993 resultados para PU.1
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Alberto B. Martínez, chairman.
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"August 1964."
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Includes index.
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"March 1973."
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"July 1971."
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Fu: v. 4-6. Yan shi jia xun : 4 juan ; Yue pu ji : 7 juan, bu juan 1 juan / Yan Guangmin zhu ; Yan shi jia sheng.
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Double leaves, oriental style, in case.
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Content page: Kangxi 47 nian [1708] xiu.
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Vol. 1-10, por P. Emilio Dancuart; v. 11- por J. M. Rodriguez.
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Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.
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A Cultura Digital é uma realidade do século XXI, onde as relações humanas são fortemente mediadas pelas tecnologias e pelo digital. O Digital tem mudado o comportamento das pessoas e influenciado o seu meio cultural. O conceito de Cultura digital inclui saber onde encontrar informação, ferramentas e sistemas, necessários para cumprir uma determinada tarefa de forma não só eficaz, mas também mais eficiente. As competências para explorar as tecnologias que o permitam, são cada vez mais exigidas na interação em sociedade. Tendo em consideração estudos existentes associados com as competências TIC, nomeadamente os propostos pela UNESCO e pelo Executivo Angolano no seu Plano Nacional de Desenvolvimento para 2013-2017, em que está enquadrada a iniciativa da Rede de Mediatecas de Angola, foi tomada a Cultural Digital e a sua promoção no ambito das Mediatecas. Numa primeira avaliação desde da abertura da Mediateca em Fevereiro de 2014, verificamos uma fraca adesão dos professores na utilização dos serviços da Mediateca do Huambo – Angola. Coloca-se neste contexto a questão do porquê que é que os professores não exploram as TIC para as atividades docentes ou da sua aprendizagem? Desta forma, é considerada a questão de investigação: Quais as estratégias a desenvolver para incrementar a exploração das TIC pelos professores e como a Mediateca do Huambo pode servir de espaço para a promoção da Cultura Digital. Foi realizado um estudo de caso, no contexto da Mediateca do Huambo, em que foi efetuada uma recolha de dados pela (a) aplicação de questionários aos professores do 1º e 2º Ciclo do Ensino Secundário do Município do Huambo para mapear as competências TIC dos professores segundo os padrões da UNESCO e o apuramento da formação e uso das TIC em contexto educativo, (b) pela aplicação de um conjunto de tarefas com o objetivo de verificar quais as competências digitais dos professores e por último (c), a implementação do projeto-piloto denominado “ Mediateca +Escola” com o objetivo de levar à Mediateca professores e alunos para desenvolver um projeto TIC onde os professores teriam uma oportunidade de demostrar as competências que afirmavam possuir. Como resultado final obtido neste estudo de caso podemos concluir que 71,27% indicanos que os professores têm a perceção que necessitam de mais formação e desenvolvimento de competências TIC, 27,50% confirma que os professores creem que têm confiança nas TIC. Em face das respostas com valores negativos que apontam para a necessidade de delinear estratégia para capacitar este grupo em competências TIC de forma a incluí-los na sociedade em rede providos de uma Cultura Digital foi proposto o modelo que permite validar os dados obtidos pelo questionário permitindo também delinear estratégias com vista à promoção da Cultura Digital.
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Cette recherche a pour objectif de mesurer la valeur marginale estimée par les investisseurs canadiens à la suite de l’ajout de 1 dollar d’encaisse, pour la période trimestrielle s’étalant de 2001 à 2013. Autrement dit, nous tentons d’évaluer si l’investisseur déprécie, estime à sa juste valeur nominale ou apprécie la valeur de 1 dollar de trésorerie, et ce à travers son impact sur la valeur marchande de l’équité. Parallèlement, nous tentons d’analyser l’influence des variables liées à la rentabilité, le financement, la croissance et le risque sur la valeur que place l’investisseur à l’ajout de 1 dollar d’encaisse. L’effet sectoriel sera notamment exploré sur l’ensemble de ces périodes. Des études passées ont démontré qu’il existe une asymétrie entre la valeur nominale de 1 dollar d’encaisse et celle estimée par les investisseurs. Plus précisément que l’ajout de 1 dollar de liquidité est évalué à prime. Somme toute, ces analyses affinent leurs résultats en tenant compte de l’influence des autres variables telles que mentionnées plus haut, afin de déterminer celles qui entraînent une appréciation de l’encaisse de celles qui conduisent à sa dépréciation. Nous avons conclu qu’en moyenne la valeur marginale de 1 dollar de liquidité est évaluée à 2,13$ par les investisseurs. Nous avons également pu prouver que les anticipations des investisseurs et le risque total influencent significativement cette estimation. Pour tenter de mesurer la valeur que place l’investisseur à l’ajout de 1 dollar d’encaisse, nous avons utilisé la méthodologie de Pinkowitz et Williamson (2002). Ce faisant, nous avons dans un premier temps mesuré l’impact net de l’encaisse sur la valeur marchande de l’équité en élimant du modèle les variables tenant compte des variations trimestrielles t-2 et t+2. L’hypothèse à vérifier en ce qui concerne l’impact net de l’encaisse est qu’il existe une asymétrie significative entre la valeur de 1 dollar et celle estimée par l’investisseur qui n’est pas uniquement provoquée par l’influence des variations passées et futures de l’encaisse. Les résultats obtenus nous ont permis de prouver que la valeur de 1 dollar d’encaisse est appréciée par l’investisseur, et ce malgré la suppression ou la présence des variables tenant compte des variations. Dans la même ligné, nous avons pu démontrer que, conjointement à l’encaisse au temps t, seules les variations liées aux anticipations des investisseurs impactaient significativement la valeur marchande de l’équité. En ce qui concerne le risque dont l’analyse s’est effectuée en dissociant le risque systématique du risque systémique. L’hypothèse à vérifier est qu’une augmentation du risque systématique entraîne une augmentation de la valeur de l’encaisse estimée par l’investisseur. Les résultats obtenus viennent appuyer cette affirmation. Quant au risque systémique, l’hypothèse à vérifier tente à affirmer qu’en période de crise l’encaisse est sous-estimée par l’investisseur et son impact sur la VME non significatif. Nos résultats nous conduisent à démontrer que pour la crise financière de 2006, cette hypothèse est justifiée, mais nous ne permettent pas de la vérifier pour chaque crise. Finalement, nous tenions à vérifier que dépendamment du secteur étudié, l’encaisse pouvait être plus appréciée par les investisseurs. Or, nos résultats ont montré qu’en présence de la liquidité aucun secteur ne se distingue significativement de ses pairs.
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Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.
