1000 resultados para Planes (baronia)-Drets senyorials-Sentencies-S. XIX


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O presente trabalho tem como principal objetivo analisar o imaginário social sobre a loucura a partir das produções literárias de autores brasileiros do final do século XIX e início do século XX. O período escolhido para realização desta pesquisa deve-se ao fato de ter sido cenário do advento do alienismo no Brasil, com a criação do primeiro hospício brasileiro e da primeira lei de assistência aos alienados, o que revela um processo de transição da visão mística e religiosa em relação à loucura para uma visão científica. É neste contexto que se destacam as obras de Machado de Assis, Olavo Bilac e Lima Barreto que foram selecionadas para análise desta pesquisa e que têm em comum o tema da loucura e questões afins. Sob o aspecto metodológico a pesquisa teve como base fundamental o referencial teórico da sociologia compreensiva, proposta por Michel Maffesoli, particularmente na noção de imaginário social, a partir de uma crítica ao modelo dominante da produção de conhecimento. Foram elaboradas seis grandes noções, concebidas a partir das obras literárias, são elas: ciência, alienação, institucionalização, periculosidade, produção de identidade e medicalização. Além das discussões, vários fragmentos exemplificam e possibilitam uma melhor discussão de cada uma destas noções. Concluiu-se, em consonância com Antonio Candido, ser evidente a importância da literatura, assim como de outras formas de arte e cultura, para compreender o imaginário social de uma época sobre os temas em questão, da mesma forma em que a própria literatura contribui para produzi-los

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Abarca los trabajos que se presentan durante los 3 días que dura el evento infantil.

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ProBiota genera este modesto documento con el propósito de compartirlo con el “Universo ictiológico” y con aquellos que investigan y describen la historia de la ciencia regional. Estas imágenes del pasado y presente de la ictiología nacional conforman un testimonio dirigido al futuro. Aunque, como dijo James Joyce: - No hay pasado ni futuro, todo fluye en un eterno presente -

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Mathematical formulas for estimating the hourly and daily radiation incident on planes of azimuth three step tracking and hour angle three step tracking have been derived in this paper. Based on the hourly solar radiation data of an average day in each month at Er-Lian-Hao-Te city, the hourly and monthly radiation received by planes of these two kinds of tracking have been calculated. The results show that in this district, one axis azimuth three step tracking and hour angle three step tracking could, respectively, obtain 66.5% and 63.3% higher radiation than that on the horizontal surface all year. Moreover, a two axis azimuth three step tracking plane could receive 72% more radiation than the horizontal surface. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

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A determination of {1 1 1}A and {1 1 1}B in cubic GaN(c-GaN) was investigated by X-ray diffraction technique in detail. The c-GaN films are grown on GaAs(0 0 1) substrates by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD). The difference of integrated intensities measured by omega scan for the different order diffractions from {1 1 1}A and {1 1 1}B planes in the four-circle diffractometer gives convincing evidence as to which is the {1 1 1}A and which is the {1 1 1}B planes. The lesser deviation between the ratios of /F-h k l/(2)//F-(h) over bar (k) over bar (l) over bar/(2) and the calculated values after dispersion correction for atomic scattering factor shows that the content of parasitic hexagonal GaN(h-GaN) grown on c-GaN{1 1 1}A planes is higher than that on {1 1 1}B planes. The reciprocal space mappings provide additional proof that the h-GaN inclusions in c-GaN films appear as lamellar structure. (C) 2001 Published by Elsevier Science B.V.

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Wydział Neofilologii: Instytut Filologii Germańskiej

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Wydział Neofilologii: Instytut Filologii Rosyjskiej. Zakład Ukrainistyki

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A finales del siglo XVIII, en Europa el conocimiento científico se había desarrollado extraordinariamente. Surgen los nombres de Lavoisier, Ritcher, Coulomb y Celsius entre otros muchos. Se enuncian leyes en química y física; junto a ellas también florece la matemática de la mano de Euler, Lagrange, D«Alambert, Monge, por citar sólo unos cuantos. Mientras tanto, el atraso de las matemáticas españolas se debía, entre otras causas, al pobre estado en que se encontraban las universidades: aún de tipo medieval y de carácter eclesiástico. Esto lo evidencia Fray Benito Jerónimo Feijoo en la carta titulada Causas del atraso que se padece en España en orden a las ciencias naturales, y el Marqués de la Ensenada quien, en 1748, se lo expresa al rey Fernando VI. Las deficiencias de las universidades tenían que ver con la enseñanza memorística, textos anticuados e interés primordial por disciplinas como derecho, teología y filosofía en detrimento de las matemáticas y las ciencias.

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AUTONOMÍA ESCOLAR Y PLANIFICACIÓN EN MATEMÁTICAS La autonomía escolar se estableció en Colombia en 1994, con la intención de que las instituciones educativas adaptaran el currículo a su contexto. Como consecuencia, instituciones y profesores se hicieron responsables del diseño curricular en todas las áreas, con la guía de lineamientos curriculares publicados por el gobierno. Estos diseños curriculares que se plasman en el plan de área. En este trabajo caracterizamos los planes de área de matemáticas en una muestra de conveniencia de 18 colegios de educación básica secundaria y educación media de Bogotá y sus cercanías y exploramos en qué medida se llevan a la práctica los lineamientos gubernamentales en esos documentos. Codificamos los planes de área teniendo en cuenta las cuatro componentes del currículo: el contenido, los objetivos, la metodología y la evaluación. Para cada una de estas componentes, establecimos:1. el nivel de generalidad con el que se trata, 2. los términos que las instituciones utilizan para referirse a ella y 3. la coherencia y la estructura con la que las instituciones la describen. Los resultados ponen de manifiesto la variedad de aproximaciones de las instituciones de la muestra a la planificación del área de matemáticas. Esta variedad se constata en el número de niveles de generalidad que aparecen en los documentos, en la diversidad de términos que se utilizan para referirse a cada uno de los componentes curriculares y en el nivel de detalle con que se describen. Los resultados sugieren que, en las instituciones de la muestra en las que las ideas de estándar y competencia aparecen en el plan de área, estas ideas no juegan un papel organizador del diseño curricular. Así mismo, los resultados muestran que no existe un significado compartido para los términos “estándar”, “objetivo”, “logro” o “desempeño” entre los documentos de la muestra. Adicionalmente, hemos observado que no se constata coherencia entre esta expectativa de aprendizaje y el contenido propuesto dentro de la planificación. Estos resultados nos llevan a conjeturar que, en las instituciones a las que pertenecen los documentos de la muestra, no existe una aproximación sistemática, estructurada y fundamentada a la planificación curricular.

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Algunos problemas nos atraen independientemente de la dificultad de su resolución. El que vamos a presentar lleva como título ¿CÓMO SE LLAMA EL PROFE? Y lo hemos encontrado en el libro de Agustín Fonseca: “El rompecocos” (Ed. Temas de Hoy).

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Silicon-on-insulator (SOI) substrates incorporating tungsten silicide ground planes (GPs) have been shown to offer the lowest reported crosstalk figure of merit for application in mixed signal integrated circuits. The inclusion of the silicide layer in the structure may lead to stress or defects in the overlying SOI layers and resultant degradation of device performance. It is therefore essential to establish the quality of the silicon on the GPSOI substrate. MOS capacitor structures have been employed in this paper to characterize these GPSOI substrates for the first time. High quality MOS capacitor characteristics have been achieved with minority carrier lifetime of similar to 0.8 ms. These results show that the substrate is suitable for device manufacture with no degradation in the silicon due to stress or metallic contamination resulting from the inclusion of the underlying silicide layer.