Dynamique de recombinaison dans les puits quantiques InGaN/GaN

Nous étudions la recombinaison radiative des porteurs de charges photogénérés dans les puits quantiques InGaN/GaN étroits (2 nm). Nous caractérisons le comportement de la photoluminescence face aux différentes conditions expérimentales telles la température, l'énergie et la puissance de l'excitation et la tension électrique appliquée. Ces mesures montrent que l'émission provient d'états localisés. De plus, les champs électriques, présents nativement dans ces matériaux, n'ont pas une influence dominante sur la recombinaison des porteurs. Nous avons montré que le spectre d'émission se modifie significativement et subitement lorsque la puissance de l'excitation passe sous un certain seuil. L'émission possède donc deux ``phases'' dont nous avons déterminé le diagramme. La phase adoptée dépend à la fois de la puissance, de la température et de la tension électrique appliquée. Nous proposons que la phase à basse puissance soit associée à un état électriquement chargé dans le matériau. Ensuite, nous avons caractérisé la dynamique temporelle de notre échantillon. Le taux de répétition de l'excitation a une influence importante sur la dynamique mesurée. Nous concluons qu'elle ne suit pas une exponentielle étirée comme on le pensait précédemment. Elle est exponentielle à court temps et suit une loi de puissance à grand temps. Ces deux régimes sont lié à un seul et même mécanisme de recombinaison. Nous avons développé un modèle de recombinaison à trois niveaux afin d'expliquer le comportement temporel de la luminescence. Ce modèle suppose l'existence de centres de localisation où les porteurs peuvent se piéger, indépendamment ou non. L'électron peut donc se trouver sur un même centre que le trou ou sur n'importe quel autre centre. En supposant le transfert des porteurs entre centres par saut tunnel on détermine, en fonction de la distribution spatiale des centres, la dynamique de recombinaison. Ce modèle indique que la recombinaison dans les puits InGaN/GaN minces est liée à des agglomérats de centre de localisation.

Effet de la symétrie sur la supraconductivité de LaRhSi3 et la frustration magnétique du SrRE2O4 (RE = Dy ou Ho)

Dans la première partie, nous présentons les résultats de l'étude du supraconducteur sans inversion de symétrie LaRhSi3 par spectroscopie muonique. En champ nul, nous n'avons pas détecté de champ interne. Ceci indique que la fonction d'onde de l'état supraconducteur n'est pas dominée par l'état triplet. Les mesures en champ transverse de 35G présentent une transition en accord avec la transition de phase attendue sous le champ critique Hc1. Nous avons répété ces mesures pour un champ entre Hc1 et Hc2, 150G. Le spectre obtenu pour ces mesures conserve l'asymétrie et relaxe rapidement à basse température tel que prédit pour un supraconducteur dans la phase d'Abrikosov. Néanmoins, les relaxations produites par ce balayage en température présentent une transition à près de 2 fois la température critique attendue. Dans la deuxième partie de ce mémoire, nous donnons l'interprétation des résultats de la diffraction neutronique inélastique par l'étude des champs électriques cristallins. Ces mesures ont été effectuées sur des aimants frustrés SrHo2O4 et SrDy2O4 sous la forme de poudre. L'étude des niveaux produits par les champs cristallins par la méthode des opérateurs de Stevens indique une perte du moment cinétique dans les deux matériaux. Pour le SrDy2O4, l'état fondamental serait constitué de quatre états dégénérés quasi accidentellement qui portent un moment magnétique total non-nul. Toute fois, nos mesures de susceptibilité magnétique ne montrent aucun ordre au-dessus de 50mK. Pour le SrHo2O4, le fondamental est formé d'une paire accidentelle. Nous obtenons un moment magnétique de 6.94(8)$\mu_B$ ce qui s'accorde avec les données expérimentales.

Contraction et décontraction des décharges micro-ondes entretenues à la pression atmosphérique

Les colonnes de plasma entretenues par un champ électrique (continu ou alternatif) à haute pression (p > 10 Torr) sont affectées par les phénomènes de contraction (réduction de la section radiale de la décharge) et de filamentation (fragmentation de la section de plasma en plusieurs filaments). La compréhension de ces phénomènes ainsi que le développement d’une méthode pouvant les supprimer demeurent une étape essentielle pour l’optimisation de certains procédés plasma. Dans cette optique, un premier objectif de notre travail était de déterminer les mécanismes à l’origine de la contraction et de la filamentation dans les décharges créées dans des gaz rares. Ainsi, nous avons montré que dans les plasmas micro-ondes contractés la cinétique de la décharge est contrôlée par les ions moléculaires et que la contraction est liée à l’influence du gradient de la température du gaz sur la concentration de ces ions. De plus, nous avons mis en évidence que la filamentation apparaît lorsque l’inhomogénéité radiale du champ électrique devient importante. Dans un second temps, nous avons développé une méthode de décontraction et de défilamentation de la décharge, qui consiste à ajouter à une décharge initiale de gaz rare des traces d’un autre gaz rare de plus faible potentiel d’ionisation. Dans le cas des plasmas décontractés, nous avons démontré que la cinétique de la décharge n’est plus contrôlée par les ions moléculaires, ce qui confirme bien l’importance de ces ions dans la description de la contraction. Pour terminer, nous avons étendu à la pression atmosphérique la technique d’absorption optique de mesure de densité des états métastables et résonnants à l’aide d’une lampe spectrale, ce qui n’avait été réalisé jusqu’ici que pour des pressions inférieures à 10 Torr. Ces états jouent un rôle essentiel dans l’ionisation des décharges contractées alors que dans les décharges décontractées leur désexcitation par les atomes du gaz adjuvant est l’étape fondamentale du processus de changement de cinétique menant à la décontraction.

Conventional and Reciprocal Approaches to the Forward and Inverse Problems of Electroencephalography

Le problème inverse en électroencéphalographie (EEG) est la localisation de sources de courant dans le cerveau utilisant les potentiels de surface sur le cuir chevelu générés par ces sources. Une solution inverse implique typiquement de multiples calculs de potentiels de surface sur le cuir chevelu, soit le problème direct en EEG. Pour résoudre le problème direct, des modèles sont requis à la fois pour la configuration de source sous-jacente, soit le modèle de source, et pour les tissues environnants, soit le modèle de la tête. Cette thèse traite deux approches bien distinctes pour la résolution du problème direct et inverse en EEG en utilisant la méthode des éléments de frontières (BEM): l’approche conventionnelle et l’approche réciproque. L’approche conventionnelle pour le problème direct comporte le calcul des potentiels de surface en partant de sources de courant dipolaires. D’un autre côté, l’approche réciproque détermine d’abord le champ électrique aux sites des sources dipolaires quand les électrodes de surfaces sont utilisées pour injecter et retirer un courant unitaire. Le produit scalaire de ce champ électrique avec les sources dipolaires donne ensuite les potentiels de surface. L’approche réciproque promet un nombre d’avantages par rapport à l’approche conventionnelle dont la possibilité d’augmenter la précision des potentiels de surface et de réduire les exigences informatiques pour les solutions inverses. Dans cette thèse, les équations BEM pour les approches conventionnelle et réciproque sont développées en utilisant une formulation courante, la méthode des résidus pondérés. La réalisation numérique des deux approches pour le problème direct est décrite pour un seul modèle de source dipolaire. Un modèle de tête de trois sphères concentriques pour lequel des solutions analytiques sont disponibles est utilisé. Les potentiels de surfaces sont calculés aux centroïdes ou aux sommets des éléments de discrétisation BEM utilisés. La performance des approches conventionnelle et réciproque pour le problème direct est évaluée pour des dipôles radiaux et tangentiels d’excentricité variable et deux valeurs très différentes pour la conductivité du crâne. On détermine ensuite si les avantages potentiels de l’approche réciproquesuggérés par les simulations du problème direct peuvent êtres exploités pour donner des solutions inverses plus précises. Des solutions inverses à un seul dipôle sont obtenues en utilisant la minimisation par méthode du simplexe pour à la fois l’approche conventionnelle et réciproque, chacun avec des versions aux centroïdes et aux sommets. Encore une fois, les simulations numériques sont effectuées sur un modèle à trois sphères concentriques pour des dipôles radiaux et tangentiels d’excentricité variable. La précision des solutions inverses des deux approches est comparée pour les deux conductivités différentes du crâne, et leurs sensibilités relatives aux erreurs de conductivité du crâne et au bruit sont évaluées. Tandis que l’approche conventionnelle aux sommets donne les solutions directes les plus précises pour une conductivité du crâne supposément plus réaliste, les deux approches, conventionnelle et réciproque, produisent de grandes erreurs dans les potentiels du cuir chevelu pour des dipôles très excentriques. Les approches réciproques produisent le moins de variations en précision des solutions directes pour différentes valeurs de conductivité du crâne. En termes de solutions inverses pour un seul dipôle, les approches conventionnelle et réciproque sont de précision semblable. Les erreurs de localisation sont petites, même pour des dipôles très excentriques qui produisent des grandes erreurs dans les potentiels du cuir chevelu, à cause de la nature non linéaire des solutions inverses pour un dipôle. Les deux approches se sont démontrées également robustes aux erreurs de conductivité du crâne quand du bruit est présent. Finalement, un modèle plus réaliste de la tête est obtenu en utilisant des images par resonace magnétique (IRM) à partir desquelles les surfaces du cuir chevelu, du crâne et du cerveau/liquide céphalorachidien (LCR) sont extraites. Les deux approches sont validées sur ce type de modèle en utilisant des véritables potentiels évoqués somatosensoriels enregistrés à la suite de stimulation du nerf médian chez des sujets sains. La précision des solutions inverses pour les approches conventionnelle et réciproque et leurs variantes, en les comparant à des sites anatomiques connus sur IRM, est encore une fois évaluée pour les deux conductivités différentes du crâne. Leurs avantages et inconvénients incluant leurs exigences informatiques sont également évalués. Encore une fois, les approches conventionnelle et réciproque produisent des petites erreurs de position dipolaire. En effet, les erreurs de position pour des solutions inverses à un seul dipôle sont robustes de manière inhérente au manque de précision dans les solutions directes, mais dépendent de l’activité superposée d’autres sources neurales. Contrairement aux attentes, les approches réciproques n’améliorent pas la précision des positions dipolaires comparativement aux approches conventionnelles. Cependant, des exigences informatiques réduites en temps et en espace sont les avantages principaux des approches réciproques. Ce type de localisation est potentiellement utile dans la planification d’interventions neurochirurgicales, par exemple, chez des patients souffrant d’épilepsie focale réfractaire qui ont souvent déjà fait un EEG et IRM.

Photophysical and Electrochemical Investigations on Photoconducting Poly(6-tert-butyl-3,4-dihydro-2H- 1,3-benzoxazine)

Poly(6-tert-butyl-3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) was synthesized by thermally activated cationic ring opening polymerization. The structure of the polymer was confirmed by spectral and thermal studies. The highest occupied molecular orbital (HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) were estimated using cyclic voltammetry and optical absorption. Modulated photocurrent measurement technique was employed to study the spectral and field dependence of photocurrent. Photocurrent of the order of 1.5 micro A/m2 was obtained for polymer at a biasing electric field of 40 V/mico m.

An Inter-digital Capacitive Electrode Modified as a Pressure Sensor

Inter-digital capacitive electrodes working as electric field sensors have been developed for touch panel applications. Evaluation circuits to convert variations in electric fields in such sensors into computer compatible data are commercially available. We report development of an Interdigital capacitive electrode working as a sensitive pressure sensor in the range 0-120 kPa. Essentially it is a touch/proximity sensor converted into a pressure sensor with a suitable elastomer buffer medium acting as the pressure transmitter. The performance of the sensor has been evaluated and reported. Such sensors can be made very economical in comparison to existing pressure sensors. Moreover, they are very convenient to be fabricated into sensor arrays involving a number of sensors for distributed pressure sensing applications such as in biomedical systems.

Investigations on Photoconductivity and Electrical Switiching in Selected Chalcogenide Glasses

In this thesis, we present the results of our investigations on the photoconducting and electrical switching properties of selected chalcogenide glass systems. We have used XRD and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis for confinuing the amorphous nature of these materials and for confirming their constituents respectively.Photoconductivity is the enhancement in electrical conductivity of materials brought about by the motion of charge carriers excited by absorbed radiation. The phenomenon involves absorption, photogeneration, recombination and transport processes and it gives good insight into the density of states in the energy gap of solids due to the presence of impurities and lattice defects. Photoconductivity measurements lead to the determination of such important parameters as quantum efficiency, photosensiti\'ity, spectral sensitivity and carrier lifetime. Extensive research work on photoconducting properties of amorphous semiconductors has resulted in the development of a variety of very sensitive photodetectors. Photoconductors are finding newer and newer uses eyery day. CdS, CdSe. Sb2S3, Se, ZnO etc, are typical photoconducting materials which are used in devices like vidicons, light amplifiers, xerography equipment etc.Electrical switching is another interesting and important property possessed by several Te based chalcogenides. Switching is the rapid and reversible transition between a highly resistive OFF state, driven by an external electric field and characterized by a threshold voltage, and a low resistivity ON state, Switching can be either threshold type or memory type. The phenomenon of switching could find applications in areas like infonnation storage, electrical power control etc. Investigations on electrical switching in chalcogenide glasses help in understanding the mechanism of switching which is necessary to select and modify materials for specific switching applications.Analysis of XRD pattern gives no further infonuation about amorphous materials than revealing their disordered structure whereas x-ray photoelectron spectroscopy,XPS) provides information about the different constituents present in the material. Also it gives binding energies (b.e.) of an element in different compounds and hence b.e. shift from the elemental form.Our investigations have been concentrated on the bulk glasses, Ge-In-Se, Ge-Bi-Se and As-Sb-Se for photoconductivity measurements and In-Te for electrical switching. The photoconducting properties of Ge-Sb-Se thin films prepared by sputtering technique have also been studied. The bulk glasses for the present investigations are prepared by the melt quenching technique and are annealed for half an hour at temperatures just below their respective glass transition temperatures. The dependence of photoconducting propenies on composition and temperature are investigated in each system. The electrical switching characteristics of In-Te system are also studied with different compositions and by varying the temperature.

SRR loaded waveguide band rejection filter with adjustable bandwidth

The use of a split-ring resonator (SRR)-loaded waveguide for the design of a band-rejection filter with adjustable bandwidth is reported. The width of the stopband can be adjusted by suitably positioning the SRR array in the waveguide. The rejection band can be made very narrow by placing the array at the electric-field minimum. The stopband attenuation depends on the number of unit cells in the array.

Design of electron band pass filters for electrically biased finite superlattices

We design optimal band pass filters for electrons in semiconductor heterostructures, under a uniform applied electric field. The inner cells are chosen to provide a desired transmission window. The outer cells are then designed to transform purely incoming or outgoing waves into Bloch states of the inner cells. The transfer matrix is interpreted as a conformal mapping in the complex plane, which allows us to write constraints on the outer cell parameters, from which physically useful values can be obtained.

Polyconductivity in polypyrrole: The correlated electron gas

p-toluensulfonate doped polypyrrole (PPy), undergoes an electric-field induced reversible transition from an insulating state to a highly conductive one. The spatially average field can be as small as 200 V/cm, when the temperature of the sample is below 20 K. The applied electric field leads to a sharp jump in the value of the current to a value which is nearly five orders of magnitude higher than before. When the applied electric field is reduced to below a critical value, the system switches back to a low conductive state. The effect is reversible, symmetric in voltage, and reproducible for different samples. The switching is, we believe, an electronic glass melting transition and it is due to the disordered, highly charged granular nature of PPy.

Chaos in resonant-tunneling superlattices

Spatiotemporal chaos is predicted to occur in n-doped semiconductor superlattices with sequential resonant tunneling as their main charge transport mechanism. Under dc voltage bias, undamped time-dependent oscillations of the current (due to the motion and recycling of electric field domain walls) have been observed in recent experiments. Chaos is the result of forcing this natural oscillation by means of an appropriate external microwave signal.

" Studies on Laser induced Phatothermal Phenomena in Selected Organic Compounds and Fullerenes"

In the pre—laser era it was difficult to believe that the optical properties of a medium depend upon the intensity of the radiation incident on it. The basis for this conclusion is that the electric field strength associated with the conventional light sources used before the advent of lasers was much smaller than (103 V/cm) the field sttrengths of atomic or interatomic fields (2 107 —- 10” V/cm). The radiation with such low intensity is not able to affect atomic fields to the extent of changing optical parameters. The invention of laser in 1960 was a turning point. The high degree of coherence of the laser radiation provides high spatial concentration of optical power. With the availability of the femtosecond lasers it has become possible to get extremely high peak powers 2 1013 W/cmz). At such high fields, the relationship between electric ‘polarization P and the electric field strength E ceases to be linear and several nonlinear effects begin to occur. Nonlinear absorption, a branch of nonlinear optics, refers to the interaction between radiation and matter accompanied by absorption of more than one photon. Nonlinear absorption has acquired great importance after the invention of high power lasers. One of the objectives of the present work is to investigate the nonlinear absorption processes occurring in fullerene, selected organic solvents and laser dyes. Fullerenes and laser dyes were chosen because of their highly nonlinear behaviour. Fullerenes, the most beautiful among molecules, offer fascinating field of research owinglto their significant structural properties. As toluene, benzene and carbon disulphide are themost widely used solvents for fullerenes, it seems important to study the nonlinear properties of these liquids as well. Like fullerenes, laser dyes also possess highly delocalized 7r electrons which are responsible for their nonlinear absorption. Dye lasers were the fulfillment of an experimenter’s pipe dream - to have a laser that is easily tunable over a wide range of wavelengths. A better understandingof the photophysical properties of laser dyes can significantly enhance the development and technology of dye lasers. We studied the nonlinear absorption properties of two rhodamine dyes to have some insight into their nonlinear optical properties.

Investigations on Nonlinear and Radiative Properties of Certain Phatonic Materials

Light in its physical and philosophical sense has captured the imagination of human mind right from the dawn of civilization. The invention of lasers in the 60’s caused a renaissance in the field of optics. This intense, monochromatic, highly directional radiation created new frontiers in science and technology. The strong oscillating electric field of laser radiation creates a. polarisation response that is nonlinear in character in the medium through which it passes and the medium acts as a new source of optical field with alternate properties. It was in this context, that the field of optoelectronics which encompasses the generation, modulation, transmission etc. of optical radiation has gained tremendous importance. Organic molecules and polymeric systems have emerged as a class of promising materials of optoelectronics because they offer the flexibility, both at the molecular and bulk levels, to optimize the nonlinearity and other suitable properties for device applications. Organic nonlinear optical media, which yield large third-order nonlinearities, have been widely studied to develop optical devices like high speed switches, optical limiters etc. Transparent polymeric materials have found one of their most promising applicationsin lasers, in which they can be used as active elements with suitable laser dyes doped in it. The solid-matrix dye lasers make possible combination of the advantages of solid state lasers with the possibility of tuning the radiation over a broad spectral range. The polymeric matrices impregnated with organic dyes have not yet widely used because of the low resistance of the polymeric matrices to laser damage, their low dye photostability, and low dye stability over longer time of operation and storage. In this thesis we investigate the nonlinear and radiative properties of certain organic materials and doped polymeric matrix and their possible role in device development

Studies an Optical and X-ray Emission Processes in Laser Produced Plasma

Developments in laser technology over the past few years have made it possible to do experiments with focused intensities of IO"-102' Wcm'z. Short-pulse high-intensity lasers are able to accelerate protons and heavier ions to multi-MeV energies during their interaction with solid targets, gas jets and clusters. When such a laser radiation is focused at the intensity above 10” Wcm'2, local electric field strength will be almost equivalent to that within an atom. Hence, new nonlinear optical phenomena will be expected in the field of light matter interaction. Most of the research in the material interaction using high power lasers, especially related to plasma interaction, has been directed to the short pulse x-ray generation- Nanosecond laser interactions with solid targets also generate plasmas which emit radiation mainly in the optical region, the understanding of which is far from satisfactory. This thesis deals with a detailed study of some of the dynamical processes in plasmas generated by nanosecond and femtosecond lasers

Tailoring Magnetic Properties of Co-Fe Thin Films by Topographical Modifications Using Thermal Annealing and Swift Heavy Ion Irradiation and Fabrication of Magnetoelectric Multilayers for Device Applications

Magnetism and magnetic materials have been playing a lead role in improving the quality of life. They are increasingly being used in a wide variety of applications ranging from compasses to modern technological devices. Metallic glasses occupy an important position among magnetic materials. They assume importance both from a scientific and an application point of view since they represent an amorphous form of condensed matter with significant deviation from thermodynamic equilibrium. Metallic glasses having good soft magnetic properties are widely used in tape recorder heads, cores of high-power transformers and metallic shields. Superconducting metallic glasses are being used to produce high magnetic fields and magnetic levitation effect. Upon heat treatment, they undergo structural relaxation leading to subtle rearrangements of constituent atoms. This leads to densification of amorphous phase and subsequent nanocrystallisation. The short-range structural relaxation phenomenon gives rise to significant variations in physical, mechanical and magnetic properties. Magnetic amorphous alloys of Co-Fe exhibit excellent soft magnetic properties which make them promising candidates for applications as transformer cores, sensors, and actuators. With the advent of microminiaturization and nanotechnology, thin film forms of these alloys are sought after for soft under layers for perpendicular recording media. The thin film forms of these alloys can also be used for fabrication of magnetic micro electro mechanical systems (magnetic MEMS). In bulk, they are drawn in the form of ribbons, often by melt spinning. The main constituents of these alloys are Co, Fe, Ni, Si, Mo and B. Mo acts as the grain growth inhibitor and Si and B facilitate the amorphous nature in the alloy structure. The ferromagnetic phases such as Co-Fe and Fe-Ni in the alloy composition determine the soft magnetic properties. The grain correlation length, a measure of the grain size, often determines the soft magnetic properties of these alloys. Amorphous alloys could be restructured in to their nanocrystalline counterparts by different techniques. The structure of nanocrystalline material consists of nanosized ferromagnetic crystallites embedded in an amorphous matrix. When the amorphous phase is ferromagnetic, they facilitate exchange coupling between nanocrystallites. This exchange coupling results in the vanishing of magnetocrystalline anisotropy which improves the soft magnetic properties. From a fundamental perspective, exchange correlation length and grain size are the deciding factors that determine the magnetic properties of these nanocrystalline materials. In thin films, surfaces and interfaces predominantly decides the bulk property and hence tailoring the surface roughness and morphology of the film could result in modified magnetic properties. Surface modifications can be achieved by thermal annealing at various temperatures. Ion irradiation is an alternative tool to modify the surface/structural properties. The surface evolution of a thin film under swift heavy ion (SHI) irradiation is an outcome of different competing mechanism. It could be sputtering induced by SHI followed by surface roughening process and the material transport induced smoothening process. The impingement of ions with different fluence on the alloy is bound to produce systematic microstructural changes and this could effectively be used for tailoring magnetic parameters namely coercivity, saturation magnetization, magnetic permeability and remanence of these materials. Swift heavy ion irradiation is a novel and an ingenious tool for surface modification which eventually will lead to changes in the bulk as well as surface magnetic property. SHI has been widely used as a method for the creation of latent tracks in thin films. The bombardment of SHI modifies the surfaces or interfaces or creates defects, which induces strain in the film. These changes will have profound influence on the magnetic anisotropy and the magnetisation of the specimen. Thus inducing structural and morphological changes by thermal annealing and swift heavy ion irradiation, which in turn induce changes in the magnetic properties of these alloys, is one of the motivation of this study. Multiferroic and magneto-electrics is a class of functional materials with wide application potential and are of great interest to material scientists and engineers. Magnetoelectric materials combine both magnetic as well as ferroelectric properties in a single specimen. The dielectric properties of such materials can be controlled by the application of an external magnetic field and the magnetic properties by an electric field. Composites with magnetic and piezo/ferroelectric individual phases are found to have strong magnetoelectric (ME) response at room temperature and hence are preferred to single phasic multiferroic materials. Currently research in this class of materials is towards optimization of the ME coupling by tailoring the piezoelectric and magnetostrictive properties of the two individual components of ME composites. The magnetoelectric coupling constant (MECC) (_ ME) is the parameter that decides the extent of interdependence of magnetic and electric response of the composite structure. Extensive investigates have been carried out in bulk composites possessing on giant ME coupling. These materials are fabricated by either gluing the individual components to each other or mixing the magnetic material to a piezoelectric matrix. The most extensively investigated material combinations are Lead Zirconate Titanate (PZT) or Lead Magnesium Niobate-Lead Titanate (PMNPT) as the piezoelectric, and Terfenol-D as the magnetostrictive phase and the coupling is measured in different configurations like transverse, longitudinal and inplane longitudinal. Fabrication of a lead free multiferroic composite with a strong ME response is the need of the hour from a device application point of view. The multilayer structure is expected to be far superior to bulk composites in terms of ME coupling since the piezoelectric (PE) layer can easily be poled electrically to enhance the piezoelectricity and hence the ME effect. The giant magnetostriction reported in the Co-Fe thin films makes it an ideal candidate for the ferromagnetic component and BaTiO3 which is a well known ferroelectric material with improved piezoelectric properties as the ferroelectric component. The multilayer structure of BaTiO3- CoFe- BaTiO3 is an ideal system to understand the underlying fundamental physics behind the ME coupling mechanism. Giant magnetoelectric coupling coefficient is anticipated for these multilayer structures of BaTiO3-CoFe-BaTiO3. This makes it an ideal candidate for cantilever applications in magnetic MEMS/NEMS devices. SrTiO3 is an incipient ferroelectric material which is paraelectric up to 0K in its pure unstressed form. Recently few studies showed that ferroelectricity can be induced by application of stress or by chemical / isotopic substitution. The search for room temperature magnetoelectric coupling in SrTiO3-CoFe-SrTiO3 multilayer structures is of fundamental interest. Yet another motivation of the present work is to fabricate multilayer structures consisting of CoFe/ BaTiO3 and CoFe/ SrTiO3 for possible giant ME coupling coefficient (MECC) values. These are lead free and hence promising candidates for MEMS applications. The elucidation of mechanism for the giant MECC also will be the part of the objective of this investigation.