The role of the catalytic particle in the growth of carbon nanotubes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Vertically aligned carbon nanotubes were synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition using nickel as a metal catalyst. High resolution transmission electron microscopy analysis of the particle found at the tip of the tubes reveals the presence of a metastable carbide Ni3C. Since the carbide is found to decompose upon annealing at 600 degreesC, we suggest that Ni3C is formed after the growth is stopped due to the rapid cooling of the Ni-C interstitial solid solution. A detailed description of the tip growth mechanism is given, that accounts for the composite structure of the tube walls. The shape and size of the catalytic particle determine the concentration gradient that drives the diffusion of C atoms across and though the metal. (C) 2004 American Institute of Physics.

A comparative study of plasma-enhanced chemical vapor gate dielectrics for solution-processed polymer thin-film transistor circuit integration

This paper considers plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) as gate dielectrics for organic thin-film transistors (OTFTs), with solution-processed poly[5, 5′ -bis(3-dodecyl-2-thienyl)-2, 2′ -bithiophene] (PQT-12) as the active semiconductor layer. We examine transistors with SiNx films of varying composition deposited at 300 °C as well as 150 °C for plastic compatibility. The transistors show over 100% (two times) improvement in field-effect mobility as the silicon content in SiNx increases, with mobility (μFE) up to 0.14 cm2 /V s and on/off current ratio (ION / IOFF) of 108. With PECVD SiOx gate dielectric, preliminary devices exhibit a μFE of 0.4 cm2 /V s and ION / IOFF of 108. PQT-12 OTFTs with PECVD SiNx and SiOx gate dielectrics on flexible plastic substrates are also presented. These results demonstrate the viability of using PECVD SiN x and SiOx as gate dielectrics for OTFT circuit integration, where the low temperature and large area deposition capabilities of PECVD films are highly amenable to integration of OTFT circuits targeted for flexible and lightweight applications. © 2008 American Institute of Physics.

Scanning transmission electron microscopy investigation of the Si(111)/AlN interface grown by metalorganic vapor phase epitaxy

The structure and chemistry of the interface between a Si(111) substrate and an AlN(0001) thin film grown by metalorganic vapor phase epitaxy have been investigated at a subnanometer scale using high-angle annular dark field imaging and electron energy-loss spectroscopy. 〈1120̄〉AlN ∥ 〈110〉Si and 〈0001〉AlN ∥ 〈111〉 Si epitaxial relations were observed and an Al-face polarity of the AlN thin film was determined. Despite the use of Al deposition on the Si surface prior to the growth, an amorphous interlayer of composition SiNx was identified at the interface. Mechanisms leading to its formation are discussed. © 2010 American Institute of Physics.

Linear Stability Analysis of Convection in Two-Layer System with an Evaporating Vapor-Liquid Interface

Classical theories have successfully provided an explanation for convection in a liquid layer heated from below without evaporation. However, these theories are inadequate to account for the convective instabilities in an evaporating liquid layer, especially in the case when it is cooled from below. In the present paper, we study the onset of Marangoni convection in a liquid layer being overlain by a vapor layer.A new two-sided model is put forward instead of the one-sided model in previous studies. Marangoni-Bénard instabilities in evaporating liquid thin layers are investigated with a linear instability analysis. We define a new evaporation Biot number, which is different from that in previous studies and discuss the influences of reference evaporating velocity and evaporation Biot number on the vapor-liquid system. At the end, we explain why the instability occurs even when an evaporating liquid layer is cooled from below.

Thickness And Component Distributions Of Yttrium-Titanium Alloy Films In Electron-Beam Physical Vapor Deposition

Thickness and component distributions of large-area thin films are an issue of international concern in the field of material processing. The present work employs experiments and direct simulation Monte Carlo (DSMC) method to investigate three-dimensional low-density, non-equilibrium jets of yttrium and titanium vapor atoms in an electron-beams physical vapor deposition (EBPVD) system furnished with two or three electron-beams, and obtains their deposition thickness and component distributions onto 4-inch and 6-inch mono-crystal silicon wafers. The DSMC results are found in excellent agreement with our measurements, such as evaporation rates of yttrium and titanium measured in-situ by quartz crystal resonators, deposited film thickness distribution measured by Rutherford backscattering spectrometer (RBS) and surface profilometer and deposited film molar ratio distribution measured by RBS and inductively coupled plasma atomic emission spectrometer (ICP-AES). This can be taken as an indication that a combination of DSMC method with elaborate measurements may be satisfactory for predicting and designing accurately the transport process of EBPVD at the atomic level.

Edital nº 1, de 17 de março de 1992 : [concurso público para Contador, Assistente Administrativo, Agente de Segurança Legislativa, Operador de Máquinas e Operador de Audiovisual]

Torna pública a abertura de inscrição para o concurso público destinado ao preenchimento de cargos de Contador, Assistente Administrativo, Agente de Segurança Legislativo, Operador de Máquinas e Operador de Audiovisual da Câmara dos Deputados.

Edital nº 3/92 : concurso público para Agente de Segurança Legislativa e Operador de Máquinas

Torna pública a data e os locais de realização das provas de Língua Portuguesa e Legislação para o cargo de Agente de Segurança Legislativa, e a data e local de realização das provas de Conhecimentos Específicos, Língua Portuguesa e Legislação para o cargo de Operador de Máquinas.

Edital nº 03/86 : concurso público para Operador de Máquinas

Torna pública a abertura de inscrição para concurso público destinado ao preenchimento de vagas de Operador de Máquinas, do Grupo-Atividades de Apoio Legislativo da Câmara dos Deputados.

Edital nº 9, de 3 de setembro de 1992 : concurso público para Operador de Máquinas

Convoca os candidatos habilitados na provas de Conhecimentos Específicos, Língua Portuguesa e Legislação (Edital nº 6/92) para a prova prática.

Edital nº 12, de 14 de setembro de 1992 : concurso público para Operador de Máquinas

Em conformidade com o Edital nº 1/1992, torna público que o tempo de duração da prova prática para a categoria funcional de Operador de máquinas é de 50 minutos.

Edital nº 15, de 24 de setembro de 1992 : concurso público para Operador de Máquinas

Comunica aos candidatos ao cargo de Operador de Máquinas a data e o horário que procederá a identificação pública dos envelopes da prova Prática.

Edital nº 6, de 19 de agosto de 1992 : concurso público para Operador de Máquinas

Em conformidade com o Edital nº 1/1992, torna pública a lista dos candidatos convocados para a 2ª prova referente ao cargo de Operador de Máquinas.

Carne e bits : reflexões sobre a indiscernibilidade das fronteiras entre mentes e máquinas e os sistemas cognitivos híbridos

Faz reflexões sobre as várias formas de relação entre sujeitos e objetos-técnicos, com ênfase para a utilização dos computadores digitais e, particularmente, os softwares chamados agentes inteligentes. Analisa o espaço e suas mudanças qualitativas na atualidade, a partir do conceito do espaço como produção humana, analisando como as transformações em curso no ambiente afetam nossas subjetividades e, reciprocamente, como afetamos nossos ambientes. Discutidas as possibilidades de sobrevivência do homem nu nesses novos espaços, sem que esteja devidamente atualizado com as últimas novidades tecnológicas - próteses sensoriais e motoras. Perpassa a discussão sobre o pensamento que se utiliza do espaço como elemento constituinte do próprio pensamento e reflete sobre o espaço abstrato por excelência, os mundos virtuais. Discute o padrão de apropriação de artefatos pelo homem e seus efeitos na subjetividade, a manutenção do padrão de apropriação dos objetos-técnicos materiais em relação às formas de apropriação dos objetos-técnicos intangíveis (softwares). Traz reflexões sobre a possibilidade de autonomização completa dos agentes inteligentes e a sua instituição, ipso facto, como agentes - a chamada Inteligência Artificial.