Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance

Deep levels in semi-insulating (SI) InP obtained by annealing in iron phosphide (IP) ambiance have been characterized by optical transient current spectroscopy (OTCS). Compared with the OTCS result of the SI InP prepared by annealing in pure phosphorus (PP) ambiance, the IP SI InP presents only two traps with activation energies of 0.20 and 0.63 eV, respectively. The results suggest that the diffusion of Fe-atoms suppresses the formation of a few defects in the IP SI InP. The nature of deep levels in the IP and PP SI InP has been discussed on the basis of these results. The relation between material property and defects in those SI InP has also been revealed. (C) 2002 American Institute of Physics.

Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient

Photoluminescence (PL) and photo induced current transient spectroscopy (PICTS) have been used to study deep levels in semi-insulating (SI) InP prepared by annealing undoped InP in pure phosphorus (PP) and iron phosphide (IP) ambient. Defects are much fewer in IP SI-InP than in PP SI-InP. Deep-level-related PL emission could only be detected in IP SI-InP. The results indicate that Fe diffusion inhibits the thermal formation of a number of defects in annealed InP. A complex defect has been formed in the annealing process in the presence of Fe.

Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers

Semi-insulating (SI) InP wafers of 2 and 3 in. diameters have been prepared by annealing undoped LEC InP at 930 degreesC for 80 h under pure phosphorus ambient (PP) and iron phosphide ambient (IP). The electrical uniformity of annealed undoped SI wafers, along with a Fe-doped as-grown SI LEC InP wafer, has been characterized by whole wafer PL mapping and radial Hall measurements. Defects in these wafers have been detected by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). The results indicated that the uniformity of IP wafer is much better than that of PP wafer and as-grown Fe-doped Si InP wafer. There are fewer traps in undoped SI InP IP wafer than in as grown Fe-doped and undoped SI InP PP wafer, as evidenced by PICTS. The good uniformity of the IP wafer is related to the nonexistence of high concentration of thermally induced defects. The mechanism for this phenomenon is discussed based on the results. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential

A prominent effect of the interface potential (IP) [E. L. Ivchenko and A. Yu. Kaminski, Phys. Rev. B 54, 5852 (1996); O. Krebs and P. Voisin, Phys. Rev. Lett. 77, 1829 (1996)], the optical anisotropy of the forbidden transitions in quantum wells has been observed by reflectance-difference spectroscopy. Predictions by the heavy-light-hole coupling IP models are qualitatively consistent with all the observed features of the forbidden and the allowed transitions. The fact that the predicted value of the relative, transition strength, which depends on neither the IP strength nor the electric field, disagrees with the observed one indicates that coupling involving X and/or L bands may also be important. [S0163-1829(99)04227-7].

社区宽带综合业务网服务质量保证的研究

社区宽带综合业务网络系统使用交换式以太网技术，在一个物理网络上为社区用户提供Internet接入、数字电视、IP电话等服务，对三网融合进行了实践性探讨。提出并实现了一套保证系统服务质量的方法，并在测试中取得了满意的效果。

三层交换机中DHCP中继代理的改进与实现

社区宽带综合业务网络系统使用交换式以太网技术。为社区用户提供Intemet接入、电视、IP电话等服务。根据系统的实际需求，提出了一种改进的DHCP中继代理机制，并将该机制在系统的核心三层交换机SW1200的驱动程序中实现。

一种多业务以太网接入交换机的关键技术

宽带社区接入网是下一代网络研究的主要领域之一.RBISN(社区宽带综合业务网络系统)研究使用交换式以太网提供数字电视、IP电话和Internet接入服务.需要解决用户隔离、组播、服务质量的问题.本文介绍了这一系统中交换机采用的关键技术.

交换机和路由器一体化的设计与实现

宽带社区接入网是下一代网络研究的主要领域之一.RBISN(社区宽带综合业务网络)研究使用交换式以太网提供电视、IP电话和Internet接入服务,边缘路由设备必不可少.该文分析了该环境下的通信量,在对可用的方案进行对比的基础上,提出了将智能二层VLAN交换机和VLAN路由器一体化的方案.随后给出其模型和设计,加以实现以证明其可行性.

一种开放源代码的网络仿真器的原理与实现

随着互联网的飞速发展,网络拥塞已经成为一个十分重要的问题,网络仿真是一种检测拥塞控制算法有效性的常用方法.该文给出了一种开放源代码的网络仿真器NS2(Network Simulator V2)的原理与实现.首先比较了四种不同仿真器的优缺点,然后详细描述了NS2的模块组成、工作环境、主代码结构以及扩展方法等,最后用RED(Random EarlyDetection)队列调度和移动IP数据传输两个典型实例说明了NS2的应用价值.

安全ARP的Clark-Wilson模型化

ARP协议漏洞严重威胁着TCP／IP的安全，一些基于对称或非对称密钥机制的安全ARP协议被相继提出。本文介绍了ARP协议攻击的原理和几个最出名的基于对称或非对称密钥机制的安全ARP协议，引入Clark-wilson商业模型对ARP的完整性状态进行了分析，把改进协议Clark-Wilson模型化，在模型化的过程中找到了它们不能通过Clark-Wilson商业模型验证规则的关键点，并根据Clark-Wilson商业模型提出的经典场景，给出了相应的攻击场景。

铁系催化马来酸酐与烯类单体的共聚

马来酸酐（MAn）与烯类单体的共聚物应用于许多工业领域，这些工业生产都以自由基聚合为主，但自由基聚合的定向性差、分子量分布宽。ZieglarNatta催化剂用于烯烃的聚合可得到结构规整的、分子量分布窄的聚合物，但所采用的中心原子一般都是前过渡金属，这类催化剂在催化烯烃与极性单体共聚的时候催化效率较低，而在烯烃中插入极性单体可改善聚烯烃的性质，扩大其应用范围。本论文采用以后过渡金属铁为中心原子的乙酞丙酮铁（Fe（acac）_3）和三异丁基铝（Al（i-Bu）_3）组成的双组分催化体系催化马来酸酐与烯类单体茵香脑（ANE）、降冰片烯（NBE）及异戊二烯（Ip）的共聚合反应。实验结果表明，在该催化体系中，马来酸酐与烯类单体共聚合反应的机理可初步认为是配位共聚合机理。马来酸酐与茵香脑共聚合反应的适宜条件为：苯为溶剂，n（Al）／n（Fe）＝8，c(M)＝2.8mol／L，c（Fe）＝1.7×10~(-2)mol/L，n(MAn)／n(ANE)＝1，80℃，6h。在该反应条件下，反应收率为77.0％；聚合反应对单体浓度呈一级关系，表观活化能为31.0 KJ／mol；得到的共聚物是交替的，其中马来酸酐的摩尔含量为45.6％（IR、NMR），共聚物的重均分子量为2.28*10~4分子量分布为2.32（GPC）。马来酸酐与降冰片烯共聚合反应的适宜条件为：二氧六环为溶剂，70℃，n（Al）/n（Fe）＝14，n（CCl_4）／n(Fe)=20,n(M)/n(Fe)＝100，n（MAn）／n（NBE）＝1,12h收率为85.4％；CC14的加入可大幅度提高反应的收率，但分子量却大大降低，虽然共聚物的分子量较小（M_W=2713），但具有较好的溶解性，分子量‘分布为1.31，共聚物中不含CCl_4部分。马来酸酐与异戊二烯共聚合反应的适宜条件为：甲苯与二氧六环的混合溶剂（T／D＝2/5），n（MAn)／n（Ip）＝1，n（Al）／n（Fe）=8，c（M）= 4.1mol／L，c（Fe）＝5.8×l0~(-3) mol／L，20℃，2h，收率78.3％。在该条件下得到的共聚物中马来酸酐的摩尔含量为53.1％（元素分析），并发生部分交联，不溶于有机溶剂中，而采用极性溶剂如二氧六环时，所得共聚物能微溶于四氢吠喃中。综上所述，铁系催化体系催化马来酸酐与烯类单体的共聚合反应可得到产率高、分子量分布较小、具有一定交替度的共聚物。

（一）聚丁二烯橡胶的高聚物-溶剂相互作用参数从和有效网链密度的测定（二）顺丁橡胶在几种溶剂中的特性粘数-分子量关系式和无扰分子尺寸的估算

表征硫化橡胶弹性体网络的主要结构参数是有效网链密度橡胶弹性体的许多重要力学性能，例如：300%定伸强度、抗张强度、伸长率、抗撕裂、弹性、硬度、静态压缩模量和动态模量等都是和有效网链密度紧密相关的。Flory用平衡溶胀法测定有效网链密度的方程是：Ve = -1/(V_s)·(l_n(1-υ_r) + υ_r + μυ_r~2)/(υ_r~(1/3)-2υ_r/f)式中的Ve是有效网链密度（用单位体积橡胶的有效网链克分子数来表示），υ_r是溶胀网络中橡胶的体积分数，υ_s是溶剂的克分子体积，f是交联点的官能度（f = 4），μ是高聚物溶剂相互作用参数。首先要确定μ才能够用上式来测定硫化胶的有效网链密度以表征硫化程度。实验事实和Flory等人的理论工作表明：μ不是常数，是υ_r的函数。高顺式聚丁二烯橡胶已生产多年，但迄今未有关于高顺式聚丁二烯橡胶在不同溶剂中的μ和υ_r间的函数关系的报导。在实际应用中，人们常常用υ_r值的大小来近似表征硫化程度。但由上式可知：μ和υ_r不成正比关系。因此，必须求得μ值，才能得到Ve值，以正确表征硫化程度，对实际生产起指导作用。本工作采用溶胀-拉伸方法不渗透压，光散射等方法测定顺丁橡胶和溶剂甲苯、苯、正-庚烷的相互作用参数μ，得到了μ和υ_r的线性函数（见附表），μ = μ_o + βυ_r。μ_o是当υ_r趋向于零时的μ值，β是一个常数。溶胀拉伸法外推得到的μ_o值和用渗透压及光散射法得到的μ_o值么接近，为实验的可靠性提供了依据。力学方法和物理化学方法同时测得相近的结果，有文献报导的不多。用溶胀-拉伸法求橡胶-溶剂的相互作用参数μ，由于样品的制作和实验技术上的困难内尚未见报导。国外Kraus和V. Zanboni等人用天然、丁苯、乙丙、丁腈等纯胶硫化胶（未加碳黑的硫化胶）进行溶胀-拉伸实验，测定μ和U_r的函数关系。然后用来计算碳黑硫化胶的μ和Ve。本工作表明：对于同一橡胶-溶剂体系来说，纯胶硫化胶和碳黑硫化胶的μ和υ_r的函数关系并不一样，在相同υ_r时，二者Ve相差2.5-5%，υ_r值越大，Ve相差越大。因此用纯胶硫化胶的μ和υ_r的函数来计算碳黑硫化胶的有效网链密度是不适当的。本工作还用渗透压法测定了1，2-聚丁二烯（1，2-含量分别为90%和60%）及合成异戊橡胶和溶剂甲苯的相互作用参数μ_o。结果表明：合成异戊橡胶和天然橡胶有相同的μ_o值。这说明μ_o值只和化学结构有关，与样品的来源无关。两种1，2-聚丁二烯橡胶和顺丁橡胶也有相接近的μ_o值。其原因是因为三者有基本相同的内聚能密度，则它们在同一种溶剂中所受到的作用力应当相等的缘故。最后，本工作还研究了顺丁橡胶的有效网链密度对300%定伸强度、抗张强度、抗撕裂、伸长率、弹性、硬度、静态压缩模量和动态模量等力学性能的影响。结果表明：有效网链密度Ve和300%定伸强度成直线函数关系：M_(300%) = 17 + 3.61 * 10~5 * Ve（公斤/厘米）。这就为测定硫化胶的有效网链密度提供了另一条途径，因为300%定伸强度是表征硫化胶的一个重要参数，实验简单易行，知道了M_(300%)就可以利用上式估算Ve。本工作发现有效网链密度在2.00～3.10 * 10~(-4)摩尔/厘米~3的范围内，则可望达到优秀的抗张强度和抗撕裂性能，对实际生产的工艺控制有一定现实意义。本工作以稀土催化体系合成的顺丁橡胶（顺1，4-97%、反1，4-2.5%、1.2-0.5%）作为研究对象，订定了顺丁橡胶在溶剂四氢呋喃、甲苯、甲基环乙烷、正-庚烷和丁酮与正-庚烷混合溶剂（体积比为2:1）等中的特性粘数分子量关系式：用Kurata-Stockmayer(KS)方程、Stockmayer-Fixman(SF)方程和Tnagaki-Ptitsyn(IP)方程估算了顺丁橡胶的无扰分子尺寸。顺丁橡胶在溶剂四氢呋喃中的特性粘数-分子量关系式为[η]_(THF)~30 ℃= 0.0246 * M~(0.732)该关系式的获得为采用自记GPC测定和计算顺丁橡胶样品的(M-bar)_w、(M-bar)_n、(M-bar)_w/(M-bar)_x和[η]等重要分子参数提供了方便。因顺丁橡胶在四氢呋喃中的特性粘数-分子量关系式文献至今未见报导。顺丁橡胶在甲苯、甲基环乙烷、正-庚烷和丁酮与正-庚烷混合溶剂中的特性粘数-分子量关系式如下：[η]_(甲苯)~(30 ℃) = 0.0264 * M~(0.719) [η]_(甲基/环已烷)~(30 ℃) = 0.0293 * M~(0.698) [η]_(正-庚烷)~(30 ℃) = 0.1181 * M~(0.547) [η]_(丁酮+正-庚烷)~(30 ℃) = 0.1800 * M~(0.500)发现酮与正-庚烷的混合溶剂（体积比为2:1）在30 ℃时是顺丁橡胶的Θ溶剂。高聚物的无扰分子尺寸，是反映大分子近程相互作用的重要参数，由此可得到有关链结构的重要情报。本工作通过测定已知分子量的样品在四氢呋喃、甲苯、甲基环已烷等良溶剂中的特性粘数，采用KS、SF和IP方程去估算顺丁橡胶的无扰分子尺寸，同时测定了顺丁橡胶在其Θ条件下（丁酮与正-庚烷混合溶剂，体积比2:1，温度30 ℃）的无扰分子尺寸，以此进行对比。用KS方程估算的K_θ = 0.183(ml/g), <γ_o~2>~(1/2)/M~(1/2) = 0.0901(nm)用SF方程估算的K_θ = 0.183和0.200(ml/g), <γ_o~2>~(1/2)/M~(1/2) = 0.0901和0.0928(nm)用IP方程估算的K_θ = 0.192(ml/g), <γ_o~2>~(1/2)/M~(1/2) = 0.0915(nm)用Θ溶剂测定的K_θ= 0.180(ml/g), <γ_o~2>~(1/2)/M~(1/2) = 0.0896(nm)由此可见，用不同方法得到的结果均较接近。