temperature. Meanwhile, the transition and diffusion in film component were found in XPS measurement. These results provided the important references for Al2O3/SiO2 films annealed at reasonable temperatures and prepared as fine anti-reflection coatings on 4H-SiC-based UV optoelectronic devices. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.