252 resultados para Spettroscopia, nanofili, silicio
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Pós-graduação em Agronomia (Horticultura) - FCA
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
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Pós-graduação em Agronomia - FEIS
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Pós-graduação em Agronomia (Proteção de Plantas) - FCA
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This conclusion thesis has the objective of produce substrates of Silicon Carbide from the powder of SiC for aerospace use. The powder of SiC was pressed in cylindrical form by the process called “wet way”. For the inicial pressing process was used a uniaxial squeezer and after that was used a isostatic squeezer, after that the samples were synthesized. The next step was the machining and polishing to improve the features of the surface of the sample. Then the roughness was measured, as also the Arquimedes method and optical microscopy and scanning eletron microscopy. Some innovations were done, in one of the lots little vacancys were done with organic material or silicon to reduce the weight of the sample; and the other innovation were the use of a slip film of SiC on the surface of the sample, that were after synthesized with LASER to reduce the roughness, in this samples the roughness were reduce in 50 % if compared with the other samples
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The Sanding is a complex process involving many variables that affect the quality of the part produced, working mainly in the timber industry in the production of panels (MDF, MDP, HDF, etc...) and furniture. However, these industries use the sanding process empirically, not optimizing it. The aim of this study was to compare the behavior of sandpaper white aluminum oxide (OA-white) and Black silicon carbide (SiC-black), analyzing variables in the process as: strength, power, emission, vibration, wear particle size of sanding, and its consequences on the surface finish of the workpiece. Made the process of plane grinding samples of Pinus elliottii, processed in parallel to the fibers, which were sanded with sandpaper grain OA white and black 3-SiC abrasive conditions (new, moderately eroded and severely eroded) grain sizes in 3 (80, 100, and 120 mesh). 6 replicates was performed for each condition tested. Each trial was captured output variables of the sanding process: strength, power, emission and vibration. With two stages totaling 108 trials. After the sanded samples, it has the same surface quality by raising the surface roughness Ra. Through experiment, it can be concluded that abrasives OA-white tended to have higher strength, power, emissions and less vibration in the sanding process, compared to the SiC-black. However, surface finish exhibited similar to the particle size of 80 to 100 mesh, worn abrasive conditions. However, the particle size of 120 mesh, obtained by the roughness of sandpaper OA-bank was higher compared to SiC-black to all conditions of sandpaper due to its toughness
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The need for development of new materials is a natural process in the companies’ technological point of view, seeking improvements in materials and processes. Specifically, among the materials, ceramic exhibit valuable properties, especially the covalent ceramics which have excellent properties for applications which requires the abrasion resistance, hardness, high temperatures, resistence, etc. being a material that has applications in several areas. Most studies are related to improvement of properties, specially fracture toughness that allows the expansion of its application. Among the most promising ceramic materials are silicon nitride (Si3N4) which has excellent properties. The goal of this work was the development and caracterization of Si3N4-based ceramics, doped with yttrium oxide (Y2O3), rar earth concentrate (CTR2O3) and cerium oxide (CeO2) in the same proportion for the evaluation of properties. The powders' mixtures were homogenized, dried and compressed under pressure uniaxial and isostatic. Sintering was carried out in 1850 ⁰C under pressure of 0,1MPa N2 for 1 h with a heating rate of 25 ⁰C / min and cooling in the furnace inertia. The characterizations were performed using Archimedes principle to relative density, weight loss by measuring before and after sintering, phase analysis by X-ray diffraction, microstructure by scanning electron microscope (SEM), hardness and fracture toughness by the method Vickers indentation. The results obtained showed relative density of 97-98%, Vickers hardness 17 to 19 GPa, fracture toughness 5.6 to 6.8 MPa.m1/2, with phases varying from α-SiAlON and β-Si3N4 depending the types of additives used. The results are promising for tribological applications and can be defined according to the types of additives to be used
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Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEB
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Programa de doctorado: Tecnologías de Telecomunicación Avanzadas
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Programa de doctorado: Ingeniería de telecomunicación avanzada.
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Programa de doctorado: Ingeniería de Telecomunicación Avanzada.
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Programa de doctorado: Ingeniería de Telecomunicación Avanzada
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In questa tesi verranno trattati sia il problema della creazione di un ambiente di simulazione a domini fisici misti per dispositivi RF-MEMS, che la definizione di un processo di fabbricazione ad-hoc per il packaging e l’integrazione degli stessi. Riguardo al primo argomento, sarà mostrato nel dettaglio lo sviluppo di una libreria di modelli MEMS all’interno dell’ambiente di simulazione per circuiti integrati Cadence c . L’approccio scelto per la definizione del comportamento elettromeccanico dei MEMS è basato sul concetto di modellazione compatta (compact modeling). Questo significa che il comportamento fisico di ogni componente elementare della libreria è descritto per mezzo di un insieme limitato di punti (nodi) di interconnessione verso il mondo esterno. La libreria comprende componenti elementari, come travi flessibili, piatti rigidi sospesi e punti di ancoraggio, la cui opportuna interconnessione porta alla realizzazione di interi dispositivi (come interruttori e capacità variabili) da simulare in Cadence c . Tutti i modelli MEMS sono implementati per mezzo del linguaggio VerilogA c di tipo HDL (Hardware Description Language) che è supportato dal simulatore circuitale Spectre c . Sia il linguaggio VerilogA c che il simulatore Spectre c sono disponibili in ambiente Cadence c . L’ambiente di simulazione multidominio (ovvero elettromeccanico) così ottenuto permette di interfacciare i dispositivi MEMS con le librerie di componenti CMOS standard e di conseguenza la simulazione di blocchi funzionali misti RF-MEMS/CMOS. Come esempio, un VCO (Voltage Controlled Oscillator) in cui l’LC-tank è realizzato in tecnologia MEMS mentre la parte attiva con transistor MOS di libreria sarà simulato in Spectre c . Inoltre, nelle pagine successive verrà mostrata una soluzione tecnologica per la fabbricazione di un substrato protettivo (package) da applicare a dispositivi RF-MEMS basata su vie di interconnessione elettrica attraverso un wafer di Silicio. La soluzione di packaging prescelta rende possibili alcune tecniche per l’integrazione ibrida delle parti RF-MEMS e CMOS (hybrid packaging). Verranno inoltre messe in luce questioni riguardanti gli effetti parassiti (accoppiamenti capacitivi ed induttivi) introdotti dal package che influenzano le prestazioni RF dei dispositivi MEMS incapsulati. Nel dettaglio, tutti i gradi di libertà del processo tecnologico per l’ottenimento del package saranno ottimizzati per mezzo di un simulatore elettromagnetico (Ansoft HFSSTM) al fine di ridurre gli effetti parassiti introdotti dal substrato protettivo. Inoltre, risultati sperimentali raccolti da misure di strutture di test incapsulate verranno mostrati per validare, da un lato, il simulatore Ansoft HFSSTM e per dimostrate, dall’altro, la fattibilit`a della soluzione di packaging proposta. Aldilà dell’apparente debole legame tra i due argomenti sopra menzionati è possibile identificare un unico obiettivo. Da un lato questo è da ricercarsi nello sviluppo di un ambiente di simulazione unificato all’interno del quale il comportamento elettromeccanico dei dispositivi RF-MEMS possa essere studiato ed analizzato. All’interno di tale ambiente, l’influenza del package sul comportamento elettromagnetico degli RF-MEMS può essere tenuta in conto per mezzo di modelli a parametri concentrati (lumped elements) estratti da misure sperimentali e simulazioni agli Elementi Finiti (FEM) della parte di package. Infine, la possibilità offerta dall’ambiente Cadence c relativamente alla simulazione di dipositivi RF-MEMS interfacciati alla parte CMOS rende possibile l’analisi di blocchi funzionali ibridi RF-MEMS/CMOS completi.