Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD

A flat, fully strain-relaxed Si0.72Ge0.28 thin film was grown on Si (1 0 0) substrate with a combination of thin low-temperature (LT) Ge and LT-Si0.72Ge0.28 buffer layers by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The strain relaxation ratio in the Si0.72Ge0.28 film was enhanced up to 99% with the assistance of three-dimensional Ge islands and point defects introduced in the layers, which furthermore facilitated an ultra-low threading dislocation density of 5 x 10(4) cm (2) for the top SiGe film. More interestingly, no cross-hatch pattern was observed on the SiGe surface and the surface root-mean-square roughness was less than 2 nm. The temperature for the growth of LT-Ge layer was optimized to be 300 degrees C. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控

于G批量导入至Hzhangdi

电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、CO2、NH3 28种杂质分析技术及质量监控

于G批量导入至Hzhangdi

In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

高电荷态离子~(129)Xe~(28+)与Au和Mo表面作用产生的X射线谱

研究了高电荷态离子129Xe28+轰击金属Au和Mo表面产生的特征X射线谱。实验结果表明,在入射离子的电荷态和能量相同的条件下,对于核电荷数较小、原子质量较轻的靶原子,只有其内壳层的电子才能被激发而产生X射线,而核电荷数较大、原子质量较重的靶原子只有其较外壳层的电子能被激发而产生X射线。特征X射线的产额随入射离子动能的增加而增加。

~(27,28)P+~(28)Si总反应截面增强及可能相关的机制

测量了27,28P和相应同中子异位素在28Si靶上的中能反应截面.测得N=12和13同中子异位素的反应截面在Z=15处突然增大.对Z≤14同中子异位素和28P的实验数据结果可以用改进的光学极限近似的Glauber理论很好地描述.28P的反应截面能够用扩大核芯以改进的Glauber理论来解释.但是,用改进光学极限和少体近似的Glauber理论却低估了27P的实验数据.理论分析表明,扩大的核芯加质子晕可能是响应27P+28Si反应截面增强的机制.

丰中子核~6He在~(28)Si靶上的反应总截面测量

实验测量了20—40MeV u的轻丰中子核6He在Si靶上的反应总截面,并且结合6He的高能实验数据,采用双参数HO密度分布形式用Glauber模型计算得到较好的拟合.与Warner的实验数据比较,反应总截面数据系统性好,并与能量有明显的依赖关系.

28.7MeV/u的~(14,16,18)O+~(7,9)Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann Langevin方程研究了在入射能量为2 8 7MeV/u下 ,不同弹核 14O ,16 O和 18O轰击不同靶核 7Be和 9Be的反应 ,计算了生成碎片的产生截面 ,发现用丰中子 (缺中子 )炮弹或丰中子 (缺中子 )靶进行反应 ,所得到的产物均有丰中子 (缺中子 )的碎片出现 .同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关 ,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数 ,则同位素分布的宽度越大 ,峰位偏离β稳定线值越远 ,其同位旋效应越明显 .

质子滴线核~(12)N在~(28)Si靶上的核反应总截面测量

描述了 5 0 .4MeV/u的12 N和 42 .3MeV/u的13 N次级放射性束在2 8Si靶上引起的核反应总截面σr 实验研究 ,结果发现12 N的反应总截面σr 比其相邻同位素核13 N有着异常的增大 .这可能是核形变及核子对效应造成的 ,试验中的测量误差也不可忽视 .利用微观Glauber模型计算了12 N在2 8Si靶上的核反应总截面 ,并与实验结果做了比较 ,发现理论计算与实验结果拟合较好

~(28)Si+~(12)C中的两体反应与全熔合反应

利用ΔE E望远镜系统测量了 1 56 3MeV2 8Si+ 12 C反应 (近对称系统 )中出射的Z =4— 1 4的产物元素的能谱和角分布 ,并由此给出了这些产物的胁变截面图 .从理论上计算了Z =4— 1 1产物的实验室系最可几动能分布E1(θ)和各元素的质心系的总动能分布Et(Z) ,指出了这些产物主要来自系统的两体反应过程 .还给出了该反应系统的全熔合截面值为 (980± 68)mb ,并指出从低能数据外推到此能量下的全熔合截面值与实验值之差主要归因于两体过程 .