Strained Silicon on Silicon by Wafer Bonding and Layer Transfer from Relaxed SiGe Buffer

We report the creation of strained silicon on silicon (SSOS) substrate technology. The method uses a relaxed SiGe buffer as a template for inducing tensile strain in a Si layer, which is then bonded to another Si handle wafer. The original Si wafer and the relaxed SiGe buffer are subsequently removed, thereby transferring a strained-Si layer directly to Si substrate without intermediate SiGe or oxide layers. Complete removal of Ge from the structure was confirmed by cross-sectional transmission electron microscopy as well as secondary ion mass spectrometry. A plan-view transmission electron microscopy study of the strained-Si/Si interface reveals that the lattice-mismatch between the layers is accommodated by an orthogonal array of edge dislocations. This misfit dislocation array, which forms upon bonding, is geometrically necessary and has an average spacing of approximately 40nm, in excellent agreement with established dislocation theory. To our knowledge, this is the first study of a chemically homogeneous, yet lattice-mismatched, interface.

Femtosecond laser processing of crystalline silicon

This paper reports the surface morphologies and ablation of crystalline silicon wafers irradiated by infra-red 775 nm Ti:sapphire femtosecond laser. The effects of energy fluences (below and above single-pulse modification) with different number of pulses were studied. New morphological features such as pits, cracks formation, Laser-Induced Periodic Surface Structures (LIPSS) and ablation were observed. The investigation indicated that there are two distinct mechanisms under femtosecond laser irradiation: low fluence regime with different morphological features and high fluence regime with high material removal and without complex morphological features.

Plasma polymerization of C[subscript 4]F[subscript 8] thin film on high aspect ratio silicon molds

High aspect ratio polymeric micro-patterns are ubiquitous in many fields ranging from sensors, actuators, optics, fluidics and medical. Second generation PDMS molds are replicated against first generation silicon molds created by deep reactive ion etching. In order to ensure successful demolding, the silicon molds are coated with a thin layer of C[subscript 4]F[subscript 8] plasma polymer to reduce the adhesion force. Peel force and demolding status are used to determine if delamination is successful. Response surface method is employed to provide insights on how changes in coil power, passivating time and gas flow conditions affect plasma polymerization of C[subscript 4]F[subscript 8].

IV Jornadas de intercambio de experiencias educativas.

Se recogen las experiencias presentadas en las cuartas jornadas de intercambio de experiencias educativas, celebradas en el CPR de Avilés en septiembre de 2005. En esta ocasión se ha optado por renunciar al formato de bloques de contenido, de modo que experiencias de Educación Infantil y Primaria se alternan con las de Secundaria, abordando a su vez temáticas diversas: acercamiento a la cultura en el aula de ingles, materiales didácticos en el programa CLIC, el ordenador en el aula, etc.

Técnico superior en prevención de riesgos profesionales : ciclo formativo de grado superior. Primer curso : módulos I-IV.

Resumen basado de la publicación

IV Jornadas de Innovaci??n Docente 2011

Resumen tomado de la publicaci??n. Contiene 9 v??deos del desarrollo de las jornadas (mesas redondas, etc.), las actas de las jornadas (145 p.) y 10 presentaciones. Otro t??tulo publicado es: Jornada de Innovaci??n en Docencia Universitaria 2011

III-IV Concurso de materiales curriculares con valor coeducativo : premio Rosa Regás.

La III edición contiene: Primer premio a CEP Alcalá de Guadaíra, CEIP Luis de Cernuda, CEIP Poetas Andaluces, CEI Rafael Alberti, IES Mariana Pineda, todos ellos de Dos Hermanas (Sevilla) por 'Fiestas escolares no sexista, actividades culturales con perspectiva de género'; Segundo premio a CEIP Virgen Rosario de Totalán (Málaga) por 'La masculinidad y feminidad patriarcal desde la jabera como proyecto integrador'; Tercer premio a CEP Huelva-Isla Cristina, IES del Andévalo de Puebla de Guzmán, IES La Alborá de Alonso, IES Fuentejuncal del Aljaraque, IES Estuaria de Huelva, todos ellos de Huelva por 'Coeducándonos en inglés a través de las tics'. La IV edición contiene: Primer premio a IES Emilio Canalejo Olmeda de Montilla, IES Miguel Crespo, IES Villarrubia, IES Santa Catalina de Siena, todos ellos de Córdoba por 'La vida cotidiana de las mujeres en la córdoba bajomedieval'; Segundo premio a IES Medina Azahara (Córdoba) por 'Coeducando en igualdad desde la diferencia. Guía didáctica'; Tercer premio a CEP Pintor Zuloaga (Cádiz) por 'Tratamiento del sufrimiento y los miedos como camino hacia la igualdad'; Mención especial a IES Licinio de la Fuente de Coín (Málaga) por 'Mujeres y cultura de paz, una propuesta didáctica para la clase de inglés'; Mención especial a IES Los Viveros (Sevilla) por '¿Sabes cuál es tu profesión? test vocacional'

El Quijote en las aulas : a??o 2005 : IV centenario El Quijote

Resumen basado en el de la publicaci??n

Proyecto para la convivencia : memoria 08-09. IV

Seleccionado en la convocatoria: Ayudas para desarrollar proyectos de convivencia, Gobierno de Arag??n 2008-09

Mestres de España (IV). 'Maestros de España (IV)'.

Resumen basado en el de la publicación

Algunas oposiciones, similitudes y diferendos en la constitución del sujeto en Hegel y Nietzsche : comparación entre el Sujeto Trágico del Nacimiento de la Tragedia y la Autoconciencia de la Fenomenología del Espíritu (Cap. IV)

Comparación entre Hegel y Nietzsche en términos de la forma en que en cada uno de ellos se define la constitución del sujeto en determinados textos, como lo son el Nacimiento de la Tragedia, de Nietzshe, y el capítulo IV de la Fenomenología del Espíritu de Hegel. La comparación se hace a partir de tres elementos, a saber, oposición, similitud y diferendo.

Silicon Chips and Nano Devices

A look at the Southampton Nanfabrication Centre where electro-photonic research is carried out and the AMD company's industrial processes for creating commercial quantities of silicon computing devices.

IV jornades de pràctica psicomotriu : conclusions. ' Cuartas jornadas de práctica psicomotriz : conclusiones'.

Se presentan las conclusiones elaboradas tanto por los ponentes como por los asistentes a partir de las diferentes cuestiones surgidas en los grupos de trabajo. Documento electrónico de 13 transparencias en formato PPT.

Estudio Estratégico Sectorial aplicado en cinco Hospitales Universitarios IV Nivel de complejidad en la ciudad de Bogotá D.C.

El estudio estratégico sectorial desarrollado en cinco Hospitales Universitarios de la ciudad de Bogotá D.C., presenta como objetivo general, la aplicación de la metodología de análisis estructural de sectores estratégicos con el propósito de conocer el nivel de hacinamiento del sector, las oportunidades para su desarrollo, el análisis de las fuerzas de mercado y el nivel de atractividad sectorial. El estudio concluye que la tendencia del sector se encuentra hacia la presencia de equilibrio competitivo y la no existencia de factores diferenciadores entre las organizaciones estudiadas. El análisis sectorial detecta la necesidad de crear oportunidades de desarrollo que permitan a las organizaciones salir de los procesos de imitación en los cuales están inmersos. Finalmente, se resalta la necesidad de fortalecer las relaciones y alianzas entre los competidores, proveedores y compradores.

De aquí a mañana: expectativas a futuro en jóvenes de la Comuna IV de Soacha

Los jóvenes que afrontan un aislamiento social tienen expectativas de movilidad social como cualquier otro sector o clase social, basadas en la educación como vehículo principal para salir de la pobreza. Pese a ello, la valoración de la educación se produce en un nivel discursivo, ya que factores como la violencia barrial, el embarazo adolescente y la necesidad de generar ingresos, entre otros, compiten y a menudo ganan a las expectativas educativas de esos jóvenes.