Versuch einer kurzen geordneten Darstellung der neuen Competenz-Vorschriften (Jurisdictionsnormen) für das civilgerichtliche Verfahren in Oesterreich

von Dr. Franz Haimerl, ordentl. Professor der Rechte an der k.k. Universität in Wien

Gesetze der ehemals freien Stadt Krakau, welche sich auf das bürgerliche Recht und das Civil-Verfahren beziehen, und wodurch einzelne Bestimmungen des (französischen) Civil-Gesetzbuches und der (französischen) Civil-Process-Ordnung ganz ausser Wirksamkeit gesetzt, abgeändert oder ergänzt worden sind : aus dem polnischen Urtexte

übersetzt von Rudolph Schuster von Bärnrode, k.k. Sektionsrathe im Justizministerium

Die Lehre von der Aus- und Einwanderung im Königreiche Bayern : und das Verfahren und der Dienst der Verwaltungsämter d. d. Rhs. in Aus- und Einwanderungssachen

hrsg. von Eduard Friedrich Rottmann

Verfahren zur Durchsatz-maximierenden Lagerordnung auf Grundlage unsicherer Zugriffshäufigkeitsprognosen

Im Zusammenhang mit der Entwicklung einer neuen Betriebsstrategie zur Erzeugung einer Durchsatz-maximierenden Lagerordnung werden neue Herausforderungen des Strategiedesigns in Form von Echtzeitanfoderungen, Korrelationen-abbildende Prognosenwertemodelle und ungewissen Auftragsfolgen thematisiert. Die Effektivität der neuen Betriebsstrategie wird im Rahmen eines Simulationsexperiments getestet.

Growth and application of planar III-V semiconductor nanowires grown with MOCVD

The semiconductor nanowire has been widely studied over the past decade and identified as a promising nanotechnology building block with application in photonics and electronics. The flexible bottom-up approach to nanowire growth allows for straightforward fabrication of complex 1D nanostructures with interesting optical, electrical, and mechanical properties. III-V nanowires in particular are useful because of their direct bandgap, high carrier mobility, and ability to form heterojunctions and have been used to make devices such as light-emitting diodes, lasers, and field-effect transistors. However, crystal defects are widely reported for III-V nanowires when grown in the common out-of-plane <111>B direction. Furthermore, commercialization of nanowires has been limited by the difficulty of assembling nanowires with predetermined position and alignment on a wafer-scale. In this thesis, planar III-V nanowires are introduced as a low-defect and integratable nanotechnology building block grown with metalorganic chemical vapor deposition. Planar GaAs nanowires grown with gold seed particles self-align along the <110> direction on the (001) GaAs substrate. Transmission electron microscopy reveals that planar GaAs nanowires are nearly free of crystal defects and grow laterally and epitaxially on the substrate surface. The nanowire morphology is shown to be primarily controlled through growth temperature and an ideal growth window of 470 +\- 10 °C is identified for planar GaAs nanowires. Extension of the planar growth mode to other materials is demonstrated through growth of planar InAs nanowires. Using a sacrificial layer, the transfer of planar GaAs nanowires onto silicon substrates with control over the alignment and position is presented. A metal-semiconductor field-effect transistor fabricated with a planar GaAs nanowire shows bulk-like low-field electron transport characteristics with high mobility. The aligned planar geometry and excellent material quality of planar III-V nanowires may lead to highly integrated III-V nanophotonics and nanoelectronics.

Growth and Characterization of III-V Semiconductor Materials for MOCVD Reactor Qualification and Process Control

Metalorganic chemical vapor deposition is examined as a technique for growing compound semiconductor structures. Material analysis techniques for characterizing the quality and properties of compound semiconductor material are explained and data from recent commissioning work on a newly installed reactor at the University of Illinois is presented.

Medizinischer und gesundheitsökonomischer Nutzen der Untersuchung auf Helicobacter pylori-Besiedlung mittels 13C-Harnstoff-Atemtest in der Primärdiagnostik im Vergleich zu invasiven und nichtinvasiven diagnostischen Verfahren

Hintergrund: Helicobacter pylori (H. pylori) zählt trotz abnehmender Inzidenz zu den häufigsten bakteriellen Infektionskrankheiten des Menschen. Die Infektion mit H. pylori ist ein Risikofaktor für Krankheiten wie gastroduodenale Geschwüre, Magenkarzinomen und MALT (Mucosa Associated Lymphoid Tissue)-Lymphomen. Zur Diagnostik von H. pylori stehen verschiedene invasive und nichtinvasive Verfahren zur Verfügung. Der 13C-Harnstoff-Atemtest wird zur Kontrolle einer Eradikationstherapie empfohlen, kommt in der Primärdiagnostik von H. pylori derzeit jedoch nicht standardmäßig in Deutschland zum Einsatz. Fragestellung: Welchen medizinischen und gesundheitsökonomischen Nutzen hat die Untersuchung auf H. pylori-Besiedlung mittels 13C-Harnstoff-Atemtest in der Primärdiagnostik im Vergleich zu invasiven und nichtinvasiven diagnostischen Verfahren? Methodik: Basierend auf einer systematischen Literaturrecherche in Verbindung mit einer Handsuche werden Studien zur Testgüte und Kosten-Effektivität des 13C-Harnstoff-Atemtests im Vergleich zu anderen diagnostischen Verfahren zum primären Nachweis von H. pylori identifiziert. Es werden nur medizinische Studien eingeschlossen, die den 13C-Harnstoff-Atemtest direkt mit anderen H. pylori-Testverfahren vergleichen. Goldstandard ist eines oder eine Kombination der biopsiebasierten Testverfahren. Für die gesundheitsökonomische Beurteilung werden nur vollständige gesundheitsökonomische Evaluationsstudien einbezogen, bei denen die Kosten-Effektivität des 13C Harnstoff-Atemtests direkt mit anderen H. pylori-Testverfahren verglichen wird. Ergebnisse: Es werden 30 medizinische Studien für den vorliegenden Bericht eingeschlossen. Im Vergleich zum Immunglobulin G (IgG)-Test ist die Sensitivität des 13C-Harnstoff-Atemtests zwölfmal höher, sechsmal niedriger und einmal gleich, und die Spezifität 13-mal höher, dreimal niedriger und zweimal gleich. Im Vergleich zum Stuhl-Antigen-Test ist die Sensitivität des 13C-Harnstoff-Atemtests neunmal höher, dreimal niedriger und einmal gleich, und die Spezifität neunmal höher, zweimal niedriger und zweimal gleich. Im Vergleich zum Urease-Schnelltest sind die Sensitivität des 13C-Harnstoff-Atemtests viermal höher, dreimal niedriger und viermal gleich und die Spezifität fünfmal höher, fünfmal niedriger und einmal gleich. Im Vergleich mit der Histologie ist die Sensitivität des 13C-Harnstoff-Atemtests einmal höher und zweimal niedriger und die Spezifität zweimal höher und einmal niedriger. In je einem Vergleich zeigt sich kein Unterschied zwischen 13C-Harnstoff-Atemtest und 14C-Harnstoff-Atemtest, sowie eine niedrigere Sensitivität und höhere Spezifität im Vergleich zur Polymerase-Kettenreaktion (PCR). Inwieweit die beschriebenen Unterschiede statistisch signifikant sind, wird in sechs der 30 Studien angegeben. Es werden neun gesundheitsökonomische Evaluationen in dem vorliegenden Bericht berücksichtigt. Die Test-and-Treat-Strategie mittels 13C-Harnstoff-Atemtest wird in sechs Studien mit einem Test-and-Treat-Verfahren auf Basis der Serologie sowie in drei Studien mit einem Test-and-Treat-Verfahren auf Basis des Stuhl-Antigen-Tests verglichen. Dabei ist das Atemtestverfahren dreimal kosteneffektiv gegenüber der serologischen Methode und wird von der Stuhl-Antigen-Test-Strategie einmal dominiert. Vier Studien beinhalten einen Vergleich der Test-and -Treat-Strategie auf Basis des 13C-Harnstoff-Atemtests mit einer empirischen antisekretorischen Therapie, wobei sich das Atemtesverfahren zweimal als kosteneffektive Prozedur erweist und zwei Studien einen Vergleich mit einer empirischen Eradikationstherapie. In fünf Studien wird das Test-and-Treat-Verfahren mittels 13C-Harnstoff-Atemtest einer endoskopiebasierten Strategie gegenübergestellt. Zweimal dominiert die Atemteststrategie die endoskopische Prozedur und einmal wird sie von dieser Strategie dominiert. Diskussion:Sowohl die medizinischen als auch die ökonomischen Studien weisen mehr oder minder gravierende Mängel auf und liefern heterogene Ergebnisse. So werden in der Mehrzahl der medizinischen Studien keine Angaben zur statistischen Signifikanz der berichteten Unterschiede zwischen den jeweiligen Testverfahren gemacht. Im direkten Vergleich weist der 13C-Harnstoff-Atemtest überwiegend eine höhere Testgüte als der IgG und der Stuhl-Antigen-Test auf. Aus den Vergleichen mit dem Urease-Schnelltest lassen sich keine Tendenzen bezüglich der Sensitivität ableiten, wohingegen die Spezifität des 13C-Harnstoff-Atemtests höher einzuschätzen ist. Für die Vergleiche des 13C-Harnstoff-Atemtest mit der Histologie, dem 14C-Harnstoff-Atemtest und der PCR liegen zu wenige Ergebnisse vor. In der eingeschlossenen ökonomischen Literatur deuten einige Studienergebnisse auf eine Kosten-Effektivität der Test-and-Treat-Strategie mittels 13C-Harnstoff-Atemtest gegenüber dem Test-and-Treat-Verfahren auf Basis der Serologie und der empirischen antiskretorischen Therapie hin. Um Tendenzen bezüglich der Kosten-Effektivität der Atemteststrategie gegenüber der Test-and-Treat-Strategie mittels Stuhl-Antigen-Test sowie der empirischen Eradikationstherapie abzuleiten, mangelt es an validen Ergebnissen bzw. ökonomischer Evidenz. Die Untersuchungsresultate hinsichtlich eines Vergleichs mit endoskopiebasierten Verfahren fallen diesbezüglich zu heterogen aus. Insgesamt kann keines der ökonomischen Modelle der Komplexität des Managements von Patienten mit dyspeptischen Beschwerden gänzlich gerecht werden. Schlussfolgerungen/Empfehlungen: Zusammenfassend ist festzuhalten, dass die Studienlage zur medizinischen und ökonomischen Beurteilung des 13C-Harnstoff-Atemtests im Vergleich zu anderen diagnostischen Methoden nicht ausreichend ist, um den Atemtest als primärdiagnostisches Standardverfahren im Rahmen einer Test-and-Treat-Strategie beim Management von Patienten mit dyspeptischen Beschwerden für die deutsche Versorgungslandschaft insbesondere vor dem Hintergrund der Leitlinien der Deutschen Gesellschaft für Verdauungs- und Stoffwechselkrankheiten (DGVS) anstelle einer endoskopiebasierten Methode zu empfehlen.

Low-frequency noise and static analysis of the impact of the TiN metal gate thicknesses on n- and p-channel MuGFETs

The impact of the titanium nitride (TIN) gate electrode thickness has been investigated in n and p channel SOI multiple gate field effect transistors (MuGFETs) through low frequency noise charge pumping and static measurements as well as capacitance-voltage curves The results suggest that a thicker TIN metal gate electrode gives rise to a higher EOT a lower mobility and a higher interface trap density The devices have also been studied for different back gate biases where the GIFBE onset occurs at lower front-gate voltage for thinner TIN metal gate thickness and at higher V(GF) In addition it is demonstrated that post deposition nitridation of the MOCVD HfSiO gate dielectric exhibits an unexpected trend with TIN gate electrode thickness where a continuous variation of EOT and an increase on the degradation of the interface quality are observed (C) 2010 Elsevier Ltd All rights reserved

Synthesis of anatase TiO2 supported on porous solids by chemical vapor deposition

Coating anatase TiO2 onto three different particle supports, activated carbon (AC), gamma -alumina (Al2O3) and silica gel (SiO2), by chemical vapor deposition (CVD) was studied. The effect of the CVD synthesis conditions on the loading rate of anatase TiO2 was investigated. It was found that introducing water vapor during CVD or adsorbing water before CVD was crucial to obtain anatase TiO2 on the surface of the particle supports. The evaporation temperature of precursor, deposition temperature in the reactor, flow rate of carrier gas, and the length of coating time were also important parameters to obtain more uniform and repeatable TiO2 coating. High inflow precursor concentration, high CVD reactor temperature and long coating time tended to cause block problem. Coating TiO2 onto small particles by CVD involved both chemical vapor deposition and particle deposition. It was believed that the latter was the reason for the block problem. In addition, the mechanism of CVD process in this study included two parts, pyrolysis and hydrolysis, and one of them was dominant in the CVD process under different synthesis route. Among the three types of materials, silica gel, with higher surface hydroxyl groups and macropore surface area, was found to be the most efficient support in terms of both anatase TiO2 coating and photocatalytic reaction. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Optical properties and transport in PLD-GaN

We present structural, optical and transport data on GaN samples grown by hybrid, two-step low temperature pulsed laser deposition. The band gap of samples with good crystallinity has been deduced from optical spectra. Large below gap band tails were observed. In samples with the lowest crystalline quality the PL spectra are quite dependent on spot laser incidence. The most intense PL lines can be attributed to excitons bounded to stacking faults. When the crystalline quality of the samples is increased the ubiquitous yellow emission band can be detected following a quenching process described by a similar activation energy to that one found in MOCVD grown samples. The samples with the highest quality present, besides the yellow band, show a large near band edge emission which peaked at 3.47 eV and could be observed up to room temperature. The large width of the NBE is attributed to effect of a wide distribution of band tail states on the excitons. Photoconductivity data supports this interpretation.

Analytical and numerical investigation of two-phase flows

Multiphase flows, hyperbolic model, Godunov method, nozzle flow, nonstrictly hyperbolic