Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

Identificación de episodios climáticos fríos mediante el registro de susceptibilidad magnética en la secuencia lacustre del maar de Fuentillejo (Ciudad Real).

Resumen: El maar de Fuentillejo está localizado en la Región Volcánica Central de Campo de Calatrava (Ciudad Real). Desde su inicio se ha comportado como un sistema cerrado y presenta una potencia total de 142 m de sedimentos lacustres, organizados en 23 unidades sedimentarias. Se ha realizado un estudio de la susceptibilidad magnética y densidad aparente de los sedimentos, mediante un equipo de testificación multisensor Geotek. Para obtener la edad del registro se han efectuado dataciones absolutas mediante radiocarbono, U-Th y con el estudio de polaridad magnética, obteniéndose un modelo de edad que permite datar el sondeo FUENT-1 en torno a los 350 ka. Los datos del registro de susceptibilidad magnética, junto con las dataciones efectuadas, permiten identificar una secuencia de eventos erosivos relacionados con los últimos estadios glaciares (LGM: Ultimo Máximo Glaciar y los estadios isotópicos MIS 6 y 8). El registro de susceptibilidad magnética se encuentra atenuado por procesos de disolución de los óxidos de Fe-Ti. Abstract: The Fuentillejo maar is located in the Central Spanish Volcanic Field of Campo de Calatrava (Ciudad Real). Fuentillejo maar-lake was a closed system where up to 142 m depth of lacustrine sediments were deposited. Magnetic susceptibility and bulk density were measured by a GEOTEK multisensor core logger. The chronological framework was constructed based on radiocarbon and U-Th methods, as well as a detailed study of magnetic polarity, yielding an age model that covers last 350 ka. Intervals with terrigenous sediments correspond to high magnetic susceptibility values. These intervals were correlated with erosive events during the Last Glacial Maximum and the MIS 6 and 8 isotopic stages. The record of magnetic susceptibility is attenuated by disolution processes of Fe-Ti oxides.

Developmental Expression of Kv Potassium Channels at the Axon Initial Segment of Cultured Hippocampal Neurons

Axonal outgrowth and the formation of the axon initial segment (AIS) are early events in the acquisition of neuronal polarity. The AIS is characterized by a high concentration of voltage-dependent sodium and potassium channels. However, the specific ion channel subunits present and their precise localization in this axonal subdomain vary both during development and among the types of neurons, probably determining their firing characteristics in response to stimulation. Here, we characterize the developmental expression of different subfamilies of voltage-gated potassium channels in the AISs of cultured mouse hippocampal neurons, including subunits Kv1.2, Kv2.2 and Kv7.2. In contrast to the early appearance of voltage-gated sodium channels and the Kv7.2 subunit at the AIS, Kv1.2 and Kv2.2 subunits were tethered at the AIS only after 10 days in vitro. Interestingly, we observed different patterns of Kv1.2 and Kv2.2 subunit expression, with each confined to distinct neuronal populations. The accumulation of Kv1.2 and Kv2.2 subunits at the AIS was dependent on ankyrin G tethering, it was not affected by disruption of the actin cytoskeleton and it was resistant to detergent extraction, as described previously for other AIS proteins. This distribution of potassium channels in the AIS further emphasizes the heterogeneity of this structure in different neuronal populations, as proposed previously, and suggests corresponding differences in action potential regulation.

Computational Study of the Fe(CN)(2)CO Cofactor and Its Binding to HypC Protein.

In the intricate maturation process of [NiFe]-hydrogenases, the Fe(CN)2CO cofactor is first assembled in a HypCD complex with iron coordinated by cysteines from both proteins and CO is added after ligation of cyanides. The small accessory protein HypC is known to play a role in delivering the cofactor needed for assembling the hydrogenase active site. However, the chemical nature of the Fe(CN)2CO moiety and the stability of the cofactor–HypC complex are open questions. In this work, we address geometries, properties, and the nature of bonding of all chemical species involved in formation and binding of the cofactor by means of quantum calculations. We also study the influence of environmental effects and binding to cysteines on vibrational frequencies of stretching modes of CO and CN used to detect the presence of Fe(CN)2CO. Carbon monoxide is found to be much more sensitive to sulfur binding and the polarity of the medium than cyanides. The stability of the HypC–cofactor complex is analyzed by means of molecular dynamics simulation of cofactor-free and cofactor-bound forms of HypC. The results show that HypC is stable enough to carry the cofactor, but since its binding cysteine is located at the N-terminal unstructured tail, it presents large motions in solution, which suggests the need for a guiding interaction to achieve delivery of the cofactor.

The Spanish Travel Subjective Lexicon (STSL).

This paper presents a proposal for a recognition model for the appraisal value of sentences. It is based on splitting the text into independent sentences (full stops) and then analysing the appraisal elements contained in each sentence according to the previous value in the appraisal lexicon. In this lexicon, positive words are assigned a positive coefficient (+1) and negative words a negative coefficient (-1). We take into account word such as ?too?, ?little? (when it is not ?a bit?), ?less?, and ?nothing? than can modify the polarity degree of lexical unit when appear in the nearby environment. If any of these elements are present, then the previous coefficient will be multiplied by (-1), that is, they will change their sign. Our results show a nearly theoretical effectiveness of 90%, despite not achieving the recognition (or misrecognition) of implicit elements. These elements represent approximately 4% of the total of sentences analysed for appraisal and include the errors in the recognition of coordinated sentences. On the one hand, we found that 3.6 % of the sentences could not be recognized because they use different connectors than those included in the model; on the other hand, we found that in 8.6% of the sentences despite using some of the described connectors could not be applied the rules we have developed. The percentage relative to the whole group of appraisal sentences in the corpus was approximately of 5%.

Integrable high order UWB pulse photonic generator based on cross phase modulation in a SOA-MZI

We propose and experimentally demonstrate a potentially integrable optical scheme to generate high order UWB pulses. The technique is based on exploiting the cross phase modulation generated in an InGaAsP Mach-Zehnder interferometer containing integrated semiconductor optical amplifiers, and is also adaptable to different pulse modulation formats through an optical processing unit which allows to control of the amplitude, polarity and time delay of the generated taps.

Generation of an UWB monocycle employing cross-phase modulation in a SOA-MZ interferometer

In the present article, an innovative approach for generation of an UWB monocycle is proposed and experimentally demonstrated. The proposed design features the combination of an interferometric device (SOA-Mach Zehnder interferometer) with an optical processor unit. The fusion of such components permits to generate, combine and customize UWB pulses. An optical pulse is used as pump signal and two optical carriers represent and the optical input of the system. The selection of a specific wavelength and therefore of a particular port provides the possibility of modifying the systems output pulse polarity. The capacity of transmitting several data sequence has been also evidenced.

Ultrastructure of Plant Leaf Cuticles in relation to Sample Preparation as Observed by Transmission Electron Microscopy

The leaf cuticular ultrastructure of some plant species has been examined by transmission electron microscopy (TEM) in only few studies. Attending to the different cuticle layers and inner structure, plant cuticles have been grouped into six general morphological types. With the aim of critically examining the effect of cuticle isolation and preparation for TEM analysis on cuticular ultrastructure, adaxial leaf cuticles of blue-gum eucalypt, grey poplar, and European pear were assessed, following a membrane science approach. The embedding and staining protocols affected the ultrastructure of the cuticles analysed. The solubility parameter, surface tension, and contact angles with water of pure Spurr's and LR-White resins were within a similar range. Differences were however estimated for resin : solvent mixtures, since Spurr’s resin is combined with acetone and LR-White resin is mixed with ethanol. Given the composite hydrophilic and lipophilic nature of plant cuticles, the particular TEM tissue embedding and staining procedures employed may affect sample ultrastructure and the interpretation of the results in physicochemical and biological terms. It is concluded that tissue preparation procedures may be optimised to facilitate the observation of the micro- and nanostructure of cuticular layers and components with different degrees of polarity and hydrophobicity.

Movimiento de paredes de dominio magnético en nanohilos con defectos controlados

La investigación realizada en este trabajo de tesis se ha centrado en el estudio de la generación, anclaje y desenganche de paredes de dominio magnético en nanohilos de permalloy con defectos controlados. Las últimas tecnologías de nanofabricación han abierto importantes líneas de investigación centradas en el estudio del movimiento de paredes de dominio magnético, gracias a su potencial aplicación en memorias magnéticas del futuro. En el 2004, Stuart Parkin de IBM introdujo un concepto innovador, el dispositivo “Racetrack”, basado en un nanohilo ferromagnético donde los dominios de imanación representan los "bits" de información. La frontera entre dominios, ie pared magnética, se moverían en una situación ideal por medio de transferencia de espín de una corriente polarizada. Se anclan en determinadas posiciones gracias a pequeños defectos o constricciones de tamaño nanométrico fabricados por litografía electrónica. El éxito de esta idea se basa en la generación, anclaje y desenganche de las paredes de dominio de forma controlada y repetitiva, tanto para la lectura como para la escritura de los bits de información. Slonczewski en 1994 muestra que la corriente polarizada de espín puede transferir momento magnético a la imanación local y así mover paredes por transferencia de espín y no por el campo creado por la corriente. Desde entonces muchos grupos de investigación de todo el mundo trabajan en optimizar las condiciones de transferencia de espín para mover paredes de dominio. La fracción de electrones polarizados que viaja en un hilo ferromagnético es considerablemente pequeña, así hoy por hoy la corriente necesaria para mover una pared magnética por transferencia de espín es superior a 1 107 A/cm2. Una densidad de corriente tan elevada no sólo tiene como consecuencia una importante degradación del dispositivo sino también se observan importantes efectos relacionados con el calentamiento por efecto Joule inducido por la corriente. Otro de los problemas científico - tecnológicos a resolver es la diversidad de paredes de dominio magnético ancladas en el defecto. Los diferentes tipos de pared anclados en el defecto, su quiralidad o el campo o corriente necesarios para desenganchar la pared pueden variar dependiendo si el defecto posee dimensiones ligeramente diferentes o si la pared se ancla con un método distinto. Además, existe una componente estocástica presente tanto en la nucleación como en el proceso de anclaje y desenganche que por un lado puede ser debido a la naturaleza de la pared que viaja por el hilo a una determinada temperatura distinta de cero, así como a defectos inevitables en el proceso de fabricación. Esto constituye un gran inconveniente dado que según el tipo de pared es necesario aplicar distintos valores de corriente y/o campo para desenganchar la pared del defecto. Como se menciona anteriormente, para realizar de forma eficaz la lectura y escritura de los bits de información, es necesaria la inyección, anclaje y desenganche forma controlada y repetitiva. Esto implica generar, anclar y desenganchar las paredes de dominio siempre en las mismas condiciones, ie siempre a la misma corriente o campo aplicado. Por ello, en el primer capítulo de resultados de esta tesis estudiamos el anclaje y desenganche de paredes de dominio en defectos de seis formas distintas, cada uno, de dos profundidades diferentes. Hemos realizado un análisis estadístico en diferentes hilos, donde hemos estudiado la probabilidad de anclaje cada tipo de defecto y la dispersión en el valor de campo magnético aplicado necesario para desenganchar la pared. Luego, continuamos con el estudio de la nucleación de las paredes de dominio magnético con pulsos de corriente a través una linea adyacente al nanohilo. Estudiamos defectos de tres formas distintas e identificamos, en función del valor de campo magnético aplicado, los distintos tipos de paredes de dominio anclados en cada uno de ellos. Además, con la ayuda de este método de inyección que es rápido y eficaz, hemos sido capaces de generar y anclar un único tipo de pared minimizando el comportamiento estocástico de la pared mencionado anteriormente. En estas condiciones óptimas, hemos estudiado el desenganche de las paredes de dominio por medio de corriente polarizada en espín, donde hemos conseguido desenganchar la pared de forma controlada y repetitiva siempre para los mismos valores de corriente y campo magnético aplicados. Además, aplicando pulsos de corriente en distintas direcciones, estudiamos en base a su diferencia, la contribución térmica debido al efecto Joule. Los resultados obtenidos representan un importante avance hacia la explotación práctica de este tipo de dispositivos. ABSTRACT The research activity of this thesis was focused on the nucleation, pinning and depinning of magnetic domain walls (DWs) in notched permalloy nanowires. The access to nanofabrication techniques has boosted the number of applications based on magnetic domain walls (DWs) like memory devices. In 2004, Stuart Parkin at IBM, conceived an innovative concept, the “racetrack memory” based on a ferromagnetic nanowire were the magnetic domains constitute the “bits” of information. The frontier between those magnetic domains, ie magnetic domain wall, will move ideally assisted by a spin polarized current. DWs will pin at certain positions due to artificially created pinning sites or “notches” fabricated with ebeam lithography. The success of this idea relies on the careful and predictable control on DW nucleation and a defined pinning-depinning process in order to read and write the bits of information. Sloncsewski in 1994 shows that a spin polarized current can transfer magnetic moment to the local magnetization to move the DWs instead of the magnetic field created by the current. Since then many research groups worldwide have been working on optimizing the conditions for the current induced DW motion due to the spin transfer effect. The fraction of spin polarized electrons traveling through a ferromagnetic nanowire is considerably small, so nowadays the current density required to move a DW by STT exceeds 1 107 A/cm2. A high current density not only can produce a significant degradation of the device but also important effects related to Joule heating were also observed . There are other scientific and technological issues to solve regarding the diversity of DWs states pinned at the notch. The types of DWs pinned, their chirality or their characteristic depinning current or field, may change if the notch has slightly different dimensions, the stripe has different thickness or even if the DW is pinned by a different procedure. Additionally, there is a stochastic component in both the injection of the DW and in its pinning-depinning process, which may be partly intrinsic to the nature of the travelling DW at a non-zero temperature and partly due to the unavoidable defects introduced during the nano-fabrication process. This constitutes an important inconvenient because depending on the DW type different values of current of magnetic field need to be applied in order to depin a DW from the notch. As mentioned earlier, in order to write and read the bits of information accurately, a controlled reproducible and predictable pinning- depinning process is required. This implies to nucleate, pin and depin always at the same applied magnetic field or current. Therefore, in the first chapter of this thesis we studied the pinning and depinning of DW in six different notch shapes and two depths. An statistical analysis was conducted in order to determine which notch type performed best in terms of pinning probability and the dispersion measured in the magnetic field necessary to depin the magnetic DWs. Then, we continued studying the nucleation of DWs with nanosecond current pulses by an adjacent conductive stripe. We studied the conditions for DW injection that allow a selective pinning of the different types of DWs in Permalloy nanostripes with 3 different notch shapes. Furthermore, with this injection method, which has proven to be fast and reliable, we manage to nucleate only one type of DW avoiding its stochastic behavior mentioned earlier. Having achieved this optimized conditions we studied current induced depinning where we also achieved a controlled and reproducible depinning process at always the same applied current and magnetic field. Additionally, changing the pulse polarity we studied the joule heating contribution in a current induced depinning process. The results obtained represent an important step towards the practical exploitation of these devices.

El imaginario en la génesis del proyecto arquitectónico: La construcción de la realidad a través del mito, la utopía y la cibercultura

El término imaginario, nombra el principio y el tema central de una investigación del mundo arquitectónico, necesaria para entender las condiciones alrededor de un proceso proyectual íntimo, cargado de significaciones ideológicas y simbólicas. En diferentes interpretaciones, el inconsciente colectivo y personal, científico o social, aparece en el origen de cada pensamiento y comportamiento humano, constituyendo un universo cerrado y caótico, donde todas las ideas están en constante tensión y contradicción. Por esta razón existen nociones y construcciones lógicas y coherentes que estructuran el marco de la verisimilitud y por tanto el régimen de la realidad, mediante la verdad y la verificación. Para el proyecto arquitectónico estas configuraciones se expresan en la situación del espacio, el tiempo y el cuerpo, como elementos básicos de jerarquización de la habitabilidad y de la cohabitabilidad humana. Esta tesis pretende acotar y definir un ámbito de procesos verosímiles instalados dentro del imaginario mediante el patrimonio intangible del pensamiento mítico o utópico, donde no solamente se crean envolventes del pensamiento, de iconografía o de sociedades, sino de donde también se derivan modelos rígidos y excluyentes, desde teorías basadas en la heteronormatividad y la segregación según el sexo, el género, la clase y la capacidad dentro de la diversidad funcional. La experiencia del espacio arquitectónico ha sido tradicionalmente descrita mediante palabras e imágenes: el lógos y el símbolo han sido los grandes intermediadores entre los sujetos y el habitar. Los ámbitos cotidiano y urbano se han regido por modelos y normas absolutas aplicadas universalmente y el mundo arquitectónico se ha visto estancado en la polaridad dual, entre lo público y lo privado, el dentro y el fuera, el movimiento y el reposo, el hombre y la mujer. Si el espacio-tiempo, el cuerpo y sus interpretaciones son la base para los modelos absolutistas, universalistas y perfeccionistas que han dominado el pensamiento occidental y elaborado la noción de lo “normal” en su totalidad, restando complejidad y diversidad, en la era hipermoderna ya no tiene sentido hablar en términos que no contemplen la superposición y la contradicción de la multiplicidad caótica en igualdad y en equilibrio instable. La realidad se ha visto reinventada a través de situaciones intermedias, los lugares inbetween en los espacios, tiempos, identidades y nociones presupuestas, donde se ha tergiversado el orden establecido, afectando al imaginario. La cotidianidad ha superado la arquitectura y el tiempo ha aniquilado el espacio. La conectividad, las redes y el libre acceso a la información – allá donde los haya – componen el marco que ha permitido a los sujetos subalternos emerger y empezar a consolidarse en el discurso teórico y práctico. Nuevos referentes están apareciendo en el hiper-espacio/tiempo aumentado, infringiendo todas aquellas leyes e interpretaciones impuestas para controlar los hábitos, las conductas y las personas. La casa, la ciudad y la metrópolis al vaciarse de contenidos, han dejado de cumplir funciones morales y simbólicas. Los no-lugares, los no-space, los no-time (Amann, 2011) son las condiciones radicalmente fenoménicas que reemplazan la realidad de lo vivido y activan de forma directa a los sentidos; son lugares que excitan el cuerpo como termótopos (Sloterdijk, 2002), que impulsan el crecimiento de la economía y en gran medida la multinormatividad. Sin duda alguna, aquí y ahora se requiere un nuevo modo de emplear la palabra, la imagen y la tecnología, dentro de una temporalidad efímera y eterna simultáneamente. ABSTRACT The term imaginary marks the beginning and the main topic of this research into the architectural world, presented as the necessary condition to understand the design process in its intimate layers, loaded with ideological and symbolic meanings. Through different interpretations, the unconscious, personal and collective, scientific or social, is found in the origin of every human thought and behaviour, constituting a closed chaotic universe, where all ideas are in constant tension and contradiction. This is why there are logical and coherent notions or discursive constructions which organise the context of verisimilitude and therefore the regime of reality through truth and its verification. For the architectural project, these specific configurations are associated with space, time and body as basic elements of management and hierarchization of human habitability and co-habitability. This thesis aims to demarcate and define a field of verisimilar processes installed in the imaginary, through the intangible heritage of mythical or utopian thinking, where not only enclosures of thought, iconography or utopian ideals are created, but from where rigid and exclusive models are derived as well, from theories based on heteronormativity and segregation by sex, gender, class and functional diversity. The experience of the architectural space has been described traditionally through words and images: the language and the symbol have been intermediating between the user and his habitat. Everyday life and urban interactions have been governed by absolute, universally applied, models or standards, therefore the architectural world has been stalled in a constant dual polarity between the public and the private, the inside and the outside, the movement and the repose, the man and the woman. Certainly, if the space-time notion, along with the theorization of the body, are the basis for absolutist, universalist and perfectionist models that have dominated western thought and developed the concept of “normal” in its totality, deducting all complexity and diversity, in the hypermodern era it makes no longer sense to speak in terms that ignore the overlap and contradiction of the chaotic multiplicity that characterises equality and unstable balance. Reality has been reinvented through intermediate situations, the in-between spaces, time, identities, or other presupposed notions. The order of truth has been distorted, affecting and transforming the contemporary imaginary. Everyday practices have surpassed the architectural design and time has annihilated space. Connectivity, networks, free access to information -wherever it exists-, compose the framework that has allowed subaltern subjectivity to emerge and begin to consolidate into main theoretical and practical discourses. New models are appearing in the augmented hyper-space/ time, transgressing any rule and interpretation imposed to control habits, behaviours and people. The house, the city and the metropolis are empty of content; they no longer fulfil moral and symbolic functions. The non-places, non-space, non-time (Amann, 2011) are radically phenomenal conditions that replace the reality of the lived experience and activate the senses as places that excite the body, thermotopos (Sloterdijk, 2002), which boost economic growth and to a considerable extent the multinormativity. Undoubtedly, what is required here and now is a new way of employing the word, the image and the technology within an ephemeral yet eternal temporality.

Surface InGaAs nanostructures for sensing applications

El desarrollo de sensores está ganando cada vez mayor importancia debido a la concienciación ciudadana sobre el medio ambiente haciendo que su desarrollo sea muy elevado en todas las disciplinas, entre las que cabe destacar, la medicina, la biología y la química. A pesar de la existencia de estos dispositivos, este área está aún por mejorar, ya que muchos de los materiales propuestos hasta el momento e incluso los ya comercializados muestran importantes carencias de funcionamiento, eficiencia e integrabilidad entre otros. Para la mejora de estos dispositivos, se han propuesto diversas aproximaciones basadas en nanosistemas. Quizá, uno de las más prometedoras son las nanoestructuras de punto cuántico, y en particular los semiconductores III-V basados en la consolidada tecnología de los arseniuros, las cuáles ofrecen excelentes propiedades para su uso como sensores. Además, estudios recientes demuestran su gran carácter sensitivo al medio ambiente, la posibilidad de funcionalizar la superficie para la fabricación de sensores interdisciplinares y posibilididad de mejorar notablemente su eficiencia. A lo largo de esta tesis, nos centramos en la investigación de SQD de In0.5Ga0.5As sobre substratos de GaAs(001) para el desarrollo de sensores de humedad. La tesis abarca desde el diseño, crecimiento y caracterización de las muestras hasta la el posterior procesado y caracterización de los dispositivos finales. La optimización de los parámetros de crecimiento es fundamental para conseguir una nanoestructura con las propiedades operacionales idóneas para un fin determinado. Como es bien sabido en la literatura, los parámetros de crecimiento (temperatura de crecimiento, relación de flujos del elemento del grupo V y del grupo I II (V/III), velocidad de crecimiento y tratamiento térmico después de la formación de la capa activa) afectan directamente a las propiedades estructurales, y por tanto, operacionales de los puntos cuánticos (QD). En esta tesis, se realiza un estudio de las condiciones de crecimiento para el uso de In0.5Ga0.5As SQDs como sensores. Para los parámetros relacionados con la temperatura de crecimiento de los QDs y la relación de flujos V / I I I se utilizan los estudios previamente realizados por el grupo. Mientras que este estudio se centrará en la importancia de la velocidad de crecimiento y en el tratamiento térmico justo después de la nucleación de los QDs. Para ello, se establece la temperatura de creciemiento de los QDs en 430°C y la relación de flujos V/III en 20. Como resultado, los valores más adecuados que se obtienen para la velocidad de crecimiento y el tratamiento térmico posterior a la formación de los puntos son, respectivamente, 0.07ML/s y la realización de una bajada y subida brusca de la temperatura del substrato de 100°C con respecto a la temperatura de crecimiento de los QDs. El crecimiento a una velocidad lo suficientemente alta que permita la migración de los átomos por la superficie, pero a su vez lo suficientemente baja para que se lleve a cabo la nucleación de los QDs; en combinación con el tratamiento brusco de temperatura que hace que se conserve la forma y composición de los QDs, da lugar a unos SQDs con un alto grado de homogeneidad y alta densidad superficial. Además, la caracterización posterior indica que estas nanoestructuras de gran calidad cristalina presentan unas propiedades ópticas excelentes incluso a temperatura ambiente. Una de las características por la cual los SQD de Ino.5Gao.5As se consideran candidatos prometedores para el desarrollo de sensores es el papel decisivo que juega la superficie por el mero hecho de estar en contacto directo con las partículas del ambiente y, por tanto, por ser capaces de interactuar con sus moléculas. Así pues, con el fin de demostrar la idoneidad de este sistema para dicha finalidad, se evalúa el impacto ambiental en las propiedades ópticas y eléctricas de las muestras. En un primer lugar, se analiza el efecto que tiene el medio en las propiedades ópticas. Para dicha evaluación se compara la variación de las propiedades de emisión de una capa de puntos enterrada y una superficial en distintas condiciones externas. El resultado que se obtiene es muy claro, los puntos enterrados no experimentan un cambio óptico apreciable cuando se varían las condiciones del entorno; mientras que, la emisión de los SQDs se modifica significativamente con las condiciones del medio. Por una parte, la intensidad de emisión de los puntos superficiales desaparece en condiciones de vacío y decrece notablemente en atmósferas secas de gases puros (N2, O2). Por otra parte, la fotoluminiscencia se conserva en ambientes húmedos. Adicionalmente, se observa que la anchura a media altura y la longitud de onda de emisión no se ven afectadas por los cambios en el medio, lo que indica, que las propiedades estructurales de los puntos se conservan al variar la atmósfera. Estos resultados apuntan directamente a los procesos que tienen lugar en la superficie entre estados confinados y superficiales como responsables principales de este comportamiento. Así mismo, se ha llevado a cabo un análisis más detallado de la influencia de la calidad y composición de la atmósfera en las propiedades ópticas de los puntos cuánticos superficiales. Para ello, se utilizan distintas sustancias con diferente polaridad, composición atómica y masa molecular. Como resultado se observa que las moléculas de menor polaridad y más pesadas causan una mayor variación en la intensidad de emisión. Además, se demuestra que el oxígeno juega un papel decisivo en las propiedades ópticas. En presencia de moléculas que contienen oxígeno, la intensidad de fotoluminiscencia disminuye menos que en atmósferas constituidas por especies que no contienen oxígeno. Las emisión que se observa respecto a la señal en aire es del 90% y del 77%, respectivamente, en atmósferas con presencia o ausencia de moléculas de oxígeno. El deterioro de la señal de emisión se atribuye a la presencia de defectos, enlaces insaturados y, en general, estados localizados en la superficie. Estos estados actúan como centros de recombinación no radiativa y, consecuentemente, se produce un empeoramiento de las propiedades ópticas de los SQDs. Por tanto, la eliminación o reducción de la densidad de estos estados superficiales haría posible una mejora de la intensidad de emisión. De estos experimentos de fotoluminiscencia, se deduce que las interacciones entre las moléculas presentes en la atmósfera y la superficie de la muestra modifican la superficie. Esta alteración superficial se traduce en un cambio significativo en las propiedades de emisión. Este comportamiento se atribuye a la posible adsorción de moléculas sobre la superficie pasivando los centros no radiativos, y como consecuencia, mejorando las propiedades ópticas. Además, los resultados demuestran que las moléculas que contienen oxígeno con mayor polaridad y más ligeras son adsorbidas con mayor facilidad, lo que hace que la intensidad óptica sufra variaciones despreciables con respecto a la emisión en aire. Con el fin de desarrollar sensores, las muestras se procesan y los dispositivos se caracterizan eléctricamente. El procesado consiste en dos contactos cuadrados de una aleación de Ti/Au. Durante el procesado, lo más importante a tener en cuenta es no realizar ningún ataque o limpieza que pueda dañar la superficie y deteriorar las propiedades de las nanostructuras. En este apartado, se realiza un análisis completo de una serie de tres muestras: GaAs (bulk), un pozo cuántico superficial (SQW) de Ino.5Gao.5As y SQDs de Ino.5Gao.5As. Para ello, a cada una de las muestras se le realizan medidas de I-V en distintas condiciones ambientales. En primer lugar, siguiendo los resultados obtenidos ópticamente, se lleva a cabo una comparación de la respuesta eléctrica en vacío y aire. A pesar de que todas las muestras presentan un carácter más resistivo en vacío que en aire, se observa una mayor influencia sobre la muestra de SQD. En vacío, la resistencia de los SQDs decrece un 99% respecto de su valor en aire, mientras que la variación de la muestras de GaAs e Ino.5Gao.5As SQW muestran una reducción, respectivamente, del 31% y del 20%. En segundo lugar, se realiza una evaluación aproximada del posible efecto de la humedad en la resistencia superficial de las muestras mediante la exhalación humana. Como resultado se obtiene, que tras la exhalación, la resistencia disminuye bruscamente y recupera su valor inicial cuando dicho proceso concluye. Este resultado preliminar indica que la humedad es un factor crítico en las propiedades eléctricas de los puntos cuánticos superficiales. Para la determinación del papel de la humedad en la respuesta eléctrica, se somete a las muestras de SQD y SQW a ambientes con humedad relativa (RH, de la siglas del inglés) controlada y se analiza el efecto sobre la conductividad superficial. Tras la variación de la RH desde 0% hasta el 70%, se observa que la muestra SQW no cambia su comportamiento eléctrico al variar la humedad del ambiente. Sin embargo, la respuesta de la muestra SQD define dos regiones bien diferenciadas, una de alta sensibilidad para valores por debajo del 50% de RH, en la que la resistencia disminuye hasta en un orden de magnitud y otra, de baja sensibilidad (>50%), donde el cambio de la resistencia es menor. Este resultado resalta la especial relevancia no sólo de la composición sino también de la morfología de la nanostructura superficial en el carácter sensitivo de la muestra. Por último, se analiza la influencia de la iluminación en la sensibilidad de la muestra. Nuevamente, se somete a las muestras SQD y SQW a una irradiación de luz de distinta energía y potencia a la vez que se varía controladamente la humedad ambiental. Una vez más, se observa que la muestra SQW no presenta ninguna variación apreciable con las alteraciones del entorno. Su resistencia superficial permanece prácticamente inalterable tanto al modificar la potencia de la luz incidente como al variar la energía de la irradiación. Por el contrario, en la muestra de SQD se obtiene una reducción la resistencia superficial de un orden de magnitud al pasar de condiciones de oscuridad a iluminación. Con respecto a la potencia y energía de la luz incidente, se observa que a pesar de que la muestra no experimenta variaciones notables con la potencia de la irradiación, esta sufre cambios significativos con la energía de la luz incidente. Cuando se ilumina con energías por encima de la energía de la banda prohibida (gap) del GaAs (Eg ~1.42 eV ) se produce una reducción de la resistencia de un orden de magnitud en atmósferas húmedas, mientras que en atmósferas secas la conductividad superficial permanece prácticamente constante. Sin embargo, al inicidir con luz de energía menor que Eg, el efecto que se produce en la respuesta eléctrica es despreciable. Esto se atribuye principalmente a la densidad de portadores fotoactivados durante la irradiación. El volumen de portadores excita dos depende de la energía de la luz incidente. De este modo, cuando la luz que incide tiene energía menor que el gap, el volumen de portadores generados es pequeño y no contribuye a la conductividad superficial. Por el contrario, cuando la energía de la luz incidente es alta (Eg), el volumen de portadores activados es elevado y éstos contribuyen significantemente a la conductividad superficial. La combinación de ambos agentes, luz y humedad, favorece el proceso de adsorción de moléculas y, por tanto, contribuye a la reducción de la densidad de estados superficiales, dando lugar a una modificación de la estructura electrónica y consecuentemente favoreciendo o dificultando el transporte de portadores. ABSTRACT Uncapped three-dimensional (3D) nanostructures have been generally grown to assess their structural quality. However, the tremendous growing importance of the impact of the environment on life has become such nanosystems in very promising candidates for the development of sensing devices. Their direct exposure to changes in the local surrounding may influence their physical properties being a perfect sign of the atmosphere quality. The goal of this thesis is the research of Ino.5Gao.5As surface quantum dots (SQDs) on GaAs(001), covering from their growth to device fabrication, for sensing applications. The achievement of this goal relies on the design, growth and sample characterization, along with device fabrication and characterization. The first issue of the thesis is devoted to analyze the main growth parameters affecting the physical properties of the Ino.5Gao.5As SQDs. It is well known that the growing conditions (growth temperature , deposition rate, V/III flux ratio and treatment after active layer growth) directly affect the physical properties of the epilayer. In this part, taking advantage of the previous results in the group regarding Ino.5Gao.5As QD growth temperature and V/III ratio, the effect of the growth rate and the temperature treatment after QDs growth nucleation is evaluated. Setting the QDs growth temperature at 430°C and the V/III flux ratio to ~20, it is found that the most appropriate conditions rely on growing the QDs at 0.07ML/s and just after QD nucleation, rapidly dropping and again raising 100°C the substrate temperature with respect to the temperature of QD growth. The combination of growing at a fast enough growth rate to promote molecule migration but sufficiently slow to allow QD nucleation, together with the sharp variation of the temperature preserving their shape and composition yield to high density, homogeneous Ino.5Gao.5As SQDs. Besides, it is also demonstrated that this high quality SQDs show excellent optical properties even at room temperature (RT). One of the characteristics by which In0.5Ga0.5As/GaAs SQDs are considered promising candidates for sensing applications is the crucial role that surface plays when interacting with the gases constituting the atmosphere. Therefore, in an attempt to develop sensing devices, the influence of the environment on the physical properties of the samples is evaluated. By comparing the resulting photoluminescence (PL) of SQDs with buried QDs (BQDs), it is found that BQDs do not exhibit any significant variation when changing the environmental conditions whereas, the external conditions greatly act on the SQDs optical properties. On one hand, it is evidenced that PL intensity of SQDs sharply quenches under vacuum and clearly decreases under dry-pure gases atmospheres (N2, O2). On the other hand, it is shown that, in water containing atmospheres, the SQDs PL intensity is maintained with respect to that in air. Moreover, it is found that neither the full width at half maximun nor the emission wavelength manifest any noticeable change indicating that the QDs are not structurally altered by the external atmosphere. These results decisively point to the processes taking place at the surface such as coupling between confined and surface states, to be responsible of this extraordinary behavior. A further analysis of the impact of the atmosphere composition on the optical characteristics is conducted. A sample containing one uncapped In0.5Ga0.5As QDs layer is exposed to different environments. Several solvents presenting different polarity, atomic composition and molecular mass, are used to change the atmosphere composition. It is revealed that low polarity and heavy molecules cause a greater variation on the PL intensity. Besides, oxygen is demonstrated to play a decisive role on the PL response. Results indicate that in presence of oxygen-containing molecules, the PL intensity experiments a less reduction than that suffered in presence of nonoxygen-containing molecules, 90% compared to 77% signal respect to the emission in air. In agreement with these results, it is demonstrated that high polarity and lighter molecules containing oxygen are more easily adsorbed, and consequently, PL intensity is less affected. The presence of defects, unsaturated bonds and in general localized states in the surface are proposed to act as nonradiative recombination centers deteriorating the PL emission of the sample. Therefore, suppression or reduction of the density of such states may lead to an increase or, at least, conservation of the PL signal. This research denotes that the interaction between sample surface and molecules in the atmosphere modifies the surface characteristics altering thus the optical properties. This is attributed to the likely adsoption of some molecules onto the surface passivating the nonradiative recombination centers, and consequently, not deteriorating the PL emission. Aiming for sensors development, samples are processed and electrically characterized under different external conditions. Samples are processed with two square (Ti/Au) contacts. During the processing, especial attention must be paid to the surface treatment. Any process that may damage the surface such as plasma etching or annealing must be avoided to preserve the features of the surface nanostructures. A set of three samples: a GaAs (bulk), In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As surface quantum well (SQW) are subjected to a throughout evaluation. I-V characteristics are measured following the results from the optical characterization. Firstly, the three samples are exposed to vacuum and air. Despite the three samples exhibit a more resistive character in vacuum than in air, it is revealed a much more clear influence of the pressure atmosphere in the SQDs sample. The sheet resistance (Rsh) of SQDs decreases a 99% from its response value under vacuum to its value in air, whereas Rsh of GaAs and In0.5Ga0.5As SQW reduces its value a 31% and a 20%, respectively. Secondly, a rough analysis of the effect of the human breath on the electrical response evidences the enormous influence of moisture (human breath is composed by several components but the one that overwhelms all the rest is the high concentration of water vapor) on the I-V characteristics. Following this result, In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As SQW are subjected to different controlled relative humidity (RH) environments (from 0% to 70%) and electrically characterized. It is found that SQW shows a nearly negligible Rsh variation when increasing the RH in the surroundings. However, the response of SQDs to changes in the RH defines two regions. Below 50%, high sensitive zone, Rsh of SQD decreases by more than one order of magnitude, while above 50% the dependence of Rsh on the RH becomes weaker. These results remark the role of the surface and denote the existence of a finite number of surface states. Nevertheless, most significantly, they highlight the importance not only of the material but also of the morphology. Finally, the impact of the illumination is determined by means of irradiating the In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As SQW samples with different energy and power sources. Once again, SQW does not exhibit any correlation between the surface conductivity and the external conditions. Rsh remains nearly unalterable independently of the energy and power of the incident light. Conversely, Rsh of SQD experiences a decay of one order of magnitude from dark-to-photo conditions. This is attributed to the less density of surface states of SQW compared to that of SQDs. Additionally, a different response of Rsh of SQD with the energy of the impinging light is found. Illuminating with high energy light results in a Rsh reduction of one order of mag nitude under humid atmospheres, whereas it remains nearly unchanged under dry environments. On the contrary, light with energy below the bulk energy bandgap (Eg), shows a negligible effect on the electrical properties regardless the local moisture. This is related to the density of photocarriers generated while lighting up. Illuminating with excitation energy below Eg affects a small absorption volume and thus, a low density of photocarriers may be activated leading to an insignificant contribution to the conductivity. Nonetheless, irradiating with energy above the Eg can excite a high density of photocarriers and greatly improve the surface conductivity. These results demonstrate that both illumination and humidity are therefore needed for sensing. The combination of these two agents improves the surface passivation by means of molecule adsorption reducing the density of surface states, thus modifying the electronic structures, and consequently, promoting the carrier motion.

DAEDALUS at SemEval-2014 Task 9: Comparing approaches for sentiment analysis in twitter

This paper describes our participation at SemEval- 2014 sentiment analysis task, in both contextual and message polarity classification. Our idea was to com- pare two different techniques for sentiment analysis. First, a machine learning classifier specifically built for the task using the provided training corpus. On the other hand, a lexicon-based approach using natural language processing techniques, developed for a ge- neric sentiment analysis task with no adaptation to the provided training corpus. Results, though far from the best runs, prove that the generic model is more robust as it achieves a more balanced evaluation for message polarity along the different test sets.

Towards a unified sentiment lexicon based on graphics processing units

This paper presents an approach to create what we have called a Unified Sentiment Lexicon (USL). This approach aims at aligning, unifying, and expanding the set of sentiment lexicons which are available on the web in order to increase their robustness of coverage. One problem related to the task of the automatic unification of different scores of sentiment lexicons is that there are multiple lexical entries for which the classification of positive, negative, or neutral {P, Z, N} depends on the unit of measurement used in the annotation methodology of the source sentiment lexicon. Our USL approach computes the unified strength of polarity of each lexical entry based on the Pearson correlation coefficient which measures how correlated lexical entries are with a value between 1 and -1, where 1 indicates that the lexical entries are perfectly correlated, 0 indicates no correlation, and -1 means they are perfectly inversely correlated and so is the UnifiedMetrics procedure for CPU and GPU, respectively. Another problem is the high processing time required for computing all the lexical entries in the unification task. Thus, the USL approach computes a subset of lexical entries in each of the 1344 GPU cores and uses parallel processing in order to unify 155802 lexical entries. The results of the analysis conducted using the USL approach show that the USL has 95.430 lexical entries, out of which there are 35.201 considered to be positive, 22.029 negative, and 38.200 neutral. Finally, the runtime was 10 minutes for 95.430 lexical entries; this allows a reduction of the time computing for the UnifiedMetrics by 3 times.

The unified sentiment lexicon using GPUs

This approach aims at aligning, unifying and expanding the set of sentiment lexicons which are available on the web in order to increase their robustness of coverage. A sentiment lexicon is a critical and essential resource for tagging subjective corpora on the web or elsewhere. In many situations, the multilingual property of the sentiment lexicon is important because the writer is using two languages alternately in the same text, message or post. Our USL approach computes the unified strength of polarity of each lexical entry based on the Pearson correlation coefficient which measures how correlated lexical entries are with a value between 1 and -1, where 1 indicates that the lexical entries are perfectly correlated, 0 indicates no correlation, and -1 means they are perfectly inversely correlated and the UnifiedMetrics procedure for CPU and GPU, respectively.

UWB Monocycle Generator based on the non-linear effects of an SOA-integrated structure

In this letter, we propose and experimentally demonstrate a novel and single structure to generate ultra-wideband (UWB) pulses by means of the cross-phase modulation present in a semiconductor optical amplifier unified structure. The key components of this system is an integrated Mach-Zehnder interferometer with two semiconductor optical amplifiers and an optical processing unit. The fusion of these two components permits the generation and customization of UWB monocycle pulses. The polarity of the output pulses is easily modified through the single selection of a specific input port. Moreover, the capacity of transmitting several data sequences is demonstrated and the potentiality to adapt the system to different modulation formats is analyzed.