Unesp Informa, 2010, ano 1, número 8

Boletim elaborado pela Assessoria de Comunicação e Imprensa da Reitoria da UNESP

Unesp Informa, 2010, ano 1, número 9

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Unesp Informa, 2010, ano 1, número 10

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Unesp Informa, 2010, ano 1, número 11

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Unesp Informa, 2010, ano 1, número 12

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Construção de Conhecimento Profissional dos Professores 1º CEB: análise de trajectórias de formação e iniciação profissional

As trajectórias formativas e as trajectórias de iniciação profissional dos professores constituem eixos analíticos particularmente ricos para a compreensão do processo de construção do conhecimento profissional.

O desenvolvimento profissional docente: a função supervisiva do coordenador de ano do 1º ciclo

Dissertação apresentada à Escola Superior de Educação de Lisboa para obtenção de grau de mestre em Ciências da Educação, especialidade de Supervisão em Educação

Os programas de matemática do ensino básico de 1990 e de 2007 e o processo de implementação do programa de 2007, no 1º ciclo do Ensino Básico

Mestrado em Educação Matemática na Educação Pré – Escolar e nos 1.º e 2.º Ciclos do Ensino Básico

Didáticas do estudo do meio: abordagens transversais no Jardim-de-infância e 1º ciclo do Ensino Básico

Mestrado, Educação Pré-Escolar e Ensino do 1º Ciclo do Ensino Básico, 23 de Abril de 2014, Universidade dos Açores (Relatório de Estágio).

Optoelectronic properties of a-Si(1-x)C(x)H films grown in hydrogen diluted silane-methane plasma

This work reports on the optoelectronic properties and device application of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si(1-x)C(x):H) films grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). The films with an optical bandgap ranging from about 1.8 to 2.0 eV were deposited in hydrogen diluted silane-methane plasma by varying the radio frequency power. Several n-i-p structures with an intrinsic a-Si(1-x)C(x):H layer of different optical gaps were also fabricated. The optimized devices exhibited a diode ideality factor of 1.4-1.8, and a leakage current of 190-470 pA/cm(2) at -5 V. The density of deep defect states in a-Si(1-x)C(x):H was estimated from the transient dark current measurements and correlated with the optical bandgap and carbon content. Urbach energies for the valence band tail were also determined by analyzing the spectral response within sub-bandgap energy range. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim