Consumo de substâncias psicoativas por adolescentes escolares de Ribeirão Preto, SP (Brasil). I - Prevalência do consumo por sexo, idade e tipo de substância

INTRODUÇÃO: A preocupação suscitada quanto ao consumo de substâncias psicoativas pelos adolescentes tem mobilizado grandes esforços em todo o mundo na produção de conhecimento sobre este fenômeno. Decidiu-se estudar as taxas de prevalência de consumo de substâncias psicoativas de uso lícito e ilícito, sua distribuição por idade, sexo e a idade da primeira experiência com essas substâncias, entre adolescentes escolares do Município de Ribeirão Preto, SP, Brasil. MATERIAL DE MÉTODO: Um questionário devidamente adaptado e submetido a um teste de confiabilidade foi auto-aplicado a uma amostra proporcional de 1.025 adolescentes matriculados na oitava série do primeiro grau e primeiro, segundo e terceiro anos do segundo grau, das escolas públicas e privadas do município estudado. O questionário continha questões sobre o uso de dez classes de substâncias psicoativas, questões demográficas e informações de validação, além de questões de percepção e comportamento intrínseco ao consumo de drogas. RESULTADOS: Da amostra 88,9% consumiram bebidas alcoólicas alguma vez na vida; 37,7% utilizaram o tabaco; 31,1% os solventes; 10,5% os medicamentos; 6,8% a maconha; 2,7% a cocaína; 1,6% os alucinógenos e 0,3% consumiu alguma substância a base de opiácios. As taxas de consumo cresceram com a idade, para todas as substâncias; no entanto, o uso de tabaco e de substâncias ilícitas mostrou uma desaceleração nos anos que compreendem o final da adolescência. Verificou-se que os meninos consumiram mais do que as meninas, exceto para os medicamentos, com as meninas consumindo barbitúricos, anfetaminas e tranqüilizantes em proporções semelhantes ou maiores que os meninos. A idade da primeira experiência mostrou que o acesso às substâncias psicoativas ocorreu em idades bastante precoces. CONCLUSÕES: As substâncias psicoativas, sejam lícitas ou ilícitas, são freqüentemente experimentadas na adolescência, tanto pelos meninos como pelas meninas, muitas vezes em idades bem precoces.

I - Análise dos dados de mortalidade

As mortes por causas externas correspondem a grande parcela de óbitos em, praticamente, todos os países do mundo, ocupando, sempre, a segunda ou terceira colocação. Porém a sua distribuição quanto ao tipo de causa é diversa. Com o objetivo de estudar a mortalidade por causas externas, segundo o tipo de causa, sexo e idade, foi descrita a situação dessas mortes no Brasil e capitais, no período 1977 a 1994. Foram calculados os coeficientes de mortalidade por causas externas e a mortalidade proporcional, utilizando os dados de mortalidade fornecidos pelo Sistema de Informação de Mortalidade do Ministério da Saúde, e a população foi estimada baseada nos dados censitários de 1970, 1980 e 1991. Os resultados mostraram que, em números absolutos, os óbitos por causas externas quase dobraram no período de 1977 a 1994, passando a ser a segunda causa de morte no País. O coeficiente de mortalidade, em 1994, foi de 69,8/100.000 habitantes e o maior crescimento se deu nos óbitos do sexo masculino. Os coeficientes de mortalidade masculinos são, aproximadamente, 4,5 vezes o valor dos femininos. As causas externas representaram a primeira causa de morte dos 5 aos 39 anos, sendo a maior ocorrência na faixa etária dos 15 a 19 anos (65% dos óbitos por causas externas). Além do aumento, parece estar ocorrendo um deslocamento das mortes para faixas etárias mais jovens. A mortalidade por causas externas, segundo tipo, mostra que durante o período analisado houve aumento tanto nos óbitos por acidentes de trânsito, quanto por homicídios, tendo os suicídios permanecido, praticamente, constantes. No grupo de acidentes classificados como "demais acidentes" houve leve aumento, devido, principalmente, às quedas e afogamentos. Nas capitais dos Estados a mortalidade por causas externas apresentam valores mais altos que a média brasileira, com exceção de algumas áreas do Nordeste. As capitais da região Norte apresentaram algumas das maiores taxas para o País. Já na região Nordeste apenas Recife, Maceió e Salvador apresentaram níveis muito elevados em relação ao País. Vitória, Rio de Janeiro e São Paulo, na região Sudeste, apresentaram os maiores coeficientes do País e Belo Horizonte apresentou declínio no período de estudo. Na região Sul houve aumento nas taxas, bem como na região Centro-Oeste, que teve aumento homogêneo em suas capitais. Esse aumento observado nas diferentes capitais apresentou diferenciais quanto ao tipo de causa externa. Os suicídios não representaram problema de Saúde Pública em nenhuma delas. Os acidentes de trânsito em Vitória, Goiânia, Macapá, Distrito Federal e Curitiba tiveram sua situação agravada. Os homicídios tiveram aumento expressivo em Porto Velho, Rio Branco, Recife, São Luís, Vitória, São Paulo, Curitiba, Porto Alegre, Cuiabá e Distrito Federal. No período estudado houve o crescimento da importância das causas externas para a população brasileira, chamando atenção, principalmente, o aumento dos homicídios. A qualidade das estatísticas de mortalidade por causas externas depende da colaboração do médico legista, e essa qualidade não é a mesma para todas as capitais estudadas.

Rastreio neonatal da homocistinúria clássica revela uma elevada frequência da deficiência em MAT I/III na Península Ibérica

A homocistinúria devida à deficiência da enzima cistationina -sintetase ou “homocistinúria clássica” é uma doença metabólica rara (1/344 000 RN), de transmissão autossómica recessiva e caracterizada por elevada heterogeneidade clínica, que frequentemente contribui para o diagnóstico tardio. Existe tratamento efetivo, se instituído antes de se instalarem sintomas irreversíveis, pelo que tem sido incluída num número considerável de programas de rastreio neonatal. O rastreio baseia-se na determinação dos níveis plasmáticos de metionina, por espectrometria de massa em tandem (ms/ms), mas conduz à identificação de muitos casos falsos-positivos, portadores de uma condição com significado clínico não completamente esclarecido, a deficiência em metionina adenosiltransferase (MAT I/III). Ambas as condições são rastreadas na Galiza e em Portugal desde 2000 e 2004, respetivamente. Desde então, foram identificados três doentes com homocistinúria clássica e 44 doentes com deficiência em MAT I/III. Uma forma dominante, e aparentemente benigna, desta última condição, associada à mutação p.R264H, parece ser muito frequente na Península Ibérica. A implementação de um teste de segunda linha, consistindo na determinação da homocisteína total, permitiria reduzir consideravelmente o número de RN identificados com deficiência em MAT I/III e melhorar a especificidade e valor positivo preditivo do rastreio da homocistinúria clássica.

Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

We report on structural, electronic, and optical properties of boron-doped, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at a substrate temperature of 150 degrees C. Film properties were studied as a function of trimethylboron-to-silane ratio and film thickness. The absorption loss of 25% at a wavelength of 400 nm was measured for the 20 nm thick films on glass and glass/ZnO:Al substrates. By employing the p(+) nc-Si:H as a window layer, complete p-i-n structures were fabricated and characterized. Low leakage current and enhanced sensitivity in the UV/blue range were achieved by incorporating an a-SiC:H buffer between the p- and i-layers.

A 3-phase model for VIS/NIR mu C-Si : H p-i-n detectors

The spectral response and the photocurrent delivered by entirely microcrystalline p-i-n-Si:H detectors an analysed under different applied bias and light illumination conditions. The spectral response and the internal collection depend not only on the energy range but also on the illumination side. Under [p]- and [n]-side irradiation, the internal collection characteristics have an atypical shape. It is high for applied bias and lower than the open circuit voltage, shows a steep decrease near the open circuit voltage (higher under [n]-side illumination) and levels off for higher voltages. Additionally, the numerical modeling of the VIS/NIR detector, based on the band discontinuities near the grain boundaries and interfaces, complements the study and gives insight into the internal physical process.

A two terminal optical signal and image processing p-i-n/p-i-n image and colour sensor

A two terminal optically addressed image processing device based on two stacked sensing/switching p-i-n a-SiC:H diodes is presented. The charge packets are injected optically into the p-i-n sensing photodiode and confined at the illuminated regions changing locally the electrical field profile across the p-i-n switching diode. A red scanner is used for charge readout. The various design parameters and addressing architecture trade-offs are discussed. The influence on the transfer functions of an a-SiC:H sensing absorber optimized for red transmittance and blue collection or of a floating anode in between is analysed. Results show that the thin a-SiC:H sensing absorber confines the readout to the switching diode and filters the light allowing full colour detection at two appropriated voltages. When the floating anode is used the spectral response broadens, allowing B&W image recognition with improved light-to-dark sensitivity. A physical model supports the image and colour recognition process.

Bias dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : EVSiC : H heterojunction

A series of large area single layers and heterojunction cells in the assembly glass/ZnO:Al/p (SixC1-x:H)/i (Si:H)/n (SixC1-x:H)/Al (0 ion properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage and capacitance-voltage characteristics. For the heterojunction cells S-shaped J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High serial resistances around 10(5)Ohm are also measured Simulated results confirm the experimental findings suggesting that the transport in dark depends almost exclusively on field-aided drift while under illumination it is dependent mainly on minority carriers the diffusion.

Bias-dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : H/SiC : H heterojunction

A series of large area single layers and glass/ZnO:AVp(SixC1-x:H)/i(Si:H)/n(SixC1-x:H)/AI (0 < x < 1) heterojunction cells were produced by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) at low temperature. Junction properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage (J-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. For the heterojunction cells atypical J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High series resistances around 106 Q are also measured. These experimental results were used as a basis for the numerical simulation of the energy band diagram, and the electrical field distribution of the structures. Further comparison with the sensor performance gave satisfactory agreement. Results show that the conduction band offset is the most limiting parameter for the optimal collection of the photogenerated carriers. As the optical gap increases and the conductivity of the doped layers decreases, the transport mechanism changes from a drift to a diffusion-limited process.

Colour filtering in a-SiC : H based p-i-n-p-i-n cells: A trade-off between bias polarity and absorption regions

A large area colour imager optically addressed is presented. The colour imager consists of a thin wide band gap p-i-n a-SiC:H filtering element deposited on the top of a thick large area a-SiC:H(-p)/a-Si:H(-i)/a-SiC:H(-n) image sensor, which reveals itself an intrinsic colour filter. In order to tune the external applied voltage for full colour discrimination the photocurrent generated by a modulated red light is measured under different optical and electrical bias. Results reveal that the integrated device behaves itself as an imager and a filter giving information not only on the position where the optical image is absorbed but also on it wavelength and intensity. The amplitude and sign of the image signals are electrically tuneable. In a wide range of incident fluxes and under reverse bias, the red and blue image signals are opposite in sign and the green signal is suppressed allowing blue and red colour recognition. The green information is obtained under forward bias, where the blue signal goes down to zero and the red and green remain constant. Combining the information obtained at this two applied voltages a RGB colour image picture can be acquired without the need of the usual colour filters or pixel architecture. A numerical simulation supports the colour filter analysis.

Image and color recognition using amorphous silicon p-i-n photodiodes

Large area hydrogenated amorphous silicon single and stacked p-i-n structures with low conductivity doped layers are proposed as monochrome and color image sensors. The layers of the structures are based on amorphous silicon alloys (a-Si(x)C(1-x):H). The current-voltage characteristics and the spectral sensitivity under different bias conditions are analyzed. The output characteristics are evaluated under different read-out voltages and scanner wavelengths. To extract information on image shape, intensity and color, a modulated light beam scans the sensor active area at three appropriate bias voltages and the photoresponse in each scanning position ("sub-pixel") is recorded. The investigation of the sensor output under different scanner wavelengths and varying electrical bias reveals that the response can be tuned, thus enabling color separation. The operation of the sensor is exemplified and supported by a numerical simulation.

New p-i-n Si : H imager configuration for spatial resolution improvement

Amorphous glass/ZnO-Al/p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si1-xCx:H)/Al imagers with different n-layer resistivities were produced by plasma enhanced chemical vapour deposition technique (PE-CVD). An image is projected onto the sensing element and leads to spatially confined depletion regions that can be readout by scanning the photodiode with a low-power modulated laser beam. The essence of the scheme is the analog readout, and the absence of semiconductor arrays or electrode potential manipulations to transfer the information coming from the transducer. The influence of the intensity of the optical image projected onto the sensor surface is correlated with the sensor output characteristics (sensitivity, linearity blooming, resolution and signal-to-noise ratio) are analysed for different material compositions (0.5 < x < 1). The results show that the responsivity and the spatial resolution are limited by the conductivity of the doped layers. An enhancement of one order of magnitude in the image intensity signal and on the spatial resolution are achieved at 0.2 mW cm(-2) light flux by decreasing the n-layer conductivity by the same amount. A physical model supported by electrical simulation gives insight into the image-sensing technique used.

Tuning the spectral distribution of p-i-n a-SiC : H devices for colour detection

ZnO:Al/p (SiC:H)/i (Si:H)/n (SiC:H) large area image and colour sensor are analysed. Carrier transport and collection efficiency are investigated from dark and illuminated current-voltage (I-V) dependence and spectral response measurements under different optical and electrical bias conditions. Results show that the carrier collection depends on the optical bias and on the applied voltage. By changing the electrical bias around the open circuit voltage it is possible to filter the absorption at a given wavelength and so to tune the spectral sensitivity of the device. Transport and optical modelling give insight into the internal physical process and explain the bias control of the spectral response and the image and colour sensing properties of the devices.

Ecologia de mosquitos (Diptera: Culicidae) em áreas do Parque Nacional da Serra da Bocaina, Brasil.I - Distribuição por habitat

OBJETIVO: Estabelecer a influência exercida por três diferentes biótopos em áreas do Parque Nacional da Serra da Bocaina (PNSB) sobre a fauna local de mosquitos. MÉTODOS: Foram realizadas capturas mensais em ambiente silvestre e domiciliar, em isca humana, durante três diferentes períodos do dia, pelo período de 24 meses consecutivos, de janeiro de 1991 a dezembro de 1992. RESULTADOS: Foram capturados 11.808 espécimes adultos, pertencentes a 28 espécies. Ru. reversa e An. cruzii foram predominantes, respectivamente 52,5% e 17,9% do total de mosquitos. Ru. reversa representou 59,4% do total de espécimes no ambiente de mata fechada, seguida por Ru. frontosa com 10,5% e An. cruzii com 9,9%. No ambiente formado por campos de altitude e matas de galeria, o An. cruzii predominou com 48,1%, seguido por Ru. reversa com 28,1%. No ambiente modificado pelo homem, o An. cruzii predominou com 73,7% dos espécimes. Coquillettidia chrysonotum foi a única que se apresentou preferencialmente nesse biótopo: 14,9% no intra, 19,4% no peri e 65,7% no extradomicílio. An. cruzii e Ru. reversa foram constantes em todos os ambientes ao longo do ano. CONCLUSÕES: Com exceção de Cq. chrysonotum, com preferência pelo ambiente modificado pelo homem, os mosquitos apresentam hábitos assinantrópicos no PNSB. An. cruzii, embora assinantrópico, se aproxima e adentra o domicílio para realizar a hematofagia. A presença do Ae. serratus no extra e peridomicílio reforça a importância epidemiológica como vetora potencial de arboviroses. Os Sabethini apresentaram-se exclusivamente silvestres.

Parte I: montagem do túnel pré-fabricado (Arco Techspan), localizado na variante do Cávado - Dolce Vita Braga: parte II: reabilitação e reparação das pontes sobre o rio Criz I e Criz II na E.N. 234

O presente relatório visa apresentar o trabalho desenvolvido pelo estagiário, na empresa Freyssinet -Terra Armada, SA. Este encontra-se dividido em 2 partes distintas. A primeira no âmbito da actividade Terra Armada, consistiu no acompanhamento da montagem do túnel pré-fabricado que estabelece a ligação entre a Rua C junto ao Centro Comercial Dolce Vita em Braga e a Variante do Cávado. A segunda no âmbito da actividade Freyssinet, consistiu no acompanhamento da obra de reabilitação e reforço estrutural de duas pontes denominadas de Criz I e Criz II, ambas localizadas na E.N.234 junto a Santa Comba Dão. A intensa ocupação dos terrenos em meio urbano leva cada vez mais ao estudo de novas soluções que permitem melhorar a circulação de pessoas e bens. Para restabelecer a ligação entre a Rua C e a Variante do Cávado a solução encontrada passou pela construção de um Túnel a céu aberto. Esta foi a melhor solução encontrada pois está prevista a intersecção de três vias denominadas de Variante do Cávado, Rua B e Rua D, todas relacionadas com os restabelecimentos de acesso ao empreendimento Dolce Vita Braga. Sobre as pontes de Criz I e Criz II recordamos que as mesmas foram projectadas em 1975 pelo Prof. Edgar Cardoso, tendo sido construídas no período que decorreu entre 1976 e 1979. Apesar de serem pontes recentes, estas apresentavam um avançado estado de deterioração o que levou à elaboração de um projecto específico de reparação e reforço estrutural e consequente intervenção, tendo sido adjudicadas à Freyssinet as intervenções concernentes ao reforço com Pré-Esforço, substituição de aparelhos de apoio e juntas de dilatação. O que mais adiante se detalhará no presente relatório será a explicação e descrição dos trabalhos executados em ambas as obras, onde foram aplicadas a tecnologia Terra Armada no primeiro caso e a tecnologia Freyssinet para o segundo caso.

A falha como motor de criação: ensaio sobre A.I.M. (ensaio longo que enquadra e justifica o objecto performativo A.I.M.)

Este projecto basear-se-á na descrição da exploração do universo da falha como um motor de criação. Para tal, foi tomado como ponto de partida as dificuldades inerentes à dislexia. Será também descrito de forma pormenorizada o tempo passado juntamente com a companhia Les Ballets C . de la B. Incluirá igualmente um diário de bordo com a descrição detalhada do projecto A.I.M.