Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

We report on structural, electronic, and optical properties of boron-doped, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at a substrate temperature of 150 degrees C. Film properties were studied as a function of trimethylboron-to-silane ratio and film thickness. The absorption loss of 25% at a wavelength of 400 nm was measured for the 20 nm thick films on glass and glass/ZnO:Al substrates. By employing the p(+) nc-Si:H as a window layer, complete p-i-n structures were fabricated and characterized. Low leakage current and enhanced sensitivity in the UV/blue range were achieved by incorporating an a-SiC:H buffer between the p- and i-layers.

A 3-phase model for VIS/NIR mu C-Si : H p-i-n detectors

The spectral response and the photocurrent delivered by entirely microcrystalline p-i-n-Si:H detectors an analysed under different applied bias and light illumination conditions. The spectral response and the internal collection depend not only on the energy range but also on the illumination side. Under [p]- and [n]-side irradiation, the internal collection characteristics have an atypical shape. It is high for applied bias and lower than the open circuit voltage, shows a steep decrease near the open circuit voltage (higher under [n]-side illumination) and levels off for higher voltages. Additionally, the numerical modeling of the VIS/NIR detector, based on the band discontinuities near the grain boundaries and interfaces, complements the study and gives insight into the internal physical process.

Bias dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : EVSiC : H heterojunction

A series of large area single layers and heterojunction cells in the assembly glass/ZnO:Al/p (SixC1-x:H)/i (Si:H)/n (SixC1-x:H)/Al (0 der different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High serial resistances around 10(5)Ohm are also measured Simulated results confirm the experimental findings suggesting that the transport in dark depends almost exclusively on field-aided drift while under illumination it is dependent mainly on minority carriers the diffusion.

Bias-dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : H/SiC : H heterojunction

A series of large area single layers and glass/ZnO:AVp(SixC1-x:H)/i(Si:H)/n(SixC1-x:H)/AI (0 < x < 1) heterojunction cells were produced by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) at low temperature. Junction properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage (J-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. For the heterojunction cells atypical J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High series resistances around 106 Q are also measured. These experimental results were used as a basis for the numerical simulation of the energy band diagram, and the electrical field distribution of the structures. Further comparison with the sensor performance gave satisfactory agreement. Results show that the conduction band offset is the most limiting parameter for the optimal collection of the photogenerated carriers. As the optical gap increases and the conductivity of the doped layers decreases, the transport mechanism changes from a drift to a diffusion-limited process.

Enhanced short wavelength response in laser-scanned-photodiode image sensor using an a-SiC : H/a-Si : H tandem structure

We report in this paper the recent advances we obtained in optimizing a color image sensor based on the laser-scanned-photodiode (LSP) technique. A novel device structure based on a a-SiC:H/a-Si:H pin/pin tandem structure has been tested for a proper color separation process that takes advantage on the different filtering properties due to the different light penetration depth at different wavelengths a-SM and a-SiC:H. While the green and the red images give, in comparison with previous tested structures, a weak response, this structure shows a very good recognition of blue color under reverse bias, leaving a good margin for future device optimization in order to achieve a complete and satisfactory RGB image mapping. Experimental results about the spectral collection efficiency are presented and discussed from the point of view of the color sensor applications. The physics behind the device functioning is explained by recurring to a numerical simulation of the internal electrical configuration of the device.

ITO/SiOx/Si optical sensor with internal gain

A visible/near-infrared optical sensor based on an ITO/SiOx/n-Si structure with internal gain is presented. This surface-barrier structure was fabricated by a low-temperature processing technique. The interface properties and carder transport were investigated from dark current-voltage and capacitance-voltage characteristics. Examination of the multiplication properties was performed under different light excitation and reverse bias conditions. The spectral and pulse response characteristics are analysed. The current amplification mechanism is interpreted by the control of electron current by the space charge of photogenerated holes near the SiOx/Si interface. The optical sensor output characteristics and some possible device applications are presented.

New p-i-n Si : H imager configuration for spatial resolution improvement

Amorphous glass/ZnO-Al/p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si1-xCx:H)/Al imagers with different n-layer resistivities were produced by plasma enhanced chemical vapour deposition technique (PE-CVD). An image is projected onto the sensing element and leads to spatially confined depletion regions that can be readout by scanning the photodiode with a low-power modulated laser beam. The essence of the scheme is the analog readout, and the absence of semiconductor arrays or electrode potential manipulations to transfer the information coming from the transducer. The influence of the intensity of the optical image projected onto the sensor surface is correlated with the sensor output characteristics (sensitivity, linearity blooming, resolution and signal-to-noise ratio) are analysed for different material compositions (0.5 < x < 1). The results show that the responsivity and the spatial resolution are limited by the conductivity of the doped layers. An enhancement of one order of magnitude in the image intensity signal and on the spatial resolution are achieved at 0.2 mW cm(-2) light flux by decreasing the n-layer conductivity by the same amount. A physical model supported by electrical simulation gives insight into the image-sensing technique used.

Efeitos do treino da consciência fonológica em crianças pré-escolares, com e sem problemas de linguagem

Este estudo de intervenção tem como objetivo avaliar o efeito de um programa de estimulação da Consciência Fonológica em crianças pré-escolares, com e sem problemas de linguagem. Os programas de intervenção em Consciência Fonológica são exequíveis e devem ser implementados precocemente, tal como é sugerido por Capovilla e Capovilla (2000) e Nunes (2009), influenciando positivamente na futura aquisição da leitura e da escrita. Da mesma forma Sim-Sim, Duarte, Barbeito e Pereira (2010) enaltecem a importância da aquisição desta competência dando especial enfoque às “Metas de Aprendizagem”, na promoção da continuidade entre ciclos de ensino. Neste estudo participaram 62 crianças de cinco e seis anos de idade, a frequentar sete estabelecimentos de ensino pré-escolar, divididas em três condições experimentais: a) Grupo Experimental 1 (crianças sem problemas de linguagem); b) Grupo Experimental 2 (crianças com problemas de linguagem e da fala); c) Grupo de Controlo, sem intervenção em Consciência Fonológica. Os dois grupos experimentais foram sujeitos a uma intervenção em Consciência Fonológica. Os instrumentos utilizados foram a Prova de Segmentação Linguística (Jiménez e Ortiz, 1995) e o Programa de Treino da Consciência Fonológica (Silva, 2002). Globalmente, os resultados obtidos revelaram uma significativa superioridade das crianças dos dois grupos experimentais em algumas das sub-competências medidas, quando comparadas com o grupo de controlo. Comprovou-se ainda que o efeito da intervenção era específico dado que todos os grupos continuaram equivalentes numa variável não trabalhada (nível aritmético). Conclui-se assim que é possível estimular alguns aspetos relevantes do desenvolvimento da Consciência Fonológica em crianças de idade pré-escolar, com e sem problemas de linguagem, antes da iniciação formal à leitura e à escrita.

Implicações da consciência morfológica no desenvolvimento da escrita

Este estudo tem dois objetivos: 1 Verificar se as crianças treinadas a usar princípios morfológicos necessários para escrever palavras derivadas com alteração de pronuncia do radical, obterão melhores resultados do que as crianças a quem esse ensino não é disponibilizado. 2 Examinar se a melhoria na correção da escrita anda a par com o aumento da capacidade de aceder, reconhecer e interpretar morfemas. Estudos anteriores (Rosa 2003; Rosa e Nunes 2007) mostram que as crianças, antes do terceiro ano de escolaridade, têm dificuldade em aceder a informação morfológica, mesmo que esta seja fornecida implicitamente através de “priming”. Esta informação é indispensável para escrever o morfema-base de muitas palavras derivadas em que ocorrem alterações de pronúncia. Estudos de intervenção vêm mostrando que a explicitação de regularidades morfológicas contribui significativamente para a melhoria na escrita (Nunes e Bryant, 2006; Arranhado, 2010; Pires, 2010). Nessa mesma linha de resultados, pretende-se aqui verificar o contributo de uma intervenção específica quer na melhoria da escrita de palavras derivadas que exigem considerações morfológicas quer na melhoria da capacidade para fazer análise morfémica de estímulos linguísticos. Participaram neste estudo 53 crianças de ambos os sexos, do segundo ano do Ensino Básico,aleatoriamente divididas em dois grupos, experimental e de controlo. O grupo experimental foi submetido a um trabalho de explicitação da relação morfológica entre palavras base e derivadas e realizaram análise morfémica de estímulos linguísticos. O grupo de controlo não teve qualquer intervenção. Os resultados revelaram uma significativa superioridade do grupo experimental, em relação ao grupo de controlo, na correção da escrita de palavras derivadas e no acesso à formação morfémica dos estímulos linguísticos. 4 Verificou-se igualmente uma relação significativa entre correção na escrita e capacidade para aceder à constituição morfémica de estímulos linguísticos. Este estudo demonstra que é possível, através de um trabalho de intervenção específico, desenvolver a consciência morfológica em crianças do 2º ano de escolaridade e resultarem daí consequências positivas para a aprendizagem da escrita.

Avaliação de um programa para a estimulação da consciência fonológica em contexto escolar

Neste trabalho apresentamos um estudo sobre o desenvolvimento da consciência fonológica em contexto escolar, pois sabe-se que a consciência fonológica pode ser estimulada com ensino explícito e que, ao fazê-lo, se facilita a posterior aquisição da leitura e da escrita por parte da criança (Blachman et al., 2006; Adams et al., 2007), o que, em última análise, consiste no objetivo da estimulação da consciência fonológica. Vários autores referem que existe uma forte relação entre o nível de consciência fonológica e a iniciação à leitura e à escrita (Bradley e Bryant, 1995, Gillon, 2004) e de que algumas dificuldades na aprendizagem da leitura e da escrita estão associadas ao fraco desempenho em tarefas de consciência fonológica (Freitas et al., 2007). Assim, em contexto escolar, assume-se que a estimulação precoce e generalizada a todas as crianças, da consciência fonológica, funcionará como medida de prevenção do insucesso na aprendizagem da leitura e da escrita (Freitas et al., 2007). Para o estudo aqui proposto é desenvolvido um programa devidamente ajustado às propriedades linguísticas do português europeu e aos requisitos da aprendizagem da leitura e da escrita no referido sistema alvo. Assim, o nosso estudo tem como objetivo central a avaliação da eficácia desse programa de desenvolvimento da consciência fonológica. Para isso, são selecionados quatro grupos de crianças em idade pré-escolar e escolar, constituindo assim dois grupos de controlo e dois grupos experimentais. Numa primeira fase, antes de qualquer instrução formal, é avaliado o desempenho da consciência fonológica das crianças testadas. Posteriormente, é aplicado o programa por nós elaborado para depois se reavaliarem as crianças, a fim de se aferirem os efeitos dessa intervenção. Os indicadores numéricos mostram que, em todos os grupos, o desempenho da consciência fonológica melhora da primeira para a segunda avaliação. São então comparados os resultados da avaliação entre os grupos estimulados e não estimulados e concluímos que o desempenho da consciência fonológica melhora significativamente nos grupos estimulados com o referido programa, descartando assim a possibilidade de considerar esse aumento apenas como resultado de um possível efeito de escolaridade (Alves et al., 2010). Com isto é demonstrada a eficácia do programa desenvolvido no âmbito deste estudo, podendo este tornar-se uma mais-valia no trabalho de preparação para a iniciação da leitura e da escrita.

Richard Zimler e a auto-identificação: o papel do tradutor na construção da consciência do ser

A definição do ser baseia-se na memória da herança das gerações passadas. Quando se fala de herança cultural de um grupo étnico específico, a tradução do ser pode identificar-se com a continuação de tradições passadas, tendo em vista um futuro melhor. A psicologia da memória coletiva no processo de auto identificação está relacionada com a preservação de características etnológicas, sociológicas e antropológicas que apontam para as tradições do grupo. Baseada na análise da tradução de “O Último Cabalista de Lisboa”, cujo original foi escrito por Richard Zimler que é proposta para esta abordagem, tentar-se-á sublinhar a importância dos estudos da tradução para clarificar a necessidade de auto identificação baseada na memória e na expressão. A metáfora da tradução enquanto porta e do tradutor como uma ponte são conceitos chave no processo de tradução. Ambos podem ser a prova do papel fundamental do tradutor. A (in)visibilidade do tradutor, enquanto autor de uma obra de arte, será focada como uma característica ilustrativa que pode ser (ou não) reveladora da auto identificação, tanto do autor, como do tradutor enquanto autor. Será que o tradutor é a definição da auto identificação do autor? Será que a identificação da obra de arte é pertinente no contexto histórico-literário, na era contemporânea? Será que Richard Zimler é um bom exemplo da identificação de um grupo minoritário? Será que “The Last Cabbalist of Lisbon” é um retrato de tradições étnicas convertido em prosa? Será que a reação do público leitor e dos críticos é responsável pela imagem auto definida/auto definidora da identificação do autor e da obra de arte? Estes e outros aspetos relacionados serão abordados através de uma análise comparativa da tradução com o original, para ilustrar o princípio da necessidade da auto identificação baseada na identificação do grupo.

Optical Transducers Based on Amorphous Si/SiC Photodiodes

Amorphous Si/SiC photodiodes working as photo-sensing or wavelength sensitive devices have been widely studied. In this paper single and stacked a-SiC:H p-i-n devices, in different geometries and configurations, are reviewed. Several readout techniques, depending on the desired applications (image sensor, color sensor, wavelength division multiplexer/demultiplexer device) are proposed. Physical models are presented and supported by electrical and numerical simulations of the output characteristics of the sensors.

Photodiode with nanocrystalline Si/amorphous Si absorber bilayer

This letter reports a near-ultraviolet/visible/near-infrared n(+)-n-i-delta(i)-p photodiode with an absorber comprising a nanocrystalline silicon n layer and a hydrogenated amorphous silicon i layer. Device modeling reveals that the dominant source of reverse dark current is deep defect states in the n layer, and its magnitude is controlled by the i layer thickness. The photodiode with the 900/400 nm thick n-i layers exhibits a reverse dark current density of 3nA/cm(2) at -1V. Donor concentration and diffusion length of holes in the n layer are estimated from the capacitance-voltage characteristics and from the bias dependence of long-wavelength response, respectively. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3660725]

As histórias que as pessoas dançam sobre si próprias : as linguagens de Jérôme Bel, Montalvo/Hervieu, Shobana Jeyasingh e Akram Khan

O artigo teve como base uma comunicação da autora nos Encontros do CEAA/2, sob o título "Artes performativas : novos discursos", em outubro de 2009.